GD225HFX170C6S, IGBT 모듈, STARPOWER

상징

설명

값

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1700

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

396

225

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t p = 1밀리초

450

A

P D

최대 전력 분산 @ T j =175 o C

1530

W

상징

설명

값

UNIT

V RRM

반복 피크 역전압

1700

V

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

다이오드 연속 전면 커 임대료

225

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms

450

A

상징

설명

값

UNIT

T jmax

최대 분기 온도

175

o C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

V Iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분

4000

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

I C =225A,V GE =15V, T j =25 o C

1.85

2.20

V

I C =225A,V GE =15V, T j =125 o C

2.25

I C =225A,V GE =15V, T j =150 o C

2.35

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =9.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다

전류

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

2.8

ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

27.1

nF

C res

역전환

용량

0.66

nF

Q G

게이트 요금

V GE =- 15...+15V

2.12

μC

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =225A, R Gon =3.3Ω, R 고프 =6.2Ω, V GE =±15V,

T j =25 o C

187

nS

t r

상승 시간

76

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

587

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

350

nS

E 에

켜 Switching

손실

56.1

mJ

E 끄다

그림 전환

손실

52.3

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =225A, R Gon =3.3Ω, R 고프 =6.2Ω, V GE =±15V,

T j = 125o C

200

nS

t r

상승 시간

85

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

693

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

662

nS

E 에

켜 Switching

손실

75.9

mJ

E 끄다

그림 전환

손실

80.9

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =225A, R Gon =3.3Ω, R 고프 =6.2Ω, V GE =±15V,

T j = 150o C

208

nS

t r

상승 시간

90

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

704

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

744

nS

E 에

켜 Switching

손실

82.8

mJ

E 끄다

그림 전환

손실

87.7

mJ

I SC

SC 데이터

t P ≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150 o C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

900

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

다이오드 앞

전압

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =225A,V GE =0V,T j =25 o C

1.80

2.25

V

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =225A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =225A,V GE =0V,T j = 150o C

1.95

Q r

회복 전하

V R =900V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C

63.0

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

352

A

E rec

역회복 에너지

37.4

mJ

Q r

회복 전하

V R =900V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V T j =125 o C

107

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

394

A

E rec

역회복 에너지

71.0

mJ

Q r

회복 전하

V R =900V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V T j =150 o C

121

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

385

A

E rec

역회복 에너지

82.8

mJ

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

R 25

등급 저항

5.0

kΩ

δR/R

오차 of R 100

T C = 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

전력

소산

20.0

mW

B 25/50

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/80 1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/100 1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로

1.10

mΩ

R thJC

부문별 (IGB당) T)

커스 (D) 에 대한 연결 오드)

0.098

0.158

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT)

케이스-히트싱크 (p er 다이오드)

케이스-히트싱크 (per 모듈)

0.029

0.047

0.009

K/W

M

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 스크루브 M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

무게 of 모듈

350

g