Қысқаша кіріспе 
IGBT модулі , STARPOWER компаниясымен өндірілген. 1200V 600A. 
Сипаттамалар 
- Төмен VCE (sat) Trench IGBT технологиясы 
- 10 мкм-ге қысқа тұтасу мүмкіндігі 
- Оң температура коэффициентi бар VCE (sat) 
- 
Максимум байланыс температурасы 175oC 
- Төмен индуктивтілік корпусы 
- Жедел және жұмсақ кері қалпына келтіру-бағыттас қарсы FWD 
- DBC технологиясын қолданатын оқшауланған мыс негіз пластинасы 
Үлгілік  Қолданбалар 
- 
Гибридті және электр  жәнде автокөлік 
- 
Моторға арналған инвертор  d рев 
- 
Тоқтатылмас қуат r  таяу 
Абсолютті  Максимум  Рейтингтер  T   Ц =25 o   Ц  егер  каланын  белгіленген 
 
IGBT 
 
| Символ  | Сипаттама  | Мәні  | Бірлік  | 
| V CES  | Жинағыш-эмиттер кернеуі  | 1200 | V  | 
| V ГЭС  | Қақпа-эмиттер кернеуі  | ±20  | V  | 
| I Ц  | Коллектор токы @ T Ц =25 o   Ц  @ Т Ц =  100o   Ц  | 1090 600 | А  | 
| I CM  | Импульсны коллектор токы t p =1 мс  | 1200 | А  | 
| P D  | Максималды қуаттылық ж =175 o   Ц  | 3947 | W  | 
Диод 
 
| Символ  | Сипаттама  | Мәні  | Бірлік  | 
| V РРМ  | Қайталанатын ең жоғары кері кернеу  | 1200 | V  | 
| I F  | Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу  | 600 | А  | 
| I Fm  | Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс  | 1200 | А  | 
Модуль 
 
| Символ  | Сипаттама  | Мәні  | Бірлік  | 
| T   jmax  | Жоғарғы түйісу температурасы  | 175 | o   Ц  | 
| T   жіп  | Жұмыс қиылысының температурасы  | -40-дан +150-ге дейін  | o   Ц  | 
| T   ЖТГ  | Сақтау температурасы Диапазон  | -40-дан +125-ге дейін  | o   Ц  | 
| V ISO    | Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 минуты  | 2500 | V  | 
 
IGBT  Характеристикалар  T   Ц =25 o   Ц  егер  каланын  белгіленген 
 
| Символ  | Параметр  | Сынақ шарттары  | Мин.  | Тип.  | Макс.  | Бірлік  | 
|     V (Солтүстік Қазақстан)  |     Жинақтаушыдан эмитентке  Қанығу кернеуі  | I Ц =600A,V ГЭ =15В,  T   ж =25 o   Ц  |   | 1.70 | 2.15 |     V  | 
| I Ц =600A,V ГЭ =15В,  T   ж =125 o   Ц  |   | 1.90 |   | 
| I Ц =600A,V ГЭ =15В,  T   ж =150 o   Ц  |   | 1.95 |   | 
| V ГЭ (th   ) | Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері  Кернеу    | I Ц = 24,0 mА ,V CE = V ГЭ , T   ж =25 o   Ц  | 5.2 | 5.8 | 6.4 | V  | 
| I CES  | Жинақтаушы  Жібек -Ашылған  Жүк  | V CE = V CES ,V ГЭ =0В,  T   ж =25 o   Ц  |   |   | 1.0 | mА  | 
| I ГЭС  | Қақпа-эмиттердің сынуы  Жүк  | V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T   ж =25 o   Ц  |   |   | 400 | nA  | 
| R Гинт  | Ішкі қақпаның кедергісі лық  |   |   | 0.7 |   | ω  | 
| Ц лар  | Кіріс сыйымдылығы  | V CE =25В,f=1Мхц,  V ГЭ =0В  |   | 62.1 |   | нФ  | 
| Ц ре  | Кері ауыстыру  Қуаттылық  |   | 1.74 |   | нФ  | 
| Q G  | Қақпалық төлем  | V ГЭ =-  15...+15В  |   | 4.62 |   | μC  | 
| t   d (қОСУЛЫ ) | Қалпына келтіру кешіктіру уақыты  |     V CC = 600В,I Ц =600А,   R G =1.5Ω,V ГЭ =±15В,  T   ж =25 o   Ц  |   | 136 |   | н  | 
| t   r  | Күтерілу уақыты  |   | 77 |   | н  | 
| t   d (ашылған ) | Бұғаттау  Кешіру уақыты  |   | 494 |   | н  | 
| t   f  | Күз мезгілі  |   | 72 |   | н  | 
| E қОСУЛЫ  | Қалпына келтіру  Ауысу  Жоғалту  |   | 53.1 |   | мЖ  | 
| E ашылған  | Оқиғаның орнын ауыстыру  Жоғалту  |   | 48.4 |   | мЖ  | 
| t   d (қОСУЛЫ ) | Қалпына келтіру кешіктіру уақыты  |     V CC = 600В,I Ц =600А,   R G =1.5Ω,V ГЭ =±15В,  T   ж =125 o   Ц  |   | 179 |   | н  | 
| t   r  | Күтерілу уақыты  |   | 77 |   | н  | 
| t   d (ашылған ) | Бұғаттау  Кешіру уақыты  |   | 628 |   | н  | 
| t   f  | Күз мезгілі  |   | 113 |   | н  | 
| E қОСУЛЫ  | Қалпына келтіру  Ауысу  Жоғалту  |   | 70.6 |   | мЖ  | 
| E ашылған  | Оқиғаның орнын ауыстыру  Жоғалту  |   | 74.2 |   | мЖ  | 
| t   d (қОСУЛЫ ) | Қалпына келтіру кешіктіру уақыты  |     V CC = 600В,I Ц =600А,   R G =1.5Ω,V ГЭ =±15В,  T   ж =150 o   Ц  |   | 179 |   | н  | 
| t   r  | Күтерілу уақыты  |   | 85 |   | н  | 
| t   d (ашылған ) | Бұғаттау  Кешіру уақыты  |   | 670 |   | н  | 
| t   f  | Күз мезгілі  |   | 124 |   | н  | 
| E қОСУЛЫ  | Қалпына келтіру  Ауысу  Жоғалту  |   | 76.5 |   | мЖ  | 
| E ашылған  | Оқиғаның орнын ауыстыру  Жоғалту  |   | 81.9 |   | мЖ  | 
|   I SC  |   SC деректері  | t   P ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,  T   ж =150 o   C,V CC =800V,  V КЕМ ≤ 1200В  |   |   2400 |   |   А  | 
Диод  Характеристикалар  T   Ц =25 o   Ц  егер  каланын  белгіленген 
 
| Символ  | Параметр  | Сынақ шарттары  | Мин.  | Тип.  | Макс.  | Бірлік  | 
|   V F  | Алға қарай диод  Кернеу    | I F =600A,V ГЭ =0В,Т ж =25 o   Ц  |   | 1.95 | 2.40 |   V  | 
| I F =600A,V ГЭ =0В,Т ж =125 o   Ц  |   | 2.05 |   | 
| I F =600A,V ГЭ =0В,Т ж =150 o   Ц  |   | 2.10 |   | 
| Q r  | Алынған айыппұл  |   V CC = 600В,I F =600А,  -di/dt=4300A/μs,V ГЭ =-  15В, T   ж =25 o   Ц  |   | 58.9 |   | μC  | 
| I RM  | Төменгі деңгейдің кері  Қайта қалпына келтіру тогы  |   | 276 |   | А  | 
| E рек  | Қайта қалпына келтіру Энергия  |   | 20.9 |   | мЖ  | 
| Q r  | Алынған айыппұл  |   V CC = 600В,I F =600А,  -di/dt=4300A/μs,V ГЭ =-  15В, T   ж =125 o   Ц  |   | 109 |   | μC  | 
| I RM  | Төменгі деңгейдің кері  Қайта қалпына келтіру тогы  |   | 399 |   | А  | 
| E рек  | Қайта қалпына келтіру Энергия  |   | 41.8 |   | мЖ  | 
| Q r  | Алынған айыппұл  |   V CC = 600В,I F =600А,  -di/dt=4300A/μs,V ГЭ =-  15В, T   ж =150 o   Ц  |   | 124 |   | μC  | 
| I RM  | Төменгі деңгейдің кері  Қайта қалпына келтіру тогы  |   | 428 |   | А  | 
| E рек  | Қайта қалпына келтіру Энергия  |   | 48.5 |   | мЖ  | 
 
НТК  Характеристикалар  T   Ц =25 o   Ц  егер  каланын  белгіленген 
 
| Символ  | Параметр  | Сынақ шарттары  | Мин.  | Тип.  | Макс.  | Бірлік  | 
| R 25 | Атаулы кедергі  |   |   | 5.0 |   | kΩ  | 
| δR/R  | Ауыспалы  туралы  R 100 | T   Ц =  100 o   C,R 100= 493,3Ω  | -5 |   | 5 | % | 
| P 25 | Күш  Диссипация  |   |   |   | 20.0 | мW  | 
| Б 25/50  | B-құндылығы  | R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2- 1 / 298.15K))]  |   | 3375 |   | К  | 
| Б 25/80  | B-құндылығы  | R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2- 1 / 298.15K))]  |   | 3411 |   | К  | 
| Б 25/100  | B-құндылығы  | R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2- 1 / 298.15K))]  |   | 3433 |   | К  | 
 
Модуль  Характеристикалар  T   Ц =25 o   Ц  егер  каланын  белгіленген 
 
| Символ  | Параметр  | Мин.  | Тип.  | Макс.  | Бірлік  | 
| R тЖК  | Қатысу (IGB бойынша) Т)  Құрамына байланысты (D-ға) йод)  |   |   | 0.038 0.066 | К/W  | 
|   R тХ  | Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)  Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode)  Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)  |   | 0.028 0.049 0.009 |   | К/W  | 
| М  | Терминал қосылымның қозғалыс моменті,  М6 бұрандасы  Монументтік момент,  Болт M5  | 3.0 3.0 |   | 6.0 6.0 | Н.М  | 
| G  | Салмағы  туралы  Модуль  |   | 350 |   | g  |