Қысқаша кіріспе
IGBT модулі , өндірілген STARPOWER. 1200V 200А.
Сипаттамалар
- Төмен VCE (sat) Trench IGBT технологиясы
- Қалпына келтіруден төмен шығындар
- Қысқа тұйықталу мүмкіндігі
- Оң температура коэффициентi бар VCE (sat)
- Жоғарғы түйісу температурасы 175oC
- Жедел және жұмсақ кері қалпына келтіру-бағыттас қарсы FWD
- Төмен индуктивтілік корпусы
- Изолированный радиатор с использованием технологии DBC
Типілік қолданулар
- Күн энергиясы
- UPS
- 3-деңгейлі- қолдану
Абсолютті Максимум Рейтингтер T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген
T1, T4 IGBT
Символ |
Сипаттама |
Мәндер |
Бірлік |
V CES |
Жинағыш-эмиттер кернеуі |
1200 |
V |
V ГЭС |
Қақпа-эмиттер кернеуі |
±20 |
V |
I Ц |
Коллектор токы @ T Ц =25 o Ц
@ Т Ц = 100o Ц
|
339
200
|
А |
I CM |
Импульсны коллектор токы t p = 1 мс |
400 |
А |
P D |
Максималды қуаттылық ж =175 o Ц |
1456 |
W |
D1, D4 Диод
Символ |
Сипаттама |
Мәні |
Бірлік |
V РРМ |
Қайталанатын ең жоғары кері кернеу |
1200 |
V |
I F |
Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу |
75 |
А |
I Fm |
Діод максималды жауапкерші токы t p = 1 мс |
150 |
А |
T2, T3 IGBT
Символ |
Сипаттама |
Мәні |
Бірлік |
V CES |
Жинағыш-эмиттер кернеуі |
650 |
V |
V ГЭС |
Қақпа-эмиттер кернеуі |
±20 |
V |
I Ц |
Коллектор токы @ T Ц =25 o Ц
@ Т Ц =95 o Ц
|
158
100
|
А |
I CM |
Импульсны коллектор токы t p = 1 мс |
200 |
А |
P D |
Максималды қуаттылық ж =175 o Ц |
441 |
W |
D2, D3 Диод
Символ |
Сипаттама |
Мәні |
Бірлік |
V РРМ |
Қайталанатын ең жоғары кері кернеу |
650 |
V |
I F |
Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу |
100 |
А |
I Fm |
Діод максималды жауапкерші токы t p = 1 мс |
200 |
А |
Модуль
Символ |
Сипаттама |
Мәні |
Бірлік |
T jmax |
Жоғарғы түйісу температурасы |
175 |
o Ц |
T жіп |
Жұмыс қиылысының температурасы |
-40-дан +150-ге дейін |
o Ц |
T ЖТГ |
Сақтау температурасы Диапазон |
-40-дан +125-ге дейін |
o Ц |
V ISO |
Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 минуты |
2500 |
V |
T1, T4 IGBT Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
|
V (Солтүстік Қазақстан)
|
Жинақтаушыдан эмитентке
Қанығу кернеуі
|
I Ц = 100А,В ГЭ = 15В, T ж =25 o Ц |
|
1.40 |
1.85 |
V
|
I Ц = 100А,В ГЭ = 15В, T ж =125 o Ц |
|
1.65 |
|
I Ц = 100А,В ГЭ = 15В, T ж =150 o Ц |
|
1.70 |
|
V ГЭ (th ) |
Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу |
I Ц =5.0 mА ,V CE = V ГЭ , T ж =25 o Ц |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
I CES |
Жинақтаушы Жібек -Ашылған
Жүк
|
V CE = V CES ,V ГЭ =0В,
T ж =25 o Ц
|
|
|
1.0 |
mА |
I ГЭС |
Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк |
V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25 o Ц |
|
|
400 |
nA |
R Гинт |
Ішкі қақпаның кедергісі лық |
|
|
3.8 |
|
ω |
Ц лар |
Кіріс сыйымдылығы |
V CE =25В,f=1Мхц,
V ГЭ =0В
|
|
20.7 |
|
нФ |
Ц ре |
Кері ауыстыру
Қуаттылық
|
|
0.58 |
|
нФ |
Q G |
Қақпалық төлем |
V ГЭ =- 15...+15В |
|
1.56 |
|
μC |
t d (қОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC =400V,I Ц = 100А, R G = 1. 1Ω,V ГЭ =±15В, T ж =25 o Ц
|
|
142 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
25 |
|
н |
t d (ашылған ) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
352 |
|
н |
t f |
Күз мезгілі |
|
33 |
|
н |
E қОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу
Жоғалту
|
|
1.21 |
|
мЖ |
E ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру
Жоғалту
|
|
3.90 |
|
мЖ |
t d (қОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC =400V,I Ц = 100А, R G = 1. 1Ω,V ГЭ =±15В, T ж = 125o Ц
|
|
155 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
29 |
|
н |
t d (ашылған ) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
440 |
|
н |
t f |
Күз мезгілі |
|
61 |
|
н |
E қОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу
Жоғалту
|
|
2.02 |
|
мЖ |
E ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру
Жоғалту
|
|
5.83 |
|
мЖ |
t d (қОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC =400V,I Ц = 100А, R G = 1. 1Ω,V ГЭ =±15В, T ж = 150o Ц
|
|
161 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
30 |
|
н |
t d (ашылған ) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
462 |
|
н |
t f |
Күз мезгілі |
|
66 |
|
н |
E қОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу
Жоғалту
|
|
2.24 |
|
мЖ |
E ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру
Жоғалту
|
|
6.49 |
|
мЖ |
|
I SC
|
SC деректері
|
t P ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,
T ж =150 o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В
|
|
800
|
|
А
|
D1,D4 Диод Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
|
V F
|
Алға қарай диод
Кернеу
|
I F =75А,В ГЭ =0В,Т ж =25 o Ц |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
I F =75А,В ГЭ =0В,Т ж = 125o Ц |
|
1.65 |
|
I F =75А,В ГЭ =0В,Т ж = 150o Ц |
|
1.65 |
|
Q r |
Алынған айыппұл |
V R =400V,I F =75А,
-di/dt=3500A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =25 o Ц
|
|
8.7 |
|
μC |
I RM |
Төменгі деңгейдің кері
Қайта қалпына келтіру тогы
|
|
122 |
|
А |
E рек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
2.91 |
|
мЖ |
Q r |
Алынған айыппұл |
V R =400V,I F =75А,
-di/dt=3500A/μs,V ГЭ =- 15В T ж = 125o Ц
|
|
17.2 |
|
μC |
I RM |
Төменгі деңгейдің кері
Қайта қалпына келтіру тогы
|
|
143 |
|
А |
E рек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
5.72 |
|
мЖ |
Q r |
Алынған айыппұл |
V R =400V,I F =75А,
-di/dt=3500A/μs,V ГЭ =- 15В T ж = 150o Ц
|
|
19.4 |
|
μC |
I RM |
Төменгі деңгейдің кері
Қайта қалпына келтіру тогы
|
|
152 |
|
А |
E рек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
6.30 |
|
мЖ |
T2,T3 IGBT Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
|
V (Солтүстік Қазақстан)
|
Жинақтаушыдан эмитентке
Қанығу кернеуі
|
I Ц = 100А,В ГЭ = 15В, T ж =25 o Ц |
|
1.45 |
1.90 |
V
|
I Ц = 100А,В ГЭ = 15В, T ж =125 o Ц |
|
1.60 |
|
I Ц = 100А,В ГЭ = 15В, T ж =150 o Ц |
|
1.70 |
|
V ГЭ (th ) |
Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу |
I Ц = 1.60mA,V CE =V ГЭ , T ж =25 o Ц |
5.0 |
5.8 |
6.5 |
V |
I CES |
Жинақтаушы Жібек -Ашылған
Жүк
|
V CE = V CES ,V ГЭ =0В,
T ж =25 o Ц
|
|
|
1.0 |
mА |
I ГЭС |
Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк |
V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25 o Ц |
|
|
400 |
nA |
R Гинт |
Ішкі қақпаның кедергісі лық |
|
|
2.0 |
|
ω |
Ц лар |
Кіріс сыйымдылығы |
V CE =25В,f=1Мхц,
V ГЭ =0В
|
|
11.6 |
|
нФ |
Ц ре |
Кері ауыстыру
Қуаттылық
|
|
0.23 |
|
нФ |
Q G |
Қақпалық төлем |
V ГЭ =- 15...+15В |
|
0.69 |
|
μC |
t d (қОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC =400V,I Ц = 100А, R G =3.3Ω,V ГЭ =±15В, T ж =25 o Ц
|
|
44 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
20 |
|
н |
t d (ашылған ) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
200 |
|
н |
t f |
Күз мезгілі |
|
28 |
|
н |
E қОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу
Жоғалту
|
|
1.48 |
|
мЖ |
E ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру
Жоғалту
|
|
2.48 |
|
мЖ |
t d (қОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC =400V,I Ц = 100А, R G =3.3Ω,V ГЭ =±15В, T ж = 125o Ц
|
|
48 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
24 |
|
н |
t d (ашылған ) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
216 |
|
н |
t f |
Күз мезгілі |
|
40 |
|
н |
E қОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу
Жоғалту
|
|
2.24 |
|
мЖ |
E ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру
Жоғалту
|
|
3.28 |
|
мЖ |
t d (қОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC =400V,I Ц = 100А, R G =3.3Ω,V ГЭ =±15В, T ж = 150o Ц
|
|
52 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
24 |
|
н |
t d (ашылған ) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
224 |
|
н |
t f |
Күз мезгілі |
|
48 |
|
н |
E қОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу
Жоғалту
|
|
2.64 |
|
мЖ |
E ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру
Жоғалту
|
|
3.68 |
|
мЖ |
|
I SC
|
SC деректері
|
t P ≤6μs,V ГЭ = 15В,
T ж =150 o C,V CC =360В, V КЕМ ≤650В
|
|
500
|
|
А
|
D2,D3 Диод Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
|
V F
|
Алға қарай диод
Кернеу
|
I F = 100А,В ГЭ =0В,Т ж =25 o Ц |
|
1.55 |
2.00 |
V
|
I F = 100А,В ГЭ =0В,Т ж = 125o Ц |
|
1.50 |
|
I F = 100А,В ГЭ =0В,Т ж = 150o Ц |
|
1.45 |
|
Q r |
Алынған айыппұл |
V R =400V,I F = 100А,
-di/dt=4070A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =25 o Ц
|
|
3.57 |
|
μC |
I RM |
Төменгі деңгейдің кері
Қайта қалпына келтіру тогы
|
|
99 |
|
А |
E рек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
1.04 |
|
мЖ |
Q r |
Алынған айыппұл |
V R =400V,I F = 100А,
-di/dt=4070A/μs,V ГЭ =- 15В T ж = 125o Ц
|
|
6.49 |
|
μC |
I RM |
Төменгі деңгейдің кері
Қайта қалпына келтіру тогы
|
|
110 |
|
А |
E рек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
1.70 |
|
мЖ |
Q r |
Алынған айыппұл |
V R =400V,I F = 100А,
-di/dt=4070A/μs,V ГЭ =- 15В T ж = 150o Ц
|
|
7.04 |
|
μC |
I RM |
Төменгі деңгейдің кері
Қайта қалпына келтіру тогы
|
|
110 |
|
А |
E рек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
1.81 |
|
мЖ |
НТК Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
R 25 |
Атаулы кедергі |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
Ауыспалы туралы R 100 |
T Ц = 100 o C,R 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Күш
Диссипация
|
|
|
|
20.0 |
мW |
Б 25/50 |
B-құндылығы |
R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2-
1 / 298.15K))]
|
|
3375 |
|
К |
Б 25/80 |
B-құндылығы |
R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2-
1 / 298.15K))]
|
|
3411 |
|
К |
Б 25/100 |
B-құндылығы |
R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2-
1 / 298.15K))]
|
|
3433 |
|
К |
Модуль Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
|
R тЖК
|
Бөлшекпен байланысы (Т1 бойынша), Т4 IGBT)
Жалын-қоры (әр D1,D4 Dio үшін de)
Жалын-қоры (әр T2, T3 IGBT)
Жол-қабырға (D2,D3 Дио бойынша) de)
|
|
0.094
0.405
0.309
0.544
|
0.103
0.446
0.340
0.598
|
К/W
|
|
R тХ
|
Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр T1,T4 IGBT)
Қабырға-Жар алыққа (D1,D4 бойынша) Диод)
Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр T2,T3 IGBT)
Қабырға-Жар алыққа (D2,D3 бойынша) Диод)
Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)
|
|
0.126
0.547
0.417
0.733
0.037
|
|
К/W
|
F |
Әр құның қуаты |
40 |
|
80 |
Н |
G |
Салмағы туралы Модуль |
|
39 |
|
g |
EN
