GD225HFX170C6S, IGBT 모듈, STARPOWER

상징

설명

값

단위

볼트 CES

컬렉터-이미터 전압

1700

볼트

볼트 GES

게이트-이미터 전압

±20

볼트

나 C

콜렉터 전류 @ T C=25o C

@ T C= 100o C

396

225

A

나 Cm

펄스 콜렉터 전류 t p = 1밀리초

450

A

PD

최대 전력 분산 @ T j =175o C

1530

W

상징

설명

값

단위

볼트 RRM

반복 피크 역전압

1700

볼트

나 F

다이오드 연속 전면 커 임대료

225

A

나 Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms

450

A

상징

설명

값

단위

T jmax

최대 분기 온도

175

o C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

볼트 ISO

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분

4000

볼트

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

나 C=225A,V GE =15V, T j =25o C

1.85

2.20

볼트

나 C=225A,V GE =15V, T j =125o C

2.25

나 C=225A,V GE =15V, T j =150o C

2.35

볼트 GE (th)

게이트 발산자 문 전압

나 C=9.0mA ,볼트 CE =볼트 GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

볼트

나 CES

수집가 절단 -끄다

현재

볼트 CE =볼트 CES ,볼트 GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

나 GES

게이트 발사자 누출 현재

볼트 GE =볼트 GES ,볼트 CE =0V, T j =25o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

2.8

ω

Cies

입력 용량

볼트 CE =25V,f=1Mhz,

볼트 GE =0V

27.1

nF

Cres

역전환

용량

0.66

nF

문의 지

게이트 요금

볼트 GE =- 15...+15V

2.12

μC

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =900V,I C=225A, R Gon =3.3Ω, R 고프 =6.2Ω, 볼트 GE =±15V,

T j =25o C

187

nS

t r

상승 시간

76

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

587

nS

t f

하강 시간

350

nS

E켜짐

켜 전환

손실

56.1

mJ

E끄다

그림 전환

손실

52.3

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =900V,I C=225A, R Gon =3.3Ω, R 고프 =6.2Ω, 볼트 GE =±15V,

T j = 125o C

200

nS

t r

상승 시간

85

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

693

nS

t f

하강 시간

662

nS

E켜짐

켜 전환

손실

75.9

mJ

E끄다

그림 전환

손실

80.9

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =900V,I C=225A, R Gon =3.3Ω, R 고프 =6.2Ω, 볼트 GE =±15V,

T j = 150o C

208

nS

t r

상승 시간

90

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

704

nS

t f

하강 시간

744

nS

E켜짐

켜 전환

손실

82.8

mJ

E끄다

그림 전환

손실

87.7

mJ

나 SC

SC 데이터

t P≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150o C,V CC = 1000V, 볼트 CEM ≤1700V

900

A

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

볼트 F

다이오드 앞

전압

나 F =225A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

볼트

나 F =225A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

나 F =225A,V GE =0V,T j = 150o C

1.95

문의 r

회복 전하

볼트 R =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

63.0

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

352

A

Erec

역회복 에너지

37.4

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 R =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V T j =125o C

107

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

394

A

Erec

역회복 에너지

71.0

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 R =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V T j =150o C

121

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

385

A

Erec

역회복 에너지

82.8

mJ

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

R 25

등급 저항

5.0

kΩ

δR/R

오차 의 R 100

T C= 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

전력

소산

20.0

mW

B 25/50

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/501/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/801/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/1001/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

상징

사양

최소.

전형적인.

최대.

단위

LCE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로

1.10

mΩ

R thJC

부문별 (IGB당) T)

커스 (D) 에 대한 연결 오드)

0.098

0.158

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT)

케이스-히트싱크 (p er 다이오드)

케이스-히트싱크 (per 모듈)

0.029

0.047

0.009

K/W

분

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 스크루브 M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

지

무게 의 모듈

350

지