TG1400HF17H1-S300,IGBT 모듈,하프 브리지 IGBT,CRRC

상징

매개변수

시험 조건

값

UNIT

VCES

컬렉터-이미터 전압

VGE = 0V, TC= 25 °C

1700

V

VGES

게이트-이미터 전압

TC= 25 °C

± 20

V

IC

컬렉터-이미터 전류

TC = 65 °C

1400

A

IC(PK)

集电极峰值 전류

피크 컬렉터 전류

tP=1ms

2800

A

Pmax

최대 트랜지스터 전력 소산

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

6.25

kW

I2t

다이오드 I2t

VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

145

kA2s

Visol

모듈당 절연 전압

공통화된 단자에서 베이스 플레이트), AC RMS,1 min, 50Hz, TC= 25 °C

4000

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

ICES

컬렉터 차단 전류

VGE = 0V,VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

20

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

30

mA

IGES

게이트 누설 전류

VGE = ±20V, VCE = 0V

0.5

μA

VGE (TH)

게이트 임계 전압

IC = 30mA, VGE = VCE

5.00

6.00

7.00

V

VCE (sat)(*1)

컬렉터-이미터 포화 전압

VGE = 15V, IC = 1400A

2.00

2.40

V

VGE =15V, IC = 1400A, Tvj = 125 °C

2.45

2.70

V

VGE =15V, IC = 1400A, Tvj = 150 °C

2.55

2.80

V

IF

다이오드 순방향 전류

DC

1400

A

IFRM

다이오드 최고 전류

tP = 1ms

2800

A

VF(*1)

다이오드 순방향 전압

IF = 1400A, VGE = 0

1.80

2.20

V

IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

1.95

2.30

V

IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.00

2.40

V

ISC

단락 전류

TVj = 150°C, VCC = 1000V, VGE ≤15V, tp ≤10μs

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

5400

A

시스

输入电容

입력 용량

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

113

nF

본부

게이트 요금

±15V

11.7

μC

크레스

역전환 용량

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

3.1

nF

LM

모듈 인덕턴스

10

nH

RINT

내부 트랜지스터 저항

0.2

mΩ

td(off)

차단 지연 시간

IC = 1400A

VCE = 900V

VGE = ±15V, RG(OFF) = 1.8Ω , LS = 20nH,

dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C)

TVj= 25 °C

1520

nS

Tvj= 125 °C

1580

Tvj= 150 °C

1600

tF

下降时间 하강 시간

TVj= 25 °C

460

nS

Tvj= 125 °C

610

Tvj= 150 °C

650

EOFF

차단 에너지 손실

TVj= 25 °C

460

mJ

Tvj= 125 °C

540

Tvj= 150 °C

560

td(on)

턴온 지연 시간

IC = 1400A

VCE = 900V

VGE = ±15V, RG(ON) = 1.2Ω , LS = 20nH,

di/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C)

TVj= 25 °C

400

nS

Tvj= 125 °C

370

Tvj= 150 °C

360

tr

상승 시간

TVj= 25 °C

112

nS

Tvj= 125 °C

120

Tvj= 150 °C

128

EON

켜기 에너지 손실

TVj= 25 °C

480

mJ

Tvj= 125 °C

580

Tvj= 150 °C

630

Qrr

다이오드 역전

회복 전하

IF =1400A, VCE = 900V,

- diF/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C)

TVj= 25 °C

315

μC

Tvj= 125 °C

440

Tvj= 150 °C

495

Irr

다이오드 역전

회복 전류

TVj= 25 °C

790

A

Tvj= 125 °C

840

Tvj= 150 °C

870

Erec

다이오드 역전

회복 에너지

TVj= 25 °C

190

mJ

Tvj= 125 °C

270

Tvj= 150 °C

290