H100ZPU, түзету диоды

I _T(AV)

3300А

V _РРМ

8000V 8500V

Символ

СӘРЕПТІК

Сынақ шарттары

Tj( ℃ )

Мәні

Бірлік

Минуты

ТҮР

Макс

IF(AV)

Орташа алға қарай ағым

180° жартылай синусоидалық 50Гц Екі жақты салқындатылған

TC= 100 ℃

150

3300

А

VRRM

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

tp=10ms

150

8000

8500

V

IRRM

Қайталау шыңы ағым

vRRM кезінде tp= 10мс

150

300

mА

IFSM

Сурж алға ағым

10ms жартылай синусоидалық толқын. VR=0.6VRRM

150

50

kA

I2t

Фузия координациясы үшін I2t

12500

10³А ²с

VFO

Төменгі кернеу

150

0.96

V

радио жабайынан кейін

Алға қарай еңіс кедергісі

0.24

mΩ

VFM

Шың алға қарай кернеу

IFM=5000A, F= 100kN

25

2.10

V

Qrr

Алу ақысы

IFM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR=100V

150

23500

μC

Rth(j-c)

Термиялық кедергі Джункиядан корпусқа

180-де ° синус. екі жақты салқындатылған Қыспа күші 100kN

0.005

℃ /W

Rth(c-h)

Жылу кедергісі корпусқа дейін радиатор

0.0015

Fm

Орнату күші

98

113

кН

TVj

Байланыс температурасы

-40

150

℃

ТСТГ

Сақталған температура

-40

160

℃

Wt

Салмақ

2500

g

Нысан

ZT100dT