GD750HFA120C6S,IGBT Модульі,STARPOWER

Символ

Сипаттама

Мәндер

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =100 o Ц

750

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

1500

А

P D

Максималды қуаттылық vj =175 o Ц

3125

W

Символ

Сипаттама

Мәндер

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

900

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

1500

А

I FSM

Алға серпін беретін ток t p =10мс @ T vj = 25o Ц @ Т vj =150 o Ц

3104

2472

А

I 2t

I 2t- мәні ,t p =10 мс @ T vj =25 o Ц @ Т vj =150 o Ц

48174

30554

А 2s

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

T vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o Ц

T vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o Ц

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o Ц

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

4000

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц =750A,V ГЭ =15В, T vj =25 o Ц

1.35

1.85

V

I Ц =750A,V ГЭ =15В, T vj =125 o Ц

1.55

I Ц =750A,V ГЭ =15В, T vj =175 o Ц

1.55

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц = 24,0 mА ,V CE = V ГЭ , T vj =25 o Ц

5.5

6.3

7.0

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25 o Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25 o Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

0.5

ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В

85.2

нФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.45

нФ

Q G

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15...+15В

6.15

μC

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =750A,

R G =0.5Ω,

V ГЭ =-8V/+15V,

L S =40 nH ,T vj =25 o Ц

238

н

t r

Күтерілу уақыты

76

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

622

н

t f

Күз мезгілі

74

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

68.0

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

52.8

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =750A, R G =0.5Ω,

V ГЭ =-8V/+15V,

L S =40 nH ,T vj =125 o Ц

266

н

t r

Күтерілу уақыты

89

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

685

н

t f

Күз мезгілі

139

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

88.9

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

67.4

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =750A, R G =0.5Ω,

V ГЭ =-8V/+15V,

L S =40 nH ,T vj =175 o Ц

280

н

t r

Күтерілу уақыты

95

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

715

н

t f

Күз мезгілі

166

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

102

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

72.7

мЖ

I SC

SC деректері

t P ≤8μs, V ГЭ =15В,

T vj =150 o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

2500

А

t P ≤6μс, V ГЭ =15В,

T vj =175 o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

2400

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =750A,V ГЭ =0В,Т vj =2 5o Ц

1.60

2.05

V

I F =750A,V ГЭ =0В,Т vj =125 o Ц

1.65

I F =750A,V ГЭ =0В,Т vj =175 o Ц

1.65

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =750A,

-di/dt=6500A/μs,V ГЭ =-8V, L S =40 nH ,T vj =25 o Ц

79.7

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

369

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

23.3

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =750A,

-di/dt=5600A/μs,V ГЭ =-8V, L S =40 nH ,T vj =125 o Ц

120

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

400

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

39.5

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =750A,

-di/dt=5200A/μs,V ГЭ =-8V, L S =40 nH ,T vj =175 o Ц

151

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

423

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

49.7

мЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

T Ц =100 o Ц р 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.80

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш -дәйексіз -Іс (perIGBT ) Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.048 0.088

К/W

R тХ

Іс -дәйексіз -Жылу сорғышы (perIGBT )Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.028 0.051 0.009

К/W

М

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, Болт M5

3.0 3.0

6.0 6.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

350

g