GD400HTX120P6H,IGBT Модульі,STARPOWER

Символ

Сипаттама

Мәндер

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I КН

Коллекторды іске асыру рент

400

А

I Ц

Коллектор токы @ T F =120 o Ц

250

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

800

А

P D

Максималды қуат тарату ация @ T F =75 o Ц T ж =175 o Ц

970

W

Символ

Сипаттама

Мәндер

Бірлік

V РРМ

Қайталанатын шың кері кернеу гЭ

1200

V

I БФ

Коллекторды іске асыру рент

400

А

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

250

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

800

А

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o Ц

T жіп

Жұмыс қиылысы температурасы үздіксіз

10 секунд ішінде 30 секунд, пайда болуы өмір бойы максимум 3000 рет мен

-40-дан +150-ге дейін +150-ден +175 дейін

o Ц

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o Ц

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 минуты

2500

V

d Жүрекке сырғанау

Терминалды жылу сорғысына Терминалдан терминалға

9.0 9.0

мм

d Таза

Терминалды жылу сорғысына Терминалдан терминалға

4.5 4.5

мм

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц =250A,V ГЭ =15В, T ж =25 o Ц

1.45

1.80

V

I Ц =250A,V ГЭ =15В, T ж =125 o Ц

1.65

I Ц =250A,V ГЭ =15В, T ж =150 o Ц

1.70

I Ц =380A,V ГЭ =15В, T ж =25 o Ц

1.70

I Ц =380A,V ГЭ =15В, T ж =150 o Ц

2.15

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =9.75 mА ,V CE = V ГЭ , T ж =25 o Ц

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25 o Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25 o Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

2.4

ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В

33.6

нФ

Ц лық

Шығарылымдық сыйымдылық

1.43

нФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.82

нФ

Q G

Қақпалық төлем

V CE = 600В,I Ц =250A, V ГЭ =-8...+15В

1.98

μC

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =250А, R G =2.2Ω, L S =24 nH ,V ГЭ =-8V/+15V,

T ж =25 o Ц

231

н

t r

Күтерілу уақыты

50

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

545

н

t f

Күз мезгілі

172

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

19.6

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

23.2

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =250А, R G =2.2Ω, L S =24 nH ,V ГЭ =-8V/+15V,

T ж =125 o Ц

241

н

t r

Күтерілу уақыты

57

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

619

н

t f

Күз мезгілі

247

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

26.6

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

28.7

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =250А, R G =2.2Ω, L S =24 nH ,V ГЭ =-8V/+15V,

T ж =150 o Ц

245

н

t r

Күтерілу уақыты

57

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

641

н

t f

Күз мезгілі

269

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

30.1

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

30.9

мЖ

I SC

SC деректері

t P ≤6μс, V ГЭ =15В,

T ж =150 o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

1200

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =250A,V ГЭ =0В,Т ж =25 o Ц

1.50

1.90

V

I F =250A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 25o Ц

1.45

I F =250A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 50o Ц

1.40

I F =380A,V ГЭ =0В,Т ж =25 o Ц

1.65

I F =380A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 50o Ц

1.60

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =250А,

-di⁄dt=4860A⁄μs,V ГЭ =-8В L S =24 nH ,T ж =25 o Ц

9.10

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

160

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

4.39

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =250А,

-di/dt=4300A/μs,V ГЭ =-8В L S =24 nH ,T ж =125 o Ц

21.4

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

192

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

8.43

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =250А,

-di/dt=4120A/μs,V ГЭ =-8В L S =24 nH ,T ж =150 o Ц

25.7

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

203

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

9.97

мЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

T Ц =100 o Ц р 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

8

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.75

mΩ

△ p

△ V/ △ t=10,0 dm 3/минуты ,T F =75 o Ц

64

мбар

p

Тоңазытудағы ең жоғары қысым қайырма

2.5

бар

R тЖЖ

Жалғастық-охлаждаушы сірке (пер IGBT) Түйіннен-салқындату сұйықтығына (D бойынша йод) △ V/ △ t=10,0 dm 3/минуты ,T F =75 o Ц

0.090 0.126

0.103 0.145

К/W

М

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, М4 бұрандасы

3.6 1.8

4.4 2.2

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

750

g