홈페이지 / 제품 / 캡슐형 정류 다이오드 / 양방향 제어 타이리스터
| IT(AV) | 750 | 
| VDRM, VRRM | 500V 800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800 | 
기능 :
전형적 응용
| 
 상징 | 
 특징 | 
 시험 조건 | Tj( °C ) | 값 | 
 UNIT | |||
| 분 | 유형 | 최대 | ||||||
| 
 IT(RMS) | RMS 전류 | 50Hz 사인파 양면 냉각, | TC=55°C | 125 | 
 | 
 | 1060 | 
 A | 
| TC=85 。C | 125 | 
 | 
 | 750 | ||||
| VDRM | 반복 피크 역전압 | VDRM tp=10ms VDSM = VDRM +100V | 125 | 500 | 
 | 1800 | V | |
| IDRM | 반복 피크 전류 | vDRM에서 | 125 | 
 | 
 | 40 | mA | |
| ITSM | 서지 온 상태 전류 | 10ms 반 사인파 VR=0.6VRRM | 125 | 
 | 
 | 7.6 | kA | |
| I2t | 퓨징 조정을 위한 I2t | 
 | 
 | 288 | A2s*103 | |||
| VTO | 임계 전압 | 
 | 125 | 
 | 
 | 0.84 | V | |
| 르티 | 온 상태 기울기 저항 | 
 | 
 | 1.01 | mΩ | |||
| VTM | 피크 온 상태 전압 | ITM=900A, F=15kN | 25 | 
 | 
 | 2.70 | V | |
| dv/dt | 오프 상태 전압의 비판적 상승 속도 | VDM=0.67VDRM | 125 | 
 | 
 | 50 | V/µs | |
| di/dt | 정전 전류의 급격한 증가율 | VDM= 67%VDRM에서 1000A, 게이트 펄스 트 ≤0.5μs IGM=1.5A 반복 | 125 | 
 | 
 | 50 | A/µs | |
| IGT | 게이트 트리거 전류 | 
 
 VA=12V, IA=1A | 
 
 25 | 20 | 
 | 300 | mA | |
| Vgt | 게이트 트리거 전압 | 0.8 | 
 | 3.0 | V | |||
| IH | 유지 전류 | 20 | 
 | 300 | mA | |||
| IL | 래칭 전류 | 
 | 
 | 500 | mA | |||
| VGD | 비트리거 게이트 전압 | VDM=67%VDRM | 125 | 
 | 
 | 0.3 | V | |
| Rth(j-c) | 열 저항 접합부에서 케이스까지 | 양면 냉각 클램핑 힘 15kN | 
 | 
 | 
 | 0.035 | 
 。C /W | |
| Rth(c-h) | 케이스에서 히트 싱크까지의 열 저항 | 
 | 
 | 
 | 0.008 | |||
| Fm | 장착 힘 | 
 | 
 | 10 | 
 | 20 | kN | |
| TVj | 접점 온도 | 
 | 
 | -40 | 
 | 125 | 。C | |
| TSTG | 저장 온도 | 
 | 
 | -40 | 
 | 140 | 。C | |
| Wt | 무게 | 
 | 
 | 
 | 240 | 
 | g | |
| 개요 | KT33cT | |||||||

전문 영업팀이 귀하의 문의를 기다리고 있습니다. 
제품 목록을 따라가면 관심 있는 질문을 할 수 있습니다.