GD750HFA120C6S,IGBT Модульі,STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=100o C

750

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

1500

A

PD

Максималды қуаттылық vj =175o C

3125

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

900

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

1500

A

IFSM

Алға серпін беретін ток t p =10мс @ T vj =25o C @ Т vj =150o C

3104

2472

A

I2t

I2t- мәні ,t p =10ms @ T vj =25o C@ Т vj =150o C

48174

30554

A2сек

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

4000

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC=750A,V ГЭ =15В, T vj =25o C

1.35

1.85

V

IC=750A,V ГЭ =15В, T vj =125o C

1.55

IC=750A,V ГЭ =15В, T vj =175o C

1.55

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=24.0mА ,V CE =V ГЭ , T vj =25o C

5.5

6.3

7.0

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

0.5

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В

85.2

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.45

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15...+15В

6.15

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=750A,

R G=0.5Ω,

V ГЭ =-8V/+15V,

LСек =40nH ,T vj =25o C

238

н

t r

Күтерілу уақыты

76

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

622

н

t f

Күз мезгілі

74

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

68.0

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

52.8

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=750A, R G=0.5Ω,

V ГЭ =-8V/+15V,

LСек =40nH ,T vj =125o C

266

н

t r

Күтерілу уақыты

89

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

685

н

t f

Күз мезгілі

139

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

88.9

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

67.4

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=750A, R G=0.5Ω,

V ГЭ =-8V/+15V,

LСек =40nH ,T vj =175o C

280

н

t r

Күтерілу уақыты

95

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

715

н

t f

Күз мезгілі

166

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

102

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

72.7

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤8μs, V ГЭ =15В,

T vj =150o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

2500

A

t P≤6μс, V ГЭ =15В,

T vj =175o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

2400

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =750A,V ГЭ =0В,Т vj =25o C

1.60

2.05

V

IF =750A,V ГЭ =0В,Т vj =125o C

1.65

IF =750A,V ГЭ =0В,Т vj =175o C

1.65

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =750A,

-di/dt=6500A/μs,V ГЭ =-8V, LСек =40nH ,T vj =25o C

79.7

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

369

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

23.3

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =750A,

-di/dt=5600A/μs,V ГЭ =-8V, LСек =40nH ,T vj =125o C

120

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

400

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

39.5

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =750A,

-di/dt=5200A/μs,V ГЭ =-8V, LСек =40nH ,T vj =175o C

151

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

423

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

49.7

мЖ

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

T C=100 o Cр 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/501/Т 2— 1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/801/Т 2— 1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/1001/Т 2— 1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.80

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш —дейін —Қорап (perIGBT ) Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.048 0.088

К/W

R тХ

Қорап —дейін —Жылу сорғышы (perIGBT )Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.028 0.051 0.009

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, Болт M5

3.0 3.0

6.0 6.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

350

g