GD450HFY120C6S,IGBT Модулі,STARPOWER

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 o Ц

@ Т Ц = 100o Ц

680

450

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

900

А

P D

Максималды қуаттылық ж =175 o Ц

2173

W

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

450

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

900

А

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o Ц

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o Ц

T ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

o Ц

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 минуты

2500

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц = 450А,В ГЭ =15В, T ж =25 o Ц

1.70

2.15

V

I Ц = 450А,В ГЭ =15В, T ж =125 o Ц

1.95

I Ц = 450А,В ГЭ =15В, T ж =150 o Ц

2.00

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц = 11.3mA,V CE =V ГЭ ,T ж =25 o Ц

5.2

5.8

6.4

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В,

T ж =25 o Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25 o Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

0.7

ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

46.6

нФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

1.31

нФ

Q G

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

3.50

μC

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =450А, R G = 1.3Ω,

V ГЭ =±15В, T ж =25 o Ц

203

н

t r

Күтерілу уақыты

64

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

491

н

t f

Күз мезгілі

79

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

16.1

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

38.0

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =450А, R G = 1.3Ω,

V ГЭ =±15В, T ж = 125o Ц

235

н

t r

Күтерілу уақыты

75

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

581

н

t f

Күз мезгілі

109

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

27.8

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

55.5

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =450А, R G = 1.3Ω,

V ГЭ =±15В, T ж = 150o Ц

235

н

t r

Күтерілу уақыты

75

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

621

н

t f

Күз мезгілі

119

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

30.5

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

61.5

мЖ

I SC

SC деректері

t P ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

T ж =150 o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

1800

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F = 450А,В ГЭ =0В,Т ж =25 o Ц

1.65

2.10

V

I F = 450А,В ГЭ =0В,Т ж = 125o Ц

1.65

I F = 450А,В ГЭ =0В,Т ж = 150o Ц

1.65

Q r

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =450А,

-di/dt=6600A/μs,V ГЭ =- 15В, T ж =25 o Ц

46

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

428

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

25.2

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =450А,

-di/dt=6600A/μs,V ГЭ =- 15В, T ж = 125o Ц

87

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

523

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

46.1

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =450А,

-di/dt=6600A/μs,V ГЭ =- 15В, T ж = 150o Ц

100

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

546

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

52.3

мЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

δR/R

Ауыспалы туралы R 100

T Ц = 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2-

1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2-

1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2-

1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

1.10

mΩ

R тЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.069

0.108

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Корпус-радиатор (pe r Диод)

Корпус-радиатор (per M одуль)

0.030 0.046 0.009

К/W

М

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, Болт M5

3.0

3.0

6.0

6.0

Н.М

G

Салмақ туралы Модуль

350

g