Барлық санаттар
Сотып алу үшін сұраныс беру

Tegılsız teklip alu

Bızanıń өкілі sizge jaqın aǵymda qabıldaıdy.
Электрондық пошта
Аты-жөні
Компания атауы
Хабарлама
0/1000

IGBT Модулі 1200V

IGBT Модулі 1200V

Басты бет/Өнімдер/IGBT модуль/Модуль IGBT 1200V

GD800HFX120C6HA,IGBT Модульі,STARPOWER

1200В 800А

Brand:
Жұлдызды қуат
Spu:
GD800HFX120C6HA
  • Кіріспе
  • Нысан
Кіріспе

Қысқаша кіріспе

IGBT модулі ,шығарылған Жұлдызды қуат .1200V 800А.

Қасиеттері

  • Lтөмен VCE(sat) Trench IGBT технологиясы
  • 10 мкм-ге қысқа тұтасу мүмкіндігі
  • Оң температура коэффициентi бар VCE (sat)
  • Максималдық жылдамдау температуры 175
  • Төмен индуктивтілік корпусы
  • Жедел және жұмсақ кері қалпына келтіру-бағыттас қарсы FWD
  • Si3N4 субстрат төмен гылымдық көршілік учун
  • Si3N4 AMB технологиясын пайдалану арқылы жеке купра база платасы

Типілік қолданулар

  • Гибридтік және электрлік көлік
  • Моторлы қозғалтқыштар үшін инвертор
  • Бөлінбейтін қуат көзі

Абсолютті Максимум Рейтингтер T F =25o C егер каланын белгіленген

IGBT

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=100o C

800

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

1600

A

PD

Максималды қуаттылық ж =175o C

5172

W

Диод

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

800

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

1600

A

Модуль

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t= 1 минут

2500

V

IGBT Характеристикалар T C=25o C егер каланын белгіленген

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC= 800А,В ГЭ =15В, T ж =25o C

1.95

2.40

V

IC= 800А,В ГЭ =15В, T ж =125o C

2.30

IC= 800А,В ГЭ =15В, T ж =150o C

2.40

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=24.0,V CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25o C

1.0

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

0.7

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

62.1

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

1.74

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15...+15В

4.66

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=800А, R G=1.0Ω, V ГЭ =±15В, LСек =40nH ,T ж =25o C

266

н

t r

Күтерілу уақыты

98

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

394

н

t f

Күз мезгілі

201

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

108

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

73.8

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=800А, R G=1.0Ω, V ГЭ =±15В, LСек =40nH ,T ж =125o C

280

н

t r

Күтерілу уақыты

115

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

435

н

t f

Күз мезгілі

275

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

153

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

91.3

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=800А, R G=1.0Ω, V ГЭ =±15В, LСек =40nH ,T ж =150o C

282

н

t r

Күтерілу уақыты

117

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

446

н

t f

Күз мезгілі

290

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

165

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

94.4

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T ж =150o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

2400

A

Диод Характеристикалар T C=25o C егер каланын белгіленген

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF = 800А,В ГЭ =0В,Т ж =25o C

2.00

2.45

V

IF = 800А,В ГЭ =0В,Т ж =125o C

2.15

IF = 800А,В ГЭ =0В,Т ж =150o C

2.20

Qr

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =800А,

-di/dt=5800A/μs,V ГЭ =-15V, LСек =40nH ,T ж =25o C

48.1

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

264

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

18.0

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =800А,

-di/dt=4800A/μs,V ГЭ =-15V, LСек =40nH ,T ж =125o C

95.3

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

291

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

35.3

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =800А,

-di⁄dt=4550A⁄μs,V ГЭ =-15V, LСек =40nH ,T ж =150o C

107

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

293

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

38.5

мЖ

НТК Характеристикалар T C=25o C егер каланын белгіленген

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

T C=100 o Cр 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/501/Т 2 1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/801/Т 2 1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/1001/Т 2 1 / 298.15K))]

3433

К

Модуль Характеристикалар T C=25o C егер каланын белгіленген

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R тЖК

Бөлшеуіш дейін Қорап (perIGBT ) Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.029 0.050

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.028 0.049 0.009

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, Болт M5

3.0 3.0

6.0 6.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

350

g

Нысан

image(c537ef1333).png

Tegılsız teklip alu

Bızanıń өкілі sizge jaqın aǵymda qabıldaıdy.
Электрондық пошта
Аты-жөні
Компания атауы
Хабарлама
0/1000

Байланысты өнім

Тауарлар туралы сұрақтар бар ма?

Біздің кәсіби сату тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.

Сотып алу үшін сұраныс беру

Tegılsız teklip alu

Bızanıń өкілі sizge jaqın aǵymda qabıldaıdy.
Электрондық пошта
Аты-жөні
Компания атауы
Хабарлама
0/1000

Tegılsız teklip alu

Bızanıń өкілі sizge jaqın aǵymda qabıldaıdy.
Электрондық пошта
Аты-жөні
Компания атауы
Хабарлама
0/1000