GD900HFA120C6S,IGBT модулі,STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=90o C

900

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

1800

A

PD

Максималды қуаттылық ж =175o C

3409

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

IF

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

900

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

1800

A

IFSM

Алға серпін беретін ток t p =10ms @ T ж =25o C @ Т ж =150o C

4100

3000

A

I2t

I2t-мәні,t p =10мс @ T ж =25o C

@ Т ж =150o C

84000

45000

A2с

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

2500

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

IC=900A,V ГЭ =15В, T ж =25o C

1.40

1.85

V

IC=900A,V ГЭ =15В, T ж =125o C

1.60

IC=900A,V ГЭ =15В, T ж =175o C

1.65

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=24.0mА ,V CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.5

6.3

7.0

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған

Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В,

T ж =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

0.5

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В

51.5

нФ

Cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

0.36

нФ

С G

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

13.6

μC

t d (қосулы )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=900A, R G=0.51Ω, L С =40nH, V ГЭ =-8V/+15V,

T ж =25o C

330

н

t r

Күтерілу уақыты

140

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

842

н

t f

Күз мезгілі

84

н

Eқосулы

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

144

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

87.8

мЖ

t d (қосулы )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=900A, R G=0.51Ω, L С =40nH, V ГЭ =-8V/+15V,

T ж =125o C

373

н

t r

Күтерілу уақыты

155

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

915

н

t f

Күз мезгілі

135

н

Eқосулы

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

186

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

104

мЖ

t d (қосулы )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=900A, R G=0.51Ω, L С =40nH, V ГЭ =-8V/+15V,

T ж =175o C

390

н

t r

Күтерілу уақыты

172

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

950

н

t f

Күз мезгілі

162

н

Eқосулы

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

209

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

114

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤8μs,V ГЭ =15В,

T ж =150o C,V CC =800V, V КЕМ ≤1200В

3200

A

t P≤6μs,V ГЭ =15В,

T ж =175o C,V CC =800V, V КЕМ ≤1200В

3000

A

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

IF =900A,V ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.55

2.00

V

IF =900A,V ГЭ =0В,Т ж =125o C

1.65

IF =900A,V ГЭ =0В,Т ж =175o C

1.55

С r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V ГЭ =-8V, LС =40nH ,T ж =25o C

91.0

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

441

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

26.3

мЖ

С r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V ГЭ =-8V, LС =40nH ,T ж =125o C

141

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

493

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

42.5

мЖ

С r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V ГЭ =-8V, LС =40nH ,T ж =175o C

174

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

536

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

52.4

мЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

T C=100 o Cр 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/501/Т 2—

1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/801/Т 2—

1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/1001/Т 2—

1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.80

mΩ

R тЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.044

0.076

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Корпус-радиатор (pe r Диод)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.028

0.049

0.009

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, Болт M5

3.0

3.0

6.0

6.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

350

g