GD450HFX120C2SA,IGBT Модулі,STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C @ T C=100o C

704

450

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

900

A

PD

Максималды қуаттылық vj =175o C

2307

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

450

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

900

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

2500

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC= 450А,В ГЭ =15В, T vj =25o C

1.70

2.15

V

IC= 450А,В ГЭ =15В, T vj =125o C

1.95

IC= 450А,В ГЭ =15В, T vj =150o C

2.00

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=18.0mА ,V CE =V ГЭ , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

0.7

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

46.6

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

1.31

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15...+15В

3.50

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=450А, R G=1.5Ω,V ГЭ =±15В, LS =45nH ,T vj =25o C

284

н

t r

Күтерілу уақыты

78

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

388

н

t f

Күз мезгілі

200

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

45.0

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

33.4

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=450А, R G=1.5Ω,V ГЭ =±15В, LS =45nH ,T vj =125o C

288

н

t r

Күтерілу уақыты

86

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

456

н

t f

Күз мезгілі

305

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

60.1

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

48.4

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=450А, R G=1.5Ω,V ГЭ =±15В, LS =45nH ,T vj =150o C

291

н

t r

Күтерілу уақыты

88

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

472

н

t f

Күз мезгілі

381

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

63.5

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

52.1

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T vj =150o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

1800

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF = 450А,В ГЭ =0В,Т vj =25o C

1.90

2.35

V

IF = 450А,В ГЭ =0В,Т vj =125o C

2.00

IF = 450А,В ГЭ =0В,Т vj =150o C

2.05

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =450А,

-ди/мс=4500А/мкс,В ГЭ =-15V, LS =45nH ,T vj =25o C

39.4

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

296

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

11.8

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =450А,

-ди/мс=4100А/мкс,В ГЭ =-15V, LS =45nH ,T vj =125o C

58.6

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

309

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

17.7

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =450А,

-ди/мс=4000А/мкс,В ГЭ =-15V, LS =45nH ,T vj =150o C

83.6

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

330

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

20.3

мЖ

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.35

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш —дейін —Қорап (perIGBT ) Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.065 0.119

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль)

0.031 0.057 0.010

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g