모든 카테고리
견적 요청

무료 견적 받기

담당자가 곧 연락드리겠습니다.
이메일
이름
회사명
메시지
0/1000

IGBT 모듈 1200V

IGBT 모듈 1200V

홈페이지/제품/IGBT 모듈/IGBT 모듈 1200V

GD300HFQ120C2SD, IGBT 모듈, STARPOWER

IGBT 모듈, 1200V 300A, 패키지:C2

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300HFQ120C2SD
  • 소개
  • 개요
  • 등가 회로 도식
소개

간략한 소개

IGBT 모듈 ,생산자 STARPOWER .1200V 300A.

기능

  • 낮은 VCE (위성) 트렌치 IGBT 기술
  • 10μs 단회로 능력
  • VCE(sat) 와 함께 양성 온도 계수
  • 최대 접합 온도 175oC
  • 낮은 인덕턴스 케이스
  • 빠른 & 부드러운 역 회수 반 병렬 FWD
  • DBC 기술을 이용한 고립된 구리 기판

전형적 응용

  • 스위치 모드 전원 공급
  • 인덕션 난방
  • 전자 용접기

절대 최대 등급 T F =25o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

IGBT

상징

설명

가치

단위

볼트 CES

컬렉터-이미터 전압

1200

볼트

볼트 GES

게이트-이미터 전압

±20

볼트

C

콜렉터 전류 @ T C=25o C@ T C=95o C

452

300

A

Cm

펄스 콜렉터 전류 t p =1ms

600

A

PD

최대 전력 분산 @ T vj =175o C

1724

W

다이오드

상징

설명

가치

단위

볼트 RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

볼트

F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

300

A

Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms

600

A

모듈

상징

설명

단위

T vjmax

최대 분기 온도

175

o C

T vjop

작동점 온도

-40에서 +150

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

볼트 ISO

격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분

2500

볼트

IGBT 특성 T C=25o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

C= 300A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.30

볼트

C= 300A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

C= 300A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

볼트 GE (th)

게이트 발산자 문 전압

C=7.50mA ,볼트 CE =볼트 GE , T vj =25o C

5.2

6.0

6.8

볼트

CES

수집가 절단 -끄다 현재

볼트 CE =볼트 CES ,볼트 GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

GES

게이트 발사자 누출 현재

볼트 GE =볼트 GES ,볼트 CE =0V, T vj =25o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

2.5

ω

Cies

입력 용량

볼트 CE =25V,f=1Mhz, 볼트 GE =0V

31.1

nF

Cres

역전환 용량

0.87

nF

문의

게이트 요금

볼트 GE =-15...+15V

2.33

μC

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=300A, R =1.6Ω, Ls=45nH, 볼트 GE =±15V,T vj =25o C

200

nS

t r

상승 시간

47

nS

t d(off)

그림 지연 시간

245

nS

t f

하강 시간

65

nS

E켜짐

전환 손실

20.8

mJ

E끄다

그림 전환 손실

9.15

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=300A, R =1.6Ω, Ls=45nH, 볼트 GE =±15V,T vj =125o C

206

nS

t r

상승 시간

49

nS

t d(off)

그림 지연 시간

280

nS

t f

하강 시간

94

nS

E켜짐

전환 손실

29.9

mJ

E끄다

그림 전환 손실

12.5

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=300A, R =1.6Ω, Ls=45nH, 볼트 GE =±15V,T vj =150o C

209

nS

t r

상승 시간

51

nS

t d(off)

그림 지연 시간

295

nS

t f

하강 시간

105

nS

E켜짐

전환 손실

35.1

mJ

E끄다

그림 전환 손실

13.6

mJ

SC

SC 데이터

t P≤10μs, 볼트 GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, 볼트 CEM ≤1200V

1200

A

다이오드 특성 T C=25o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

볼트 F

다이오드 앞 전압

F = 300A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

볼트

F = 300A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

F = 300A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

문의 r

회복 충전

볼트 R =600V,I F =300A,

-di/dt=5570A/μs, V GE =-15V, LS =45nH ,T vj =25o C

28.2

μC

RM

피크 역전

회복 전류

287

A

Erec

역회복 에너지

8.81

mJ

문의 r

회복 충전

볼트 R =600V,I F =300A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-15V, LS =45nH ,T vj =125o C

44.3

μC

RM

피크 역전

회복 전류

295

A

Erec

역회복 에너지

14.3

mJ

문의 r

회복 충전

볼트 R =600V,I F =300A,

-di/dt=4580A/μs,V GE =-15V, LS =45nH ,T vj =150o C

50.2

μC

RM

피크 역전

회복 전류

300

A

Erec

역회복 에너지

16.0

mJ

모듈 특성 T C=25o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징

사양

최소.

전형적인.

최대.

단위

LCE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지

0.35

R thJC

교차점 -~까지 -사례 (perIGBT ) 부대와 부대 (D당) 요오드)

0.087 0.153

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드) 케이스-열기 싱크장 (M당) 오두엘)

0.031 0.055 0.010

K/W

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 나사 M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

무게 모듈

300

개요

image(c3756b8d25).png

등가 회로 도식

무료 견적 받기

담당자가 곧 연락드리겠습니다.
이메일
이름
회사명
메시지
0/1000

관련 제품

제품에 대한 질문이 있나요?

전문 영업팀이 귀하의 문의를 기다리고 있습니다.
제품 목록을 따라가면 관심 있는 질문을 할 수 있습니다.

견적 요청

무료 견적 받기

담당자가 곧 연락드리겠습니다.
이메일
이름
회사명
메시지
0/1000

무료 견적 받기

담당자가 곧 연락드리겠습니다.
이메일
이름
회사명
메시지
0/1000