GD900SGU120C3SN,IGBT Модулі,STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C

@ Т C=80o C

1350

900

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

1800

A

PD

Максималды қуаттылық ж =150o C

7.40

кВт

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

V

IF

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

900

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

1800

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

150

o C

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t= 1 минут

4000

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

IC= 800А,В ГЭ =15В, T ж =25o C

2.90

3.35

V

IC= 800А,В ГЭ =15В, T ж =125o C

3.60

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC= 16,0 мА,В CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.0

6.1

7.0

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған

Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В,

T ж =25o C

5.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

53.1

нФ

Cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

3.40

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

8.56

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=800А, R G= 1.3Ω,

V ГЭ =±15В, T ж =25o C

90

н

t r

Күтерілу уақыты

81

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

500

н

t f

Күз мезгілі

55

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

36.8

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

41.3

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=800А, R G= 1.3Ω,

V ГЭ =±15В, T ж = 125o C

115

н

t r

Күтерілу уақыты

92

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

550

н

t f

Күз мезгілі

66

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

52.5

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

59.4

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

T ж =125o C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

5200

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

IF = 800А,В ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.95

2.40

V

IF = 800А,В ГЭ =0В,Т ж = 125o C

1.95

Qr

Алынған айыппұл

V CC =900V,I F =800А,

-di/dt=9500A/μs,V ГЭ =±15В, T ж =25o C

56

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

550

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

38.7

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V CC =900V,I F =800А,

-di/dt=9500A/μs,V ГЭ =±15В, T ж = 125o C

148

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

920

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

91.8

мЖ

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

12

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.19

mΩ

R θ ЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Құрамына байланысты (D-ға) йод)

16.9

26.2

K/kW

R θ CS

Қаптамадан суға құюға (IGBT бойынша)

Қаптамадан суға құюға (диод бойынша)

19.7

30.6

K/kW

R θ CS

Қаптамадан суға құюға

6.0

K/kW

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М4 бұрандасы Жабықтыру басымдарының Момент, М8 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

1500

g