GD2400SGT120C4S,IGBT Модулі,STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

GD2400SGT120C4S

Блоктар

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25℃

@ Т C= 100℃

3800

2400

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1ms

4800

A

IF

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

2400

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

4800

A

PD

Максималды қуаттылық ж =175℃

12.9

кВт

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

℃

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

℃

T ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

℃

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 мИН

3400

V

Орнату Торк

Сигнал терминалының бұрандасы:M4

1.8 дейін 2.1

Қуат терминалының бұрандасы:M8

8,0-ден 10

Н.М

Тіркемелік бұранда:M6

4.25-тен 5.75

Салмағы

Салмағы Модуль

2300

g

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V (BR )CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

T ж =25℃

1200

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған

Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25℃

5.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25℃

400

nA

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=96mА ,V CE =V ГЭ , T ж =25℃

5.0

5.8

6.5

V

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

IC= 2400А,В ГЭ =15В, T ж =25℃

1.70

2.15

V

IC= 2400А,В ГЭ =15В, T ж =125℃

2.00

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=2400А, R Қон = 1,2Ω,

R Гофф =0.3Ω,

V ГЭ =±15В,Т ж =25℃

600

н

t r

Күтерілу уақыты

215

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

810

н

t f

Күз мезгілі

145

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

/

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

/

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=2400А, R Қон = 1,2Ω,

R Гофф =0.3Ω,

V ГЭ =±15В,Т ж = 125℃

695

н

t r

Күтерілу уақыты

235

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

970

н

t f

Күз мезгілі

182

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

488

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

382

мЖ

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

173

нФ

Cлық

Шығарылымдық сыйымдылық

9.05

нФ

Cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

7.85

нФ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкс,В ГЭ =15 V,

T ж =125℃,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

9600

A

QG

Қақпалық төлем

V CC = 600В,I C=2400А, V ГЭ =-15 ﹍+15В

23.0

μC

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

0.42

ω

LCE

Айналадағы индуктивтілік

10

nH

R CC+EE

Модульді жетек

Қарсылық,

Терминалдан чипке

0.12

mΩ

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

IF =2400А

V ГЭ =0В

T ж =25℃

1.65

2.05

V

T ж =125℃

1.65

Qr

Қайта қалпына келтірілген

Заряд

IF =2400А,

V R =600В,

R Қон =0.3Ω,

V ГЭ =-15В

T ж =25℃

240

μC

T ж =125℃

460

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

T ж =25℃

1650

A

T ж =125℃

2150

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

T ж =25℃

/

мЖ

T ж =125℃

208

Символ

Параметрлер

Тип.

Макс.

Блоктар

R θ ЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

11.6

K/kW

R θ ЖК

Құрамына байланысты (D-ға) йод)

19.7

K/kW

R θ CS

Қаптамадан раковинаға дейін (Жеңілгіш майды қолдану) өтірік)

4

K/kW