Қысқаша кіріспе
IGBT модулі ,шығарылған Жұлдызды қуат . 1200V 800А.
Сипаттамалар
-
L төмен VCE(sat) Trench IGBT технологиясы
- 10 мкм-ге қысқа тұтасу мүмкіндігі
- Оң температура коэффициентi бар VCE (sat)
-
Максималдық жылдамдау температуры 175 ℃
- Төмен индуктивтілік корпусы
- Жедел және жұмсақ кері қалпына келтіру-бағыттас қарсы FWD
- Si3N4 субстрат төмен гылымдық көршілік учун
- Si3N4 AMB технологиясын пайдалану арқылы жеке купра база платасы
Типілік қолданулар
- Гибридтік және электрлік көлік
- Моторлы қозғалтқыштар үшін инвертор
- Бөлінбейтін қуат көзі
Абсолютті Максимум Рейтингтер T F =25 o Ц егер каланын белгіленген
IGBT
Символ |
Сипаттама |
Мәні |
Бірлік |
V CES |
Жинағыш-эмиттер кернеуі |
1200 |
V |
V ГЭС |
Қақпа-эмиттер кернеуі |
±20 |
V |
I Ц |
Коллектор токы @ T Ц =100 o Ц |
800 |
А |
I CM |
Импульсны коллектор токы t p =1 мс |
1600 |
А |
P D |
Максималды қуаттылық ж =175 o Ц |
5172 |
W |
Диод
Символ |
Сипаттама |
Мәні |
Бірлік |
V РРМ |
Қайталау Пик Кері Кернеу жас |
1200 |
V |
I F |
Диодты үздіксіз алға қарай рент |
800 |
А |
I Fm |
Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс |
1600 |
А |
Модуль
Символ |
Сипаттама |
Мәні |
Бірлік |
T jmax |
Жоғарғы түйісу температурасы |
175 |
o Ц |
T жіп |
Жұмыс қиылысының температурасы |
-40-дан +150-ге дейін |
o Ц |
T ЖТГ |
Сақтау температурасы |
-40-дан +125-ге дейін |
o Ц |
V ISO |
Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t= 1 минут |
2500 |
V |
IGBT Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
|
V (Солтүстік Қазақстан)
|
Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі
|
I Ц = 800А,В ГЭ =15В, T ж =25 o Ц |
|
1.95 |
2.40 |
V
|
I Ц = 800А,В ГЭ =15В, T ж =125 o Ц |
|
2.30 |
|
I Ц = 800А,В ГЭ =15В, T ж =150 o Ц |
|
2.40 |
|
V ГЭ (th ) |
Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу |
I Ц = 24,0 mА ,V CE = V ГЭ , T ж =25 o Ц |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
I CES |
Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк |
V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25 o Ц |
|
|
1.0 |
mА |
I ГЭС |
Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк |
V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25 o Ц |
|
|
400 |
nA |
R Гинт |
Ішкі қақпа кедергісі |
|
|
0.7 |
|
ω |
Ц лар |
Кіріс сыйымдылығы |
V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В |
|
62.1 |
|
нФ |
Ц ре |
Кері ауыстыру Қуаттылық |
|
1.74 |
|
нФ |
Q G |
Қақпалық төлем |
V ГЭ =-15...+15В |
|
4.66 |
|
μC |
t d (қОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 600В,I Ц =800А, R G =1.0Ω, V ГЭ =±15В, L S =40 nH ,T ж =25 o Ц
|
|
266 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
98 |
|
н |
t d(оң) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
394 |
|
н |
t f |
Күз мезгілі |
|
201 |
|
н |
E қОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
108 |
|
мЖ |
E ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
73.8 |
|
мЖ |
t d (қОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 600В,I Ц =800А, R G =1.0Ω, V ГЭ =±15В, L S =40 nH ,T ж =125 o Ц
|
|
280 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
115 |
|
н |
t d(оң) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
435 |
|
н |
t f |
Күз мезгілі |
|
275 |
|
н |
E қОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
153 |
|
мЖ |
E ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
91.3 |
|
мЖ |
t d (қОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 600В,I Ц =800А, R G =1.0Ω, V ГЭ =±15В, L S =40 nH ,T ж =150 o Ц
|
|
282 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
117 |
|
н |
t d(оң) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
446 |
|
н |
t f |
Күз мезгілі |
|
290 |
|
н |
E қОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
165 |
|
мЖ |
E ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
94.4 |
|
мЖ |
|
I SC
|
SC деректері
|
t P ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,
T ж =150 o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В
|
|
2400
|
|
А
|
Диод Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
|
V F
|
Алға қарай диод Кернеу |
I F = 800А,В ГЭ =0В,Т ж =25 o Ц |
|
2.00 |
2.45 |
V
|
I F = 800А,В ГЭ =0В,Т ж = 1 25o Ц |
|
2.15 |
|
I F = 800А,В ГЭ =0В,Т ж = 1 50o Ц |
|
2.20 |
|
Q r |
Алынған айыппұл |
V CC = 600В,I F =800А,
-di/dt=5800A/μs,V ГЭ =-15V, L S =40 nH ,T ж =25 o Ц
|
|
48.1 |
|
μC |
I RM |
Төменгі деңгейдің кері
Қайта қалпына келтіру тогы
|
|
264 |
|
А |
E рек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
18.0 |
|
мЖ |
Q r |
Алынған айыппұл |
V CC = 600В,I F =800А,
-di/dt=4800A/μs,V ГЭ =-15V, L S =40 nH ,T ж =125 o Ц
|
|
95.3 |
|
μC |
I RM |
Төменгі деңгейдің кері
Қайта қалпына келтіру тогы
|
|
291 |
|
А |
E рек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
35.3 |
|
мЖ |
Q r |
Алынған айыппұл |
V CC = 600В,I F =800А,
-di⁄dt=4550A⁄μs,V ГЭ =-15V, L S =40 nH ,T ж =150 o Ц
|
|
107 |
|
μC |
I RM |
Төменгі деңгейдің кері
Қайта қалпына келтіру тогы
|
|
293 |
|
А |
E рек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
38.5 |
|
мЖ |
НТК Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
R 25 |
Атаулы кедергі |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Ауыспалы туралы R 100 |
T Ц =100 o Ц р 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Күш
Диссипация
|
|
|
|
20.0 |
мW |
Б 25/50 |
B-құндылығы |
R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2- 1 / 298.15K))] |
|
3375 |
|
К |
Б 25/80 |
B-құндылығы |
R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2- 1 / 298.15K))] |
|
3411 |
|
К |
Б 25/100 |
B-құндылығы |
R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2- 1 / 298.15K))] |
|
3433 |
|
К |
Модуль Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
R тЖК |
Бөлшеуіш -дәйексіз -Іс (perIGBT ) Джункция-дан-Кейс (әр Di од) |
|
|
0.029 0.050 |
К/W |
|
R тХ
|
Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль) |
|
0.028 0.049 0.009 |
|
К/W |
М |
Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, Болт M5 |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
Н.М |
G |
Салмағы туралы Модуль |
|
350 |
|
g |
EN
