GD200MLY120C2S,3-деңгейлік ,IGBT Модуль,STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C

@ Т C= 100o C

337

200

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

400

A

PD

Максималды қуаттылық ж =175o C

1162

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

V

IF

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

200

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

400

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

V

IF

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

200

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

400

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 мИН

2500

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

IC=200A,V ГЭ =15В, T ж =25o C

1.70

2.15

V

IC=200A,V ГЭ =15В, T ж =125o C

1.95

IC=200A,V ГЭ =15В, T ж =150o C

2.00

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=5.0mА ,V CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған

Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В,

T ж =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

4.0

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

20.7

нФ

Cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

0.58

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

1.55

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=200A, R G= 1. 1Ω,V ГЭ =±15В, T ж =25o C

150

н

t r

Күтерілу уақыты

32

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

330

н

t f

Күз мезгілі

93

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

11.2

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

11.3

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=200A, R G= 1. 1Ω,V ГЭ =±15В, T ж = 125o C

161

н

t r

Күтерілу уақыты

37

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

412

н

t f

Күз мезгілі

165

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

19.8

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

17.0

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=200A, R G= 1. 1Ω,V ГЭ =±15В, T ж = 150o C

161

н

t r

Күтерілу уақыты

43

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

433

н

t f

Күз мезгілі

185

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

21.9

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

19.1

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

T ж =150o C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

800

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

IF =200A,V ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.65

2.10

V

IF =200A,V ГЭ =0В,Т ж = 125o C

1.65

IF =200A,V ГЭ =0В,Т ж = 150o C

1.65

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =25o C

17.6

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

228

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

7.7

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =125o C

31.8

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

238

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

13.8

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =150o C

36.6

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

247

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

15.2

мЖ

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

IF =200A,V ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.65

2.10

V

IF =200A,V ГЭ =0В,Т ж = 125o C

1.65

IF =200A,V ГЭ =0В,Т ж = 150o C

1.65

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =25o C

17.6

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

228

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

7.7

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =125o C

31.8

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

238

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

13.8

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =150o C

36.6

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

247

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

15.2

мЖ

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

δR/R

Ауыспалы туралы R 100

T C= 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/501/Т 2—

1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/801/Т 2—

1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/1001/Т 2—

1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R тЖК

Жалама-қорығыш (әр T 1-T4 IGBT)

Жалама-қорығыш (әр D1-D4 Ди од)

Жалама-қорығыш (әр D5,D6 Дио de)

0.129

0.237

0.232

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр T1-T4 IGBT)

Қорығыш-жылықтық қорығыш (әр D1-D4 Диод)

Корпус-к радиатору (согласно D5,D6 Диод)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.073

0.134

0.131

0.010

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5

3.0

5.0

5.0

G

Салмағы туралы Модуль

340

g