GD200MLY120C2S,3-деңгейлік ,IGBT Модуль,STARPOWER

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 o Ц

@ Т Ц = 100o Ц

337

200

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

400

А

P D

Максималды қуаттылық ж =175 o Ц

1162

W

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

200

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

400

А

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

200

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

400

А

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o Ц

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o Ц

T ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

o Ц

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 минуты

2500

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц =200A,V ГЭ =15В, T ж =25 o Ц

1.70

2.15

V

I Ц =200A,V ГЭ =15В, T ж =125 o Ц

1.95

I Ц =200A,V ГЭ =15В, T ж =150 o Ц

2.00

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =5.0 mА ,V CE = V ГЭ , T ж =25 o Ц

5.2

6.0

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В,

T ж =25 o Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25 o Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

4.0

ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

20.7

нФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

0.58

нФ

Q G

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

1.55

μC

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =200A, R G = 1. 1Ω,V ГЭ =±15В, T ж =25 o Ц

150

н

t r

Күтерілу уақыты

32

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

330

н

t f

Күз мезгілі

93

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

11.2

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

11.3

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =200A, R G = 1. 1Ω,V ГЭ =±15В, T ж = 125o Ц

161

н

t r

Күтерілу уақыты

37

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

412

н

t f

Күз мезгілі

165

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

19.8

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

17.0

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =200A, R G = 1. 1Ω,V ГЭ =±15В, T ж = 150o Ц

161

н

t r

Күтерілу уақыты

43

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

433

н

t f

Күз мезгілі

185

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

21.9

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

19.1

мЖ

I SC

SC деректері

t P ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

T ж =150 o C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

800

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =200A,V ГЭ =0В,Т ж =25 o Ц

1.65

2.10

V

I F =200A,V ГЭ =0В,Т ж = 125o Ц

1.65

I F =200A,V ГЭ =0В,Т ж = 150o Ц

1.65

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =25 o Ц

17.6

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

228

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

7.7

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =125 o Ц

31.8

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

238

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

13.8

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =150 o Ц

36.6

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

247

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

15.2

мЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =200A,V ГЭ =0В,Т ж =25 o Ц

1.65

2.10

V

I F =200A,V ГЭ =0В,Т ж = 125o Ц

1.65

I F =200A,V ГЭ =0В,Т ж = 150o Ц

1.65

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =25 o Ц

17.6

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

228

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

7.7

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =125 o Ц

31.8

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

238

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

13.8

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =150 o Ц

36.6

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

247

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

15.2

мЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

δR/R

Ауыспалы туралы R 100

T Ц = 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2-

1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2-

1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2-

1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R тЖК

Жалама-қорығыш (әр T 1-T4 IGBT)

Жалама-қорығыш (әр D1-D4 Ди од)

Жалама-қорығыш (әр D5,D6 Дио de)

0.129

0.237

0.232

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр T1-T4 IGBT)

Қорығыш-жылықтық қорығыш (әр D1-D4 Диод)

Корпус-к радиатору (согласно D5,D6 Диод)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.073

0.134

0.131

0.010

К/W

М

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5

3.0

5.0

5.0

G

Салмағы туралы Модуль

340

g