H150ZPU, түзету диоды

I _T(AV)

6500А

V _РРМ

8100V 8300V

8500V

Символ

СӘРЕПТІК

Сынақ шарттары

Tj( ℃ )

Мәні

Бірлік

Минуты

ТҮР

Макс

IF(AV)

Орташа алға қарай ағым

180° жартылай синусоидалық толқын 50Гц Екі жақты салқындатылған,

TC= 100 ℃

150

6500

А

VRRM

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

tp=10ms

150

8000

8500

V

IRRM

Қайталау шыңы ағым

V-де _РРМ

150

500

mА

IFSM

Сурж алға ағым

10ms жартылай синусоидалық толқын Vr =0.6V _РРМ

150

100

kA

I2 t

Фузия координациясы үшін I2t

50000

10³А ²с

VFO

Төменгі кернеу

150

0.800

V

радио жабайынан кейін

Алға қарай еңіс кедергісі

0.125

mΩ

VFM

Шың алға қарай кернеу

IFM=5000A, F= 140kN

25

1.50

V

Qrr

Алу ақысы

IFM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR=100V

14000

μC

Rth(j-c)

Термиялық кедергі Джункиядан корпусқа

180-де ° синусоидалық, екі жақты салқындатылған 24 кН тұйықтау күші

0.0028

℃ /W

Rth(c-h)

Термиялық кедергі корпусынан жылу алмастырғышқа

0.0006

Fm

Орнату күші

165

190

кН

TVj

Байланыс температурасы

-40

150

℃

ТСТГ

Сақталған температура

-40

160

℃

Wt

Салмақ

4000

g

Нысан

ZT140dT