GD400HTX120P4SA, IGBT 모듈, STARPOWER

상징

설명

값

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I CN

구현된 집합기 Cu 임대료

400

A

I C

콜렉터 전류 @ T 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =25 o C @ T 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =75 o C

400

300

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t p =1ms

800

A

P D

최대 전력 분산 @ T j =175 o C

1500

W

상징

설명

값

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

V

I FN

전방 Cu 구현 임대료

400

A

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

300

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms

800

A

상징

설명

값

UNIT

T jmax

최대 분기 온도

175

o C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

V Iso

격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분

2500

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C = 300A,V GE =15V, T j =25 o C

1.50

1.95

V

I C = 300A,V GE =15V, T j =125 o C

1.60

I C = 300A,V GE =15V, T j =150 o C

1.65

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =16.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.3

5.8

6.3

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항

0.5

ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

41.4

nF

C res

역전환 용량

1.16

nF

Q G

게이트 요금

V GE =15V

3.11

μC

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =500V,I C =300A, R G =1.5Ω,V GE =±15V, LS =25 nH ,T j =25 o C

74

nS

t r

상승 시간

31

nS

t d(off)

그림 지연 시간

352

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

255

nS

E 에

켜 Switching 손실

4.01

mJ

E 끄다

그림 전환 손실

22.9

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =500V,I C =300A, R G =1.5Ω,V GE =±15V, Ls=25nH,T j =125 o C

81

nS

t r

상승 시간

34

nS

t d(off)

그림 지연 시간

411

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

397

nS

E 에

켜 Switching 손실

7.40

mJ

E 끄다

그림 전환 손실

32.2

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =500V,I C =300A, R G =1.5Ω,V GE =±15V, Ls=25nH,T j =150 o C

82

nS

t r

상승 시간

36

nS

t d(off)

그림 지연 시간

425

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

434

nS

E 에

켜 Switching 손실

8.90

mJ

E 끄다

그림 전환 손실

35.2

mJ

I SC

SC 데이터

t P ≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150 o C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

1600

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

다이오드 앞 전압

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 = 300A,V GE =0V,T j =25 o C

1.70

2.15

V

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 = 300A,V GE =0V,T j =1 25o C

1.70

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 = 300A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.70

Q r

회복 전하

V R =500V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =300A,

-di⁄dt=10600A⁄μs,V GE =-15V Ls=25nH,T j =25 o C

15.0

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

391

A

E rec

역회복 에너지

9.40

mJ

Q r

회복 전하

V R =500V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =300A,

-di⁄dt=9600A⁄μs,V GE =-15V Ls=25nH,T j =125 o C

24.0

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

457

A

E rec

역회복 에너지

18.4

mJ

Q r

회복 전하

V R =500V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =300A,

-di/dt=9500A/μs,V GE =-15V Ls=25nH,T j =150 o C

29.0

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

488

A

E rec

역회복 에너지

23.2

mJ

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

R 25

등급 저항

5.0

kΩ

∆R/R

오차 of R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

전력

소산

20.0

mW

B 25/50

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

△ p

냉각 회로 압력 강하 쿠잇

△ V/ △ t=10.0 dm 3/분 ;T 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =25 o C ;냉각 유체=50% 물/50% 에틸렌 글리콜

100

마바르

p

냉각회로에서 최대 압력 쿠잇

2.5

바

L CE

방랑 인덕턴스

14

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로

0.80

mΩ

R thJF

교차점 -~까지 -냉각 액체로 세척하세요 (perIGBT ) 접합-냉각 유체 (per Di 오드)

0.100 0.125

K/W

M

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 나사 M6

2.5 3.0

5.0 6.0

N.M

G

무게 of 모듈

1250

g