GD2400SGT120C4S,IGBT Модулі,STARPOWER

Символ

Сипаттама

GD2400SGT120C4S

Блоктар

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 ℃

@ Т Ц = 100℃

3800

2400

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p = 1 мс

4800

А

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

2400

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

4800

А

P D

Максималды қуаттылық ж = 1 75℃

12.9

кВт

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

℃

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

℃

T ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

℃

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 минуты

3400

V

Орнату Торк

Сигнал терминалының бұрандасы:M4

1.8 дейін 2.1

Қуат терминалының бұрандасы:M8

8,0-ден 10

Н.М

Тіркемелік бұранда:M6

4.25-тен 5.75

Салмақ

Салмағы Модуль

2300

g

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V (BR )CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

T ж =25 ℃

1200

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25 ℃

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25 ℃

400

nA

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =96 mА ,V CE = V ГЭ , T ж =25 ℃

5.0

5.8

6.5

V

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц = 2400А,В ГЭ =15В, T ж =25 ℃

1.70

2.15

V

I Ц = 2400А,В ГЭ =15В, T ж =125 ℃

2.00

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =2400А, R Қон = 1,2Ω,

R Гофф =0.3Ω,

V ГЭ =±15В,Т ж =25 ℃

600

н

t r

Күтерілу уақыты

215

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

810

н

t f

Күз мезгілі

145

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

/

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

/

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =2400А, R Қон = 1,2Ω,

R Гофф =0.3Ω,

V ГЭ =±15В,Т ж = 125℃

695

н

t r

Күтерілу уақыты

235

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

970

н

t f

Күз мезгілі

182

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

488

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

382

мЖ

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

173

нФ

Ц лық

Шығарылымдық сыйымдылық

9.05

нФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

7.85

нФ

I SC

SC деректері

t P ≤ 10 мкс,В ГЭ =15 V,

T ж =125 °C, V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

9600

А

Q G

Қақпалық төлем

V CC = 600В,I Ц =2400А, V ГЭ =-15 ﹍+15В

23.0

μC

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

0.42

ω

L CE

Айналадағы индуктивтілік

10

nH

R CC+EE

Модульді жетек

Қарсылық,

Терминалдан чипке

0.12

mΩ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =2400А

V ГЭ =0В

T ж =25 ℃

1.65

2.05

V

T ж =125 ℃

1.65

Q r

Қайта қалпына келтірілген

Заряд

I F =2400А,

V R =600В,

R Қон =0.3Ω,

V ГЭ =-15В

T ж =25 ℃

240

μC

T ж =125 ℃

460

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

T ж =25 ℃

1650

А

T ж =125 ℃

2150

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

T ж =25 ℃

/

мЖ

T ж =125 ℃

208

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Блоктар

R θ ЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

11.6

K/kW

R θ ЖК

Құрамына байланысты (D-ға) йод)

19.7

K/kW

R θ КС

Қаптамадан раковинаға дейін (Жеңілгіш майды қолдану) өтірік)

4

K/kW