GD400SGU120C2SD, IGBT Модульі, STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C@ Т C=65o C

542

400

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

800

A

PD

Максималды қуаттылық vj =150o C

2840

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

400

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

800

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

150

o C

T vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

2500

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC= 400А,В ГЭ =15В, T vj =25o C

3.10

3.55

V

IC= 400А,В ГЭ =15В, T vj =125o C

3.95

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=16mА ,V CE =V ГЭ , T vj =25o C

4.9

5.9

6.9

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25o C

5.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

0.63

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

27.0

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

1.64

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15В…+15В

4.32

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=400А, R G=2.2Ω, V ГЭ =±15В, LS =50nH ,T vj =25o C

275

н

t r

Күтерілу уақыты

68

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

455

н

t f

Күз мезгілі

45

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

26.0

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

16.2

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=400А, R G=2.2Ω, V ГЭ =±15В, LS =50nH ,T vj =125o C

281

н

t r

Күтерілу уақыты

69

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

495

н

t f

Күз мезгілі

57

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

32.9

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

19.9

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T vj =125o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

2700

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF = 400А,В ГЭ =0В,Т vj =25o C

1.85

2.30

V

IF = 400А,В ГЭ =0В,Т vj =125o C

1.90

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =400А,

-ди/дt=5666А/мкс,V ГЭ =-15V, LS =50nH ,T vj =25o C

42.0

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

329

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

16.2

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =400А,

-ди/дt=5534А/мкс,V ГЭ =-15V, LS =50nH ,T vj =125o C

71.9

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

382

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

30.0

мЖ

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.35

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш —дейін —Қорап (perIGBT ) Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.044 0.107

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль)

0.014 0.034 0.010

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g