GD900SGF120A3SN,IGBT Модуль,STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C @ T C=100o C

1466

900

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

1800

A

PD

Максималды қуаттылық vj =175o C

5.34

кВт

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

900

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

1800

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t= 1 минут

4000

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC=900A,V ГЭ =15В, T vj =25o C

2.00

2.45

V

IC=900A,V ГЭ =15В, T vj =125o C

2.50

IC=900A,V ГЭ =15В, T vj =150o C

2.65

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=32.0mА ,V CE =V ГЭ , T vj =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

1.44

ω

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=900A, R Қон =1Ω, R Гофф =2Ω, Ls=50нГ,

V ГЭ =-10/+15V, T vj =25o C

520

н

t r

Күтерілу уақыты

127

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

493

н

t f

Күз мезгілі

72

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

76.0

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

85.0

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=900A, R Қон =1Ω, R Гофф =2Ω, Ls=50нГ,

V ГЭ =-10/+15V, T vj =125o C

580

н

t r

Күтерілу уақыты

168

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

644

н

t f

Күз мезгілі

89

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

127

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

98.5

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=900A, R Қон =1Ω, R Гофф =2Ω, Ls=50нГ,

V ГЭ =-10/+15V, T vj =150o C

629

н

t r

Күтерілу уақыты

176

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

676

н

t f

Күз мезгілі

96

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

134

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

99.0

мЖ

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =900A,V ГЭ =0В,Т vj =25o C

1.95

2.40

V

IF =900A,V ГЭ =0В,Т vj =125o C

2.00

IF =900A,V ГЭ =0В,Т vj =150o C

2.05

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =900A,

-di/dt=7100А/мкс, Ls=50нГ, V ГЭ =-10V,

T vj =25o C

80

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

486

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

35.0

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =900A,

-di/dt=5180А/мкс, Ls=50нГ, V ГЭ =-10V,

T vj =125o C

153

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

510

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

64.0

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =900A,

-di/dt=4990А/мкс, Ls=50нГ, V ГЭ =-10V,

T vj =150o C

158

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

513

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

74.0

мЖ

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

12

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.19

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш —дейін —Қорап (perIGBT ) Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

28.1 44.1

K/kW

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

9.82 15.4 6.0

K/kW

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М4 бұрандасы Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М8 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

1050

g