GD150HFX170C1S, IGBT Модульі, STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C@ Т C=95o C

229

150

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

300

A

PD

Максималды қуаттылық ж =175o C

815

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1700

V

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

150

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

300

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t= 1 минут

4000

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC=150A,V ГЭ =15В, T ж =25o C

1.85

2.30

V

IC=150A,V ГЭ =15В, T ж =125o C

2.25

IC=150A,V ГЭ =15В, T ж =150o C

2.35

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=6.0mА ,V CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25o C

5.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

5.0

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

18.1

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.44

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

1.41

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=150A, R G=3.3Ω,V ГЭ =±15В, LСек =70nH ,T ж =25o C

303

н

t r

Күтерілу уақыты

75

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

417

н

t f

Күз мезгілі

352

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

42.3

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

25.3

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=150A, R G=3.3Ω,V ГЭ =±15В, LСек =70nH ,T ж =125o C

323

н

t r

Күтерілу уақыты

88

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

479

н

t f

Күз мезгілі

509

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

58.9

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

34.9

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=150A, R G=3.3Ω,V ГЭ =±15В, LСек =70nH ,T ж =150o C

327

н

t r

Күтерілу уақыты

90

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

498

н

t f

Күз мезгілі

608

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

65.6

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

40.2

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T ж =150o C,V CC =1000V, V КЕМ ≤1700В

600

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =150A,V ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.80

2.25

V

IF =150A,V ГЭ =0В,Т ж =125o C

1.90

IF =150A,V ГЭ =0В,Т ж =150o C

1.95

Qr

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =150A,

-ди/дt=1510A/μs,V ГЭ =-15В LСек =70nH ,T ж =25o C

26.2

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

131

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

21.6

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =150A,

-ди/дt=1280A/μs,V ГЭ =-15В LСек =70nH, T ж =125o C

48.0

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

140

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

40.1

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =150A,

-ди/дt=1240A/μs,V ГЭ =-15В LСек =70nH, T ж =150o C

52.3

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

142

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

42.5

мЖ

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

30

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.65

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш —дейін —Қорап (perIGBT ) Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.184 0.368

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль)

0.150 0.300 0.050

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

150

g