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IGBT 모듈, 1200V 300A, 패키지:C2
간략한 소개
IGBT 모듈 ,생산자 STARPOWER . 1200V 300A.
기능
전형적 응용
절대 최대 등급 T 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =25 o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
IGBT
| 상징 | 설명 | 가치 | UNIT | 
| V CES | 컬렉터-이미터 전압 | 1200 | V | 
| V GES | 게이트-이미터 전압 | ±20 | V | 
| I C | 콜렉터 전류 @ T C =25 o C @ T C =95 o C | 452 300 | A | 
| I 센티미터 | 펄스 콜렉터 전류 t p =1ms | 600 | A | 
| P D | 최대 전력 분산 @ T vj =175 o C | 1724 | W | 
다이오드
| 상징 | 설명 | 가치 | UNIT | 
| V RRM | 반복적 피크 역전압 연령 | 1200 | V | 
| I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 | 다이오드 연속 정방향 Cu 임대료 | 300 | A | 
| I Fm | 다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms | 600 | A | 
모듈
| 상징 | 설명 | 값 | UNIT | 
| T vjmax | 최대 분기 온도 | 175 | o C | 
| T vjop | 작동점 온도 | -40에서 +150 | o C | 
| T STG | 보관 온도 범위 | -40에서 +125 | o C | 
| V Iso | 격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분 | 2500 | V | 
IGBT 특성 T C =25 o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
| 상징 | 매개변수 | 시험 조건 | 최소. | 전형적인. | 최대. | UNIT | 
| 
 
 V CE (sat) | 
 
 수집자로부터 발산자 포화전압 | I C = 300A,V GE =15V, T vj =25 o C | 
 | 1.85 | 2.30 | 
 
 V | 
| I C = 300A,V GE =15V, T vj =125 o C | 
 | 2.25 | 
 | |||
| I C = 300A,V GE =15V, T vj =150 o C | 
 | 2.35 | 
 | |||
| V GE (번째 ) | 게이트 발산자 문 전압 | I C =7.50 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C | 5.2 | 6.0 | 6.8 | V | 
| I CES | 수집가 절단 -끄다 전류 | V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C | 
 | 
 | 1.0 | mA | 
| I GES | 게이트 발사자 누출 전류 | V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C | 
 | 
 | 400 | 부적절함 | 
| R Gint | 내부 게이트 저항 ance | 
 | 
 | 2.5 | 
 | ω | 
| C ies | 입력 용량 | V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V | 
 | 31.1 | 
 | nF | 
| C res | 역전환 용량 | 
 | 0.87 | 
 | nF | |
| Q G | 게이트 요금 | V GE =-15...+15V | 
 | 2.33 | 
 | μC | 
| t d (에 ) | 턴온 지연 시간 | 
 
 V CC =600V,I C =300A, R G =1.6Ω, Ls=45nH, V GE =±15V,T vj =25 o C | 
 | 200 | 
 | nS | 
| t r | 상승 시간 | 
 | 47 | 
 | nS | |
| t d(off) | 그림 지연 시간 | 
 | 245 | 
 | nS | |
| t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 | 하강 시간 | 
 | 65 | 
 | nS | |
| E 에 | 켜 Switching 손실 | 
 | 20.8 | 
 | mJ | |
| E 끄다 | 그림 전환 손실 | 
 | 9.15 | 
 | mJ | |
| t d (에 ) | 턴온 지연 시간 | 
 
 V CC =600V,I C =300A, R G =1.6Ω, Ls=45nH, V GE =±15V,T vj =125 o C | 
 | 206 | 
 | nS | 
| t r | 상승 시간 | 
 | 49 | 
 | nS | |
| t d(off) | 그림 지연 시간 | 
 | 280 | 
 | nS | |
| t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 | 하강 시간 | 
 | 94 | 
 | nS | |
| E 에 | 켜 Switching 손실 | 
 | 29.9 | 
 | mJ | |
| E 끄다 | 그림 전환 손실 | 
 | 12.5 | 
 | mJ | |
| t d (에 ) | 턴온 지연 시간 | 
 
 V CC =600V,I C =300A, R G =1.6Ω, Ls=45nH, V GE =±15V,T vj =150 o C | 
 | 209 | 
 | nS | 
| t r | 상승 시간 | 
 | 51 | 
 | nS | |
| t d(off) | 그림 지연 시간 | 
 | 295 | 
 | nS | |
| t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 | 하강 시간 | 
 | 105 | 
 | nS | |
| E 에 | 켜 Switching 손실 | 
 | 35.1 | 
 | mJ | |
| E 끄다 | 그림 전환 손실 | 
 | 13.6 | 
 | mJ | |
| 
 I SC | 
 SC 데이터 | t P ≤10μs, V GE =15V, T vj =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V | 
 | 
 1200 | 
 | 
 A | 
다이오드 특성 T C =25 o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
| 상징 | 매개변수 | 시험 조건 | 최소. | 전형적인. | 최대. | 유닛 | 
| 
 V 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 | 다이오드 앞 전압 | I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 = 300A,V GE =0V,T vj =2 5o C | 
 | 1.85 | 2.30 | 
 V | 
| I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 = 300A,V GE =0V,T vj =125 o C | 
 | 1.90 | 
 | |||
| I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 = 300A,V GE =0V,T vj =150 o C | 
 | 1.95 | 
 | |||
| Q r | 회복 충전 | 
 V R =600V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =300A, -di/dt=5570A/μs, V GE =-15V, LS =45 nH ,T vj =25 o C | 
 | 28.2 | 
 | μC | 
| I RM | 피크 역전 회복 전류 | 
 | 287 | 
 | A | |
| E rec | 역회복 에너지 | 
 | 8.81 | 
 | mJ | |
| Q r | 회복 충전 | 
 V R =600V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =300A, -di/dt=4930A/μs,V GE =-15V, LS =45 nH ,T vj =125 o C | 
 | 44.3 | 
 | μC | 
| I RM | 피크 역전 회복 전류 | 
 | 295 | 
 | A | |
| E rec | 역회복 에너지 | 
 | 14.3 | 
 | mJ | |
| Q r | 회복 충전 | 
 V R =600V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =300A, -di/dt=4580A/μs,V GE =-15V, LS =45 nH ,T vj =150 o C | 
 | 50.2 | 
 | μC | 
| I RM | 피크 역전 회복 전류 | 
 | 300 | 
 | A | |
| E rec | 역회복 에너지 | 
 | 16.0 | 
 | mJ | 
모듈 특성 T C =25 o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
| 상징 | 매개변수 | 최소. | 전형적인. | 최대. | UNIT | 
| L CE | 방랑 인덕턴스 | 
 | 
 | 20 | nH | 
| R CC+EE | 모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지 | 
 | 0.35 | 
 | mΩ | 
| R thJC | 교차점 -~까지 -사례 (perIGBT ) 부대와 부대 (D당) 요오드) | 
 | 
 | 0.087 0.153 | K/W | 
| 
 R thCH | 케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드) 케이스-열기 싱크장 (M당) 오두엘) | 
 | 0.031 0.055 0.010 | 
 | K/W | 
| M | 단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 나사 M6 | 2.5 3.0 | 
 | 5.0 5.0 | N.M | 
| G | 무게 of 모듈 | 
 | 300 | 
 | g | 


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