GD450HFY120C2S,IGBT Модулі,STARPOWER

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 o Ц

@ Т Ц = 100o Ц

680

450

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

900

А

P D

Максималды қуаттылық =175 o Ц

2173

W

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

450

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

900

А

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o Ц

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o Ц

T ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

o Ц

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 минуты

4000

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц = 450А,В ГЭ =15В, T ж =25 o Ц

1.70

2.05

V

I Ц = 450А,В ГЭ =15В, T ж =125 o Ц

1.95

I Ц = 450А,В ГЭ =15В, T ж =150 o Ц

2.00

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц = 11,3 mА ,V CE = V ГЭ , T ж =25 o Ц

5.2

6.0

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В,

T ж =25 o Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25 o Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

1.7

ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

46.6

нФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

1.31

нФ

Q G

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

3.50

μC

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =450А, R G =1.5Ω,

V ГЭ =±15В, T ж =25 o Ц

328

н

t r

Күтерілу уақыты

76

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

539

н

t f

Күз мезгілі

108

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

19.5

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

46.6

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =450А, R G =1.5Ω,

V ГЭ =±15В, T ж =125 o Ц

376

н

t r

Күтерілу уақыты

86

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

595

н

t f

Күз мезгілі

214

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

36.3

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

53.5

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =450А, R G =1.5Ω,

V ГЭ =±15В, T ж =150 o Ц

380

н

t r

Күтерілу уақыты

89

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

608

н

t f

Күз мезгілі

232

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

41.7

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

55.5

мЖ

I SC

SC деректері

t P ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

T ж =150 o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

1800

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F = 450А,В ГЭ =0В,Т ж =25 o Ц

1.65

2.10

V

I F = 450А,В ГЭ =0В,Т ж =125 o Ц

1.65

I F = 450А,В ГЭ =0В,Т ж =150 o Ц

1.65

Q r

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =450А,

-di/dt=4370A/μs,V ГЭ =- 15В, T ж =25 o Ц

29.4

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

275

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

13.2

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =450А,

-di/dt=4370A/μs,V ГЭ =- 15В, T ж =125 o Ц

68.8

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

342

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

31.6

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =450А,

-di/dt=4370A/μs,V ГЭ =- 15В, T ж =150 o Ц

79.6

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

354

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

35.8

мЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі nce, Терминалдан Чипке

0.35

mΩ

R тЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.069

0.108

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.033

0.051

0.010

К/W

М

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g