GD400HFF120C2S, IGBT Модулі, STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C

@ Т C=90o C

620

400

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

800

A

PD

Максималды қуаттылық =175o C

2272

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

V

IF

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

400

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

800

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 мИН

4000

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

IC= 400А,В ГЭ =15В, T ж =25o C

1.90

2.35

V

IC= 400А,В ГЭ =15В, T ж = 125o C

2.40

IC= 400А,В ГЭ =15В, T ж =150o C

2.55

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC= 10,0 мА,В CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған

Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В,

T ж =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

100

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

1.9

ω

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=400А, R G=0.38Ω,

V ГЭ =±15В, T ж =25o C

1496

н

t r

Күтерілу уақыты

200

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

1304

н

t f

Күз мезгілі

816

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

27.6

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

20.8

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=400А, R G=0.38Ω,

V ГЭ =±15В, T ж = 125o C

1676

н

t r

Күтерілу уақыты

252

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

1532

н

t f

Күз мезгілі

872

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

41.6

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

23.6

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=400А, R G=0.38Ω,

V ГЭ =±15В, T ж = 150o C

1676

н

t r

Күтерілу уақыты

260

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

1552

н

t f

Күз мезгілі

888

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

46.0

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

24.0

мЖ

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

IF = 400А,В ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.90

2.35

V

IF = 400А,В ГЭ =0В,Т ж = 125o C

1.90

IF = 400А,В ГЭ =0В,Т ж = 150o C

1.90

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =400А,

-di/dt=6400A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =25o C

20.4

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

180

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

6.8

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =400А,

-di/dt=6400A/μs,V ГЭ =- 15В T ж = 125o C

52.4

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

264

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

19.5

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =400А,

-di/dt=6400A/μs,V ГЭ =- 15В T ж = 150o C

60.8

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

284

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

22.6

мЖ

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

15

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.25

mΩ

R тЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.066

0.093

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode)

Корпус-радиатор (per M одуль)

0.034

0.048

0.010

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g