GD100HHU120C6SD, IGBT Модульі, STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C@ Т C=75o C

146

100

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

200

A

PD

Максималды қуаттылық vj =150o C

771

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

100

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

200

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

150

o C

T vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t= 1 минут

2500

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC=100A,V ГЭ =15В, T vj =25o C

3.00

3.45

V

IC=100A,V ГЭ =15В, T vj =125o C

3.80

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=4.0mА ,V CE =V ГЭ , T vj =25o C

4.5

5.5

6.5

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25o C

5.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

1.0

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

6.50

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.42

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15...+15В

1.10

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=100A, R G=9.1Ω,V ГЭ =±15В, LS =48nH ,T vj =25o C

38

н

t r

Күтерілу уақыты

50

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

330

н

t f

Күз мезгілі

27

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

8.92

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

2.06

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=100A, R G=9.1Ω,V ГЭ =±15В, LS =48nH ,T vj =125o C

37

н

t r

Күтерілу уақыты

50

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

362

н

t f

Күз мезгілі

43

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

10.7

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

3.69

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T vj =125o C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

650

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =100A,V ГЭ =0В,Т vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =100A,V ГЭ =0В,Т vj =125o C

1.90

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =100A,

-ди/дт=2245А/мкс,V ГЭ =-15В LS =48nH ,T vj =25o C

11.5

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

101

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

4.08

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =100A,

-ди/дт=2352А/мкс,V ГЭ =-15В LS =48nH ,T vj =125o C

19.0

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

120

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

7.47

мЖ

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

T vj =100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/501/Т 2— 1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/801/Т 2— 1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/1001/Т 2— 1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

21

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

2.60

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш —дейін —Қорап (perIGBT ) Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.162 0.401

К/W

R тХ

Қорап —дейін —Раковина (perIGBT )

Қаптамадан суға құюға (диод бойынша)

Корпус-радиатор (per M одуль)

0.051 0.125 0.009

К/W

Мин

Монументтік момент, М6 бұрандасы

3.0

6.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g