GD600HFX120C2SAD_B20 ,IGBT Модулі,STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

Өткінші қақпа-эмиттер кернеуі

±20 ±30

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C @ T C=100o C

1096

600

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

1200

A

PD

Максималды қуаттылық vj =175o C

3947

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

IF

Диодтің үзілмейтін алдыңғы токы нент

600

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

1200

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

4000

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC=600A,V ГЭ =15В, T vj =25o C

1.70

2.15

V

IC=600A,V ГЭ =15В, T vj =125o C

2.05

IC=600A,V ГЭ =15В, T vj =150o C

2.15

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=24.0mА ,V CE =V ГЭ , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

1.25

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В

64.7

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

1.88

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15...+15В

5.38

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=600А, R G=1.5Ω, LСек =50nH , V ГЭ =±15В,Т vj =25o C

314

н

t r

Күтерілу уақыты

105

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

527

н

t f

Күз мезгілі

151

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

63.7

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

53.3

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=600А, R G=1.5Ω, LСек =50nH , V ГЭ =±15В,Т vj =125o C

350

н

t r

Күтерілу уақыты

117

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

591

н

t f

Күз мезгілі

315

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

96.5

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

72.2

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=600А, R G=1.5Ω, LСек =50nH , V ГЭ =±15В,Т vj =150o C

359

н

t r

Күтерілу уақыты

120

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

604

н

t f

Күз мезгілі

328

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

105

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

75.6

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T vj =150o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

2400

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =600A,V ГЭ =0В,Т vj =25o C

1.65

2.10

V

IF =600A,V ГЭ =0В,Т vj =125o C

1.65

IF =600A,V ГЭ =0В,Т vj =150o C

1.60

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =600А,

-di/dt=5130A/μs, L Сек =50nH, V ГЭ =-15В,T vj =25o C

38.6

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

313

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

10.8

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =600А,

-ди/дт=4440А/мкс, L Сек =50nH, V ГЭ =-15В,T vj =125o C

76.1

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

368

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

22.5

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =600А,

-ди/дт=4240А/мкс, L Сек =50nH, V ГЭ =-15В,T vj =150o C

88.9

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

387

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

26.2

мЖ

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.42

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш —дейін —Қорап (perIGBT ) Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.038 0.068

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль)

0.031 0.056 0.010

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

320

g