GD400HFF120C2S, IGBT Модулі, STARPOWER

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 o Ц

@ Т Ц =90 o Ц

620

400

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

800

А

P D

Максималды қуаттылық =175 o Ц

2272

W

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

400

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

800

А

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o Ц

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o Ц

T ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

o Ц

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 минуты

4000

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц = 400А,В ГЭ =15В, T ж =25 o Ц

1.90

2.35

V

I Ц = 400А,В ГЭ =15В, T ж = 125o Ц

2.40

I Ц = 400А,В ГЭ =15В, T ж =150 o Ц

2.55

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц = 10,0 мА,В CE =V ГЭ , T ж =25 o Ц

5.2

6.0

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В,

T ж =25 o Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25 o Ц

100

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

1.9

ω

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =400А, R G =0.38Ω,

V ГЭ =±15В, T ж =25 o Ц

1496

н

t r

Күтерілу уақыты

200

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

1304

н

t f

Күз мезгілі

816

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

27.6

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

20.8

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =400А, R G =0.38Ω,

V ГЭ =±15В, T ж = 125o Ц

1676

н

t r

Күтерілу уақыты

252

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

1532

н

t f

Күз мезгілі

872

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

41.6

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

23.6

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =400А, R G =0.38Ω,

V ГЭ =±15В, T ж = 150o Ц

1676

н

t r

Күтерілу уақыты

260

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

1552

н

t f

Күз мезгілі

888

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

46.0

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

24.0

мЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F = 400А,В ГЭ =0В,Т ж =25 o Ц

1.90

2.35

V

I F = 400А,В ГЭ =0В,Т ж = 125o Ц

1.90

I F = 400А,В ГЭ =0В,Т ж = 150o Ц

1.90

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =400А,

-di/dt=6400A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =25 o Ц

20.4

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

180

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

6.8

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =400А,

-di/dt=6400A/μs,V ГЭ =- 15В T ж = 125o Ц

52.4

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

264

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

19.5

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =400А,

-di/dt=6400A/μs,V ГЭ =- 15В T ж = 150o Ц

60.8

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

284

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

22.6

мЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

15

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.25

mΩ

R тЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.066

0.093

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode)

Корпус-радиатор (per M одуль)

0.034

0.048

0.010

К/W

М

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g