GD400SGX170C2S, IGBT Модулі, STARPOWER

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 o Ц

@ Т Ц = 100o Ц

648

400

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

800

А

P D

Максималды қуат тарату T =175 o Ц

2380

W

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1700

V

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

400

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

800

А

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o Ц

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o Ц

T ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

o Ц

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 минуты

4000

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц = 400А,В ГЭ =15В, T ж =25 o Ц

1.85

2.20

V

I Ц = 400А,В ГЭ =15В, T ж =125 o Ц

2.25

I Ц = 400А,В ГЭ =15В, T ж =150 o Ц

2.35

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц = 16,0 мА,В CE =V ГЭ , T ж =25 o Ц

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В,

T ж =25 o Ц

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25 o Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

1.88

ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

48.2

нФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

1.17

нФ

Q G

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15В...+15В

3.77

μC

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =400А, R G =0.82Ω,V ГЭ =±15В, T ж =25 o Ц

204

н

t r

Күтерілу уақыты

38

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

425

н

t f

Күз мезгілі

113

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

97.9

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

84.0

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =400А, R G =0.82Ω,V ГЭ =±15В, T ж =125 o Ц

208

н

t r

Күтерілу уақыты

50

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

528

н

t f

Күз мезгілі

184

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

141

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

132

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =400А, R G =0.82Ω,V ГЭ =±15В, T ж =150 o Ц

216

н

t r

Күтерілу уақыты

50

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

544

н

t f

Күз мезгілі

204

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

161

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

137

мЖ

I SC

SC деректері

t P ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

T ж =150 o C,V CC = 100V, V КЕМ ≤1700В

1600

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F = 400А,В ГЭ =0В,Т ж =25 o Ц

1.80

2.25

V

I F = 400А,В ГЭ =0В,Т ж =125 o Ц

1.90

I F = 400А,В ГЭ =0В,Т ж =150 o Ц

1.95

Q r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =400А,

-di/dt=8800A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =25 o Ц

116

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

666

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

63.8

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =400А,

-di/dt=8800A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =125 o Ц

187

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

662

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

114

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =400А,

-di/dt=8800A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =150 o Ц

209

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

640

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

132

мЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

15

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі nce, Терминалдан Чипке

0.18

mΩ

R тЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.063

0.105

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.016

0.027

0.010

К/W

М

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М4 бұрандасы Жабықтыру басымдарының Момент, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g