GD200TLQ120L3S, IGBT модуль, 3-деңгейлі, STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C

@ Т C= 100o C

339

200

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p = 1 мс

400

A

PD

Максималды қуаттылық ж =175o C

1456

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

V

IF

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

75

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p = 1 мс

150

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

650

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C

@ Т C=95o C

158

100

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p = 1 мс

200

A

PD

Максималды қуаттылық ж =175o C

441

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

650

V

IF

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

100

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p = 1 мс

200

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 мИН

2500

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

IC= 100А,В ГЭ = 15В, T ж =25o C

1.40

1.85

V

IC= 100А,В ГЭ = 15В, T ж =125o C

1.65

IC= 100А,В ГЭ = 15В, T ж =150o C

1.70

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=5.0mА ,V CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған

Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В,

T ж =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

3.8

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

20.7

нФ

Cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

0.58

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

1.56

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I C= 100А, R G= 1. 1Ω,V ГЭ =±15В, T ж =25o C

142

н

t r

Күтерілу уақыты

25

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

352

н

t f

Күз мезгілі

33

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

1.21

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

3.90

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I C= 100А, R G= 1. 1Ω,V ГЭ =±15В, T ж = 125o C

155

н

t r

Күтерілу уақыты

29

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

440

н

t f

Күз мезгілі

61

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

2.02

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

5.83

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I C= 100А, R G= 1. 1Ω,V ГЭ =±15В, T ж = 150o C

161

н

t r

Күтерілу уақыты

30

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

462

н

t f

Күз мезгілі

66

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

2.24

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

6.49

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

T ж =150o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

800

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

IF =75А,В ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.70

2.15

V

IF =75А,В ГЭ =0В,Т ж = 125o C

1.65

IF =75А,В ГЭ =0В,Т ж = 150o C

1.65

Qr

Алынған айыппұл

V R =400V,I F =75А,

-di/dt=3500A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =25o C

8.7

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

122

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

2.91

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =400V,I F =75А,

-di/dt=3500A/μs,V ГЭ =- 15В T ж = 125o C

17.2

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

143

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

5.72

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =400V,I F =75А,

-di/dt=3500A/μs,V ГЭ =- 15В T ж = 150o C

19.4

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

152

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

6.30

мЖ

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

IC= 100А,В ГЭ = 15В, T ж =25o C

1.45

1.90

V

IC= 100А,В ГЭ = 15В, T ж =125o C

1.60

IC= 100А,В ГЭ = 15В, T ж =150o C

1.70

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC= 1.60mA,V CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.0

5.8

6.5

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған

Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В,

T ж =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

2.0

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

11.6

нФ

Cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

0.23

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

0.69

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I C= 100А, R G=3.3Ω,V ГЭ =±15В, T ж =25o C

44

н

t r

Күтерілу уақыты

20

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

200

н

t f

Күз мезгілі

28

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

1.48

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

2.48

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I C= 100А, R G=3.3Ω,V ГЭ =±15В, T ж = 125o C

48

н

t r

Күтерілу уақыты

24

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

216

н

t f

Күз мезгілі

40

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

2.24

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

3.28

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I C= 100А, R G=3.3Ω,V ГЭ =±15В, T ж = 150o C

52

н

t r

Күтерілу уақыты

24

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

224

н

t f

Күз мезгілі

48

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

2.64

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

3.68

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤6μs,V ГЭ = 15В,

T ж =150o C,V CC =360В, V КЕМ ≤650В

500

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

IF = 100А,В ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.55

2.00

V

IF = 100А,В ГЭ =0В,Т ж = 125o C

1.50

IF = 100А,В ГЭ =0В,Т ж = 150o C

1.45

Qr

Алынған айыппұл

V R =400V,I F = 100А,

-di/dt=4070A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =25o C

3.57

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

99

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

1.04

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =400V,I F = 100А,

-di/dt=4070A/μs,V ГЭ =- 15В T ж = 125o C

6.49

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

110

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

1.70

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =400V,I F = 100А,

-di/dt=4070A/μs,V ГЭ =- 15В T ж = 150o C

7.04

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

110

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

1.81

мЖ

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

δR/R

Ауыспалы туралы R 100

T C= 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/501/Т 2—

1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/801/Т 2—

1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/1001/Т 2—

1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R тЖК

Бөлшекпен байланысы (Т1 бойынша), Т4 IGBT)

Жалын-қоры (әр D1,D4 Dio үшін de)

Жалын-қоры (әр T2, T3 IGBT)

Жол-қабырға (D2,D3 Дио бойынша) de)

0.094

0.405

0.309

0.544

0.103

0.446

0.340

0.598

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр T1,T4 IGBT)

Қабырға-Жар алыққа (D1,D4 бойынша) Диод)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр T2,T3 IGBT)

Қабырға-Жар алыққа (D2,D3 бойынша) Диод)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.126

0.547

0.417

0.733

0.037

К/W

F

Әр құның қуаты

40

80

N

G

Салмағы туралы Модуль

39

g