GD450HFX120C6SA, IGBT 모듈, STARPOWER

상징

설명

값

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

680

450

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t p =1ms

900

A

P D

최대 전력 분산 @ T j =175 o C

2173

W

상징

설명

값

UNIT

V RRM

반복 피크 역전압

1200

V

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

다이오드 연속 전면 커 임대료

450

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms

900

A

상징

설명

값

UNIT

T jmax

최대 분기 온도

175

o C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

V Iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분

2500

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

I C =450A,V GE =15V, T j =25 o C

1.70

2.15

V

I C =450A,V GE =15V, T j =125 o C

1.95

I C =450A,V GE =15V, T j =150 o C

2.00

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C = 11.3mA,V CE =V GE ,T j =25 o C

5.2

5.8

6.4

V

I CES

수집가 절단 -끄다

전류

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

0.7

ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

46.6

nF

C res

역전환

용량

1.31

nF

Q G

게이트 요금

V GE =- 15...+15V

3.50

μC

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =450A, R G = 1.3Ω

V GE =±15V, T j =25 o C

203

nS

t r

상승 시간

64

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

491

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

79

nS

E 에

켜 Switching

손실

16.1

mJ

E 끄다

그림 전환

손실

38.0

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =450A, R G = 1.3Ω

V GE =±15V, T j = 125o C

235

nS

t r

상승 시간

75

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

581

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

109

nS

E 에

켜 Switching

손실

27.8

mJ

E 끄다

그림 전환

손실

55.5

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =450A, R G = 1.3Ω

V GE =±15V, T j = 150o C

235

nS

t r

상승 시간

75

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

621

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

119

nS

E 에

켜 Switching

손실

30.5

mJ

E 끄다

그림 전환

손실

61.5

mJ

I SC

SC 데이터

t P ≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1800

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

다이오드 앞

전압

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =450A,V GE =0V,T j =25 o C

1.85

2.30

V

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =450A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =450A,V GE =0V,T j = 150o C

1.95

Q r

회복 전하

V CC =600V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =450A,

-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15V, T j =25 o C

55.2

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

518

A

E rec

역회복 에너지

26.0

mJ

Q r

회복 전하

V CC =600V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =450A,

-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15V, T j = 125o C

106

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

633

A

E rec

역회복 에너지

47.5

mJ

Q r

회복 전하

V CC =600V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =450A,

-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15V, T j = 150o C

121

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

661

A

E rec

역회복 에너지

53.9

mJ

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

R 25

등급 저항

5.0

kΩ

δR/R

오차 of R 100

T C = 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

전력

소산

20.0

mW

B 25/50

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/80 1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/100 1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로

1.10

mΩ

R thJC

부문별 (IGB당) T)

커스 (D) 에 대한 연결 오드)

0.069

0.108

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT)

케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드)

케이스-열기 싱크장 (M당) 오두엘)

0.030

0.046

0.009

K/W

M

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 스크루브 M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

무게 of 모듈

350

g