GD300MPX120C6SA, IGBT Модуль, STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C @ T C=100o C

468

300

A

ICRM

Қайталанатын Шұңқыры Жинақтаушы Жүк tp шектеулі арқылы T vjop

600

A

PD

Максималды қуаттылық vj =175o C

1530

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

300

A

IҚРМ

Қайталанатын Шұңқыры Алға Жүк tp шектеулі арқылы T vjop

600

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

300

A

IҚРМ

Қайталанатын Шұңқыры Алға Жүк tp шектеулі арқылы T vjop

600

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

2500

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC=300A,V ГЭ =15В, T vj =25o C

1.70

2.15

V

IC=300A,V ГЭ =15В, T vj =125o C

1.95

IC=300A,V ГЭ =15В, T vj =150o C

2.00

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=12.0mА ,V CE =V ГЭ , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

2.5

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

31.1

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.87

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

2.33

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=300A, R G=2.4Ω,Ls=35нГ, V ГЭ =±15В,Т vj =25o C

215

н

t r

Күтерілу уақыты

53

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

334

н

t f

Күз мезгілі

205

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

21.5

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

20.7

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=300A, R G=2.4Ω,Ls=35нГ, V ГЭ =±15В,Т vj =125o C

231

н

t r

Күтерілу уақыты

59

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

361

н

t f

Күз мезгілі

296

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

30.1

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

28.1

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=300A, R G=2.4Ω,Ls=35нГ, V ГЭ =±15В,Т vj =150o C

240

н

t r

Күтерілу уақыты

62

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

376

н

t f

Күз мезгілі

311

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

32.9

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

29.9

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T vj =150o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

1200

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =300A,V ГЭ =0В,Т vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =300A,V ГЭ =0В,Т vj =125o C

1.90

IF =300A,V ГЭ =0В,Т vj =150o C

1.95

Qr

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =300A,

-ди/дt=2937А/мкс, Ls=70нГ, V ГЭ =-15В,T vj =25o C

36.3

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

235

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

15.7

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =300A,

-ди/дt=2720А/мкс, Ls=70нГ, V ГЭ =-15В,T vj =125o C

61.3

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

257

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

27.5

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =300A,

-ди/дt=2616А/мкс, Ls=70нГ, V ГЭ =-15В,T vj =150o C

68.8

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

262

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

30.8

мЖ

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =300A,V ГЭ =0В,Т vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =300A,V ГЭ =0В,Т vj =125o C

1.90

IF =300A,V ГЭ =0В,Т vj =150o C

1.95

Qr

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =300A,

-ди/дt=5683А/мкс,Ls=35нГ, V ГЭ =-15В,T vj =25o C

36.2

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

290

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

13.4

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =300A,

-ди/дt=4958А/мкс,Ls=35нГ, V ГЭ =-15В,T vj =125o C

56.6

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

301

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

22.2

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =300A,

-ди/дt=4673A/мкс,Ls=35нГ, V ГЭ =-15В,T vj =150o C

65.9

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

306

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

26.3

мЖ

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

T C=100 o Cр 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/501/Т 2— 1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/801/Т 2— 1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/1001/Т 2— 1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

35

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

1.45

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш —дейін —Қорап (perIGBT —инвертор ) Жалама-қабына (әр Диод-invert ер) Жалама-қабына (әр Диод-3-ле вел)

0.098 0.176 0.176

К/W

R тХ

Қабына-Темір (әр IGBT-in verter) Қабына-Темір (әр Диод-i оңтүстік) Қабына-Темір (әр Диод-3- деңгей) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.033 0.059 0.059 0.009

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, Болт M5

3.0 3.0

6.0 6.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

350

g