MTx800 MFx800 MT800, Тиристор/Диод модулары, Ауа жылыту

VRRM,VDRM

Түрі & Сызба

600В

MTx800-06-410F3

MFx800-06-410F3

800V

MTx800-08-410F3

MFx800-08-410F3

1000В

MTx800-10-410F3

MFx800-10-410F3

1200В

MTx800-12-410F3

MFx800-12-410F3

1400V

MTx800-14-410F3

MFx800-14-410F3

1800V

MTx800-16-410F3

MFx800-16-410F3

1800V

MTx800-18-410F3

MFx800-18-410F3

1800V

MT800-18-410F3G

Символ

Сипаттама

Сынақ шарттары

Tj( ℃)

Мәні

Бірлік

МИН

Түрі

Макс

IT(AV)

Орташа қосу күйіндегі ток

180°жартылай синусоидалық 50Hz

Бір жақты салқындатылған, TC=70 ℃

125

800

A

IT(RMS)

RMS қосу күйіндегі ток

1256

A

Ірррр

Қайталау шыңы ағым

vDRM және VRRM кезінде

125

45

mА

ITSM

Пик қосу күйіндегі ток

VR=60%VRRM,t=10ms жартылай синус,

125

22.0

kA

I2t

Фузия координациясы үшін I2t

125

2420

103A2s

VTO

Төменгі кернеу

125

0.80

V

rT

Қосу күйіндегі көлбеу кедергі

0.24

mΩ

VTM

Пик қосу күйіндегі кернеу

ITM=2400A

25

1.68

V

dv/dt

Өшіру күйіндегі кернеудің критикалық өсу жылдамдығы

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Ағымдағы ағымның жоғарылауының критикалық жылдамдығы

Қақпа көзі 1.5A

tr ≤0.5μs Қайталау

125

200

А/μс

IGT

Қақпа триггерлік тока

VA=12V, IA=1A

25

30

200

mА

Vgt

Қақпа триггерлік кернеу

0.8

3.0

V

IH

Ұстап тұратын ток

10

200

mА

IL

Латчинг ток

1500

mА

VGD

Триггерленбеген қақпа кернеуі

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Термиялық кедергі Джункиядан корпусқа

Әр чип үшін бір жақты салқындатылған

0.048

℃)/W

Rth(c-h)

Жылу кедергісі корпусқа дейін радиатор

Әр чип үшін бір жақты салқындатылған

0.020

℃)/W

VISO

Изоляция кернеуі

50Гц,R.M.S,t=1мин,Iiso:1мА(макс)

3000

V

Fm

Терминал қосылысының қозғалтқышы ((M12)

12.0

16.0

Н·м

Қондырғының қозғалыс моменті ((M8)

10.0

12.0

Н·м

TVj

Байланыс температурасы

-40

125

℃)

ТСТГ

Сақталған температура

-40

125

℃)

Wt

Салмағы

3310

г

Нысан

410F3