GD400HTX120P6H,IGBT Модульі,STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

ICN

Коллекторды іске асыру рент

400

A

IC

Коллектор токы @ T F =120o C

250

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

800

A

PD

Максималды қуат тарату ация @ T F =75o C T ж =175o C

970

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V РРМ

Қайталанатын шың кері кернеу гЭ

1200

V

IБФ

Коллекторды іске асыру рент

400

A

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

250

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

800

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T жіп

Жұмыс қиылысы температурасы үздіксіз

10 секунд ішінде 30 секунд, пайда болуы өмір бойы максимум 3000 рет мен

-40-дан +150-ге дейін +150-ден +175 дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 мИН

2500

V

d Жүрекке сырғанау

Терминалды жылу сорғысына Терминалдан терминалға

9.0 9.0

мм

d Таза

Терминалды жылу сорғысына Терминалдан терминалға

4.5 4.5

мм

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC=250A,V ГЭ =15В, T ж =25o C

1.45

1.80

V

IC=250A,V ГЭ =15В, T ж =125o C

1.65

IC=250A,V ГЭ =15В, T ж =150o C

1.70

IC=380A,V ГЭ =15В, T ж =25o C

1.70

IC=380A,V ГЭ =15В, T ж =150o C

2.15

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=9.75mА ,V CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

2.4

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В

33.6

нФ

Cлық

Шығарылымдық сыйымдылық

1.43

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.82

нФ

QG

Қақпалық төлем

V CE = 600В,I C =250A, V ГЭ =-8...+15В

1.98

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=250А, R G=2.2Ω, LСек =24nH ,V ГЭ =-8V/+15V,

T ж =25o C

231

н

t r

Күтерілу уақыты

50

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

545

н

t f

Күз мезгілі

172

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

19.6

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

23.2

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=250А, R G=2.2Ω, LСек =24nH ,V ГЭ =-8V/+15V,

T ж =125o C

241

н

t r

Күтерілу уақыты

57

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

619

н

t f

Күз мезгілі

247

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

26.6

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

28.7

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=250А, R G=2.2Ω, LСек =24nH ,V ГЭ =-8V/+15V,

T ж =150o C

245

н

t r

Күтерілу уақыты

57

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

641

н

t f

Күз мезгілі

269

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

30.1

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

30.9

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤6μс, V ГЭ =15В,

T ж =150o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

1200

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =250A,V ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.50

1.90

V

IF =250A,V ГЭ =0В,Т ж =125o C

1.45

IF =250A,V ГЭ =0В,Т ж =150o C

1.40

IF =380A,V ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.65

IF =380A,V ГЭ =0В,Т ж =150o C

1.60

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =250А,

-di⁄dt=4860A⁄μs,V ГЭ =-8В LСек =24nH ,T ж =25o C

9.10

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

160

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

4.39

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =250А,

-di/dt=4300A/μs,V ГЭ =-8В LСек =24nH ,T ж =125o C

21.4

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

192

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

8.43

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =250А,

-di/dt=4120A/μs,V ГЭ =-8В LСек =24nH ,T ж =150o C

25.7

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

203

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

9.97

мЖ

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

T C=100 o Cр 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/501/Т 2— 1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/801/Т 2— 1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/1001/Т 2— 1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

8

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.75

mΩ

△p

△V/ △t=10,0 dm 3/мИН ,T F =75o C

64

мбар

p

Тоңазытудағы ең жоғары қысым қайырма

2.5

бар

R тЖЖ

Жалғастық-охлаждаушы сірке (пер IGBT) Түйіннен-салқындату сұйықтығына (D бойынша йод) △V/ △t=10,0 dm 3/мИН ,T F =75o C

0.090 0.126

0.103 0.145

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, М4 бұрандасы

3.6 1.8

4.4 2.2

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

750

g