GD450HFX120C2SA,IGBT Модулі,STARPOWER

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 o C @ T Ц =100 o Ц

704

450

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

900

А

P D

Максималды қуаттылық vj =175 o Ц

2307

W

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

450

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

900

А

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

T vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o Ц

T vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o Ц

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o Ц

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

2500

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц = 450А,В ГЭ =15В, T vj =25 o Ц

1.70

2.15

V

I Ц = 450А,В ГЭ =15В, T vj =125 o Ц

1.95

I Ц = 450А,В ГЭ =15В, T vj =150 o Ц

2.00

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц = 18,0 mА ,V CE = V ГЭ , T vj =25 o Ц

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25 o Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25 o Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

0.7

ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

46.6

нФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

1.31

нФ

Q G

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15...+15В

3.50

μC

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =450А, R G =1.5Ω,V ГЭ =±15В, LS =45 nH ,T vj =25 o Ц

284

н

t r

Күтерілу уақыты

78

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

388

н

t f

Күз мезгілі

200

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

45.0

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

33.4

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =450А, R G =1.5Ω,V ГЭ =±15В, LS =45 nH ,T vj =125 o Ц

288

н

t r

Күтерілу уақыты

86

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

456

н

t f

Күз мезгілі

305

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

60.1

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

48.4

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =450А, R G =1.5Ω,V ГЭ =±15В, LS =45 nH ,T vj =150 o Ц

291

н

t r

Күтерілу уақыты

88

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

472

н

t f

Күз мезгілі

381

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

63.5

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

52.1

мЖ

I SC

SC деректері

t P ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T vj =150 o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

1800

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F = 450А,В ГЭ =0В,Т vj =2 5o Ц

1.90

2.35

V

I F = 450А,В ГЭ =0В,Т vj =125 o Ц

2.00

I F = 450А,В ГЭ =0В,Т vj =150 o Ц

2.05

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =450А,

-ди/мс=4500А/мкс,В ГЭ =-15V, LS =45 nH ,T vj =25 o Ц

39.4

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

296

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

11.8

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =450А,

-ди/мс=4100А/мкс,В ГЭ =-15V, LS =45 nH ,T vj =125 o Ц

58.6

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

309

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

17.7

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =450А,

-ди/мс=4000А/мкс,В ГЭ =-15V, LS =45 nH ,T vj =150 o Ц

83.6

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

330

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

20.3

мЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.35

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш -дейін -Кейс (perIGBT ) Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.065 0.119

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль)

0.031 0.057 0.010

К/W

М

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Салмақ туралы Модуль

300

g