GD400HTX120P4S ,IGBT Модульі, STARPOWER

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I КН

Коллекторды іске асыру рент

400

А

I Ц

Коллектор токы @ T F =25 o C @ T F =75 o Ц

400

300

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

800

А

P D

Максималды қуаттылық ж =175 o Ц

1500

W

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

I БФ

Реализованный Forward Cu рент

400

А

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

300

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

800

А

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o Ц

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o Ц

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o Ц

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

2500

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц =300A,V ГЭ =15В, T ж =25 o Ц

1.50

1.95

V

I Ц =300A,V ГЭ =15В, T ж =125 o Ц

1.60

I Ц =300A,V ГЭ =15В, T ж =150 o Ц

1.65

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =16.0 mА ,V CE = V ГЭ , T ж =25 o Ц

5.3

5.8

6.3

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25 o Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25 o Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

0.5

ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

41.4

нФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

1.16

нФ

Q G

Қақпалық төлем

V ГЭ =15В

3.11

μC

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =500V,I Ц =300A, R G =1.5Ω,V ГЭ =±15В, T ж =25 o Ц

171

н

t r

Күтерілу уақыты

54

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

433

н

t f

Күз мезгілі

41

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

18.2

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

13.4

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =500V,I Ц =300A, R G =1.5Ω,V ГЭ =±15В, T ж =125 o Ц

193

н

t r

Күтерілу уақыты

54

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

546

н

t f

Күз мезгілі

93

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

25.7

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

26.8

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =500V,I Ц =300A, R G =1.5Ω,V ГЭ =±15В, T ж =150 o Ц

203

н

t r

Күтерілу уақыты

64

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

628

н

t f

Күз мезгілі

93

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

27.8

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

30.9

мЖ

I SC

SC деректері

t P ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T ж =150 o C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

1600

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж =25 o Ц

1.55

1.80

V

I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 25o Ц

1.50

I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 50o Ц

1.45

Q r

Алынған айыппұл

V R =500V,I F =300A,

-di/dt=3150A/μs,V ГЭ =-15В T ж =25 o Ц

25.7

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

229

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

6.7

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R =500V,I F =300A,

-di/dt=3150A/μs,V ГЭ =-15В T ж =125 o Ц

49.0

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

380

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

17.1

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R =500V,I F =300A,

-di/dt=3150A/μs,V ГЭ =-15В T ж =150 o Ц

57.0

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

380

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

20.0

мЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

T Ц =100 o Ц р 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

△ p

Салқындату контурындағы қысымның төмендеуі қайырма

△ V/ △ t=10,0 dm 3/минуты ;T F =25 o Ц ;Салқындату Сұйық=50% Су/50% Этиленгликоль

100

мбар

p

Тоңазытудағы ең жоғары қысым қайырма

2.5

бар

L CE

Айналадағы индуктивтілік

14

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.80

mΩ

R тЖЖ

Бөлшеуіш -дәйексіз -Салқындату Сұйық (perIGBT ) Жылу және охлаждыру сұйқасының арасындагы (пер Ди од)

0.100 0.125

К/W

М

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5 3.0

5.0 6.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

1250

g