GD600HTA120P6HT,IGBT Модулі,STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

ICN

Коллекторды іске асыру рент

600

A

IC

Коллектор токы @ T F =90o C

450

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

1200

A

PD

Максималды қуат тарату ация @ T F =75o C T ж =175o C

1075

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V РРМ

Қайталанатын шың кері кернеу гЭ

1200

V

IБФ

Коллекторды іске асыру рент

600

A

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

450

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

1200

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T жіп

Жұмыс қиылысы температурасы үздіксіз

10 секунд ішінде 30 секунд, пайда болуы өмір бойы максимум 3000 рет мен

-40-дан +150-ге дейін +150-ден +175 дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 мИН

2500

V

d Жүрекке сырғанау

Терминалды жылу сорғысына Терминалдан терминалға

9.0 9.0

мм

d Таза

Терминалды жылу сорғысына Терминалдан терминалға

4.5 4.5

мм

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC= 450А,В ГЭ =15В, T ж =25o C

1.40

V

IC= 450А,В ГЭ =15В, T ж =150o C

1.65

IC= 450А,В ГЭ =15В, T ж =175o C

1.70

IC=600A,V ГЭ =15В, T ж =25o C

1.60

IC=600A,V ГЭ =15В, T ж =150o C

1.90

IC=600A,V ГЭ =15В, T ж =175o C

2.00

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=15.6mА ,V CE =V ГЭ , T ж =25o C

6.4

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

1.67

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В

81.2

нФ

Cлық

Шығарылымдық сыйымдылық

1.56

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.53

нФ

QG

Қақпалық төлем

V CE = 600В,I C =600А, V ГЭ =-8...+15В

5.34

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=600А,

R Қон =1,0Ω, R Гофф =2.2Ω, LСек =22nH,

V ГЭ =-8V/+15V, T ж =25o C

290

н

t r

Күтерілу уақыты

81

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

895

н

t f

Күз мезгілі

87

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

53.5

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

47.5

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=600А,

R Қон =1,0Ω, R Гофф =2.2Ω, LСек =22nH,

V ГЭ =-8V/+15V, T ж =150o C

322

н

t r

Күтерілу уақыты

103

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

1017

н

t f

Күз мезгілі

171

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

84.2

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

63.7

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=600А,

R Қон =1,0Ω, R Гофф =2.2Ω, LСек =22nH,

V ГЭ =-8V/+15V, T ж =175o C

334

н

t r

Күтерілу уақыты

104

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

1048

н

t f

Күз мезгілі

187

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

89.8

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

65.4

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤6μс, V ГЭ =15В,

2000

A

T ж =175o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF = 450А,В ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.80

V

IF = 450А,В ГЭ =0В,Т ж =150o C

1.75

IF = 450А,В ГЭ =0В,Т ж =175o C

1.70

IF =600A,V ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.95

IF =600A,V ГЭ =0В,Т ж =150o C

1.95

IF =600A,V ГЭ =0В,Т ж =175o C

1.90

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =600А,

-di/dt=7040A/μs,V ГЭ =-8В LСек =22nH ,T ж =25o C

22.5

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

304

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

10.8

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =600А,

-di/dt=5790A/μs,V ГЭ =-8В LСек =22nH ,T ж =150o C

46.6

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

336

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

18.2

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =600А,

-di/dt=5520A/μs,V ГЭ =-8В LСек =22nH ,T ж =175o C

49.8

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

346

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

19.8

мЖ

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

T C=100 o Cр 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/501/Т 2— 1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/801/Т 2— 1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/1001/Т 2— 1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

8

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.75

mΩ

p

Максимальное давление в системе охлаждения шығып

2.5

бар

R тЖЖ

Бөлшеуіш —дейін —Салқындату Сұйық (perIGBT )Түйіннен-салқындату сұйықтығына (D бойынша йод) △V/ △t=10,0 dm 3/мИН ,T F =75o C

0.081 0.118

0.093 0.136

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, М4 бұрандасы

3.6 1.8

4.4 2.2

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

750

g