1700V 650A
Қысқаша кіріспе лық
IGBT модулі , STARPOWER компаниясы шығарған. 1700В 650А
Қасиеттері
Үлгілік Қолданыстар
Абсолютті Максимум Рейтингтер T C=25o C егер каланын ескерту
IGBT
Символ |
СИПАТТАМАСЫ |
Мәні |
Бірлік |
V CES |
Жинағыш-эмиттер кернеуі |
1700 |
V |
V ГЭС |
Қақпа-эмиттер кернеуі |
±20 |
V |
Мен C |
Коллектор токы @ T C=25o C @ Т C= 100o C |
1073 650 |
A |
Мен См |
Импульсны коллектор токы t p =1 мс |
1300 |
A |
PD |
Максималды қуаттылық ж =175o C |
4.2 |
кВт |
Диод
Символ |
СИПАТТАМАСЫ |
Мәні |
Бірлік |
V РРМ |
Қайталанатын ең жоғары кері кернеу |
1700 |
V |
Мен F |
Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу |
650 |
A |
Мен Fm |
Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс |
1300 |
A |
Модуль
Символ |
СИПАТТАМАСЫ |
Мәні |
Бірлік |
T jmax |
Жоғарғы түйісу температурасы |
175 |
o C |
T жіп |
Жұмыс қиылысының температурасы |
-40-дан +150-ге дейін |
o C |
T ЖТГ |
Сақтау температурасы Диапазон |
-40-дан +150-ге дейін |
o C |
V ISO |
Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t= 1 минут |
4000 |
V |
IGBT Характеристикалар T C=25o C егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
|
V (Солтүстік Қазақстан) |
Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі |
Мен C=650A,V ГЭ =15В, T ж =25o C |
|
1.90 |
2.35 |
V |
Мен C=650A,V ГЭ =15В, T ж =125o C |
|
2.35 |
|
|||
Мен C=650A,V ГЭ =15В, T ж =150o C |
|
2.45 |
|
|||
V ГЭ (th) |
Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу |
Мен C=24.0mА ,V CE =V ГЭ , T ж =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Мен CES |
Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк |
V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25o C |
|
|
5.0 |
mА |
Мен ГЭС |
Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк |
V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Гинт |
Ішкі қақпаның кедергісі лық |
|
|
2.3 |
|
ω |
Cлар |
Кіріс сыйымдылығы |
V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В |
|
72.3 |
|
нФ |
Cре |
Кері ауыстыру Қуаттылық |
|
1.75 |
|
нФ |
|
С Г |
Қақпалық төлем |
V ГЭ =- 15...+15В |
|
5.66 |
|
μC |
t d (қосылған ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC =900V,I C=650A, R Қон = 1.8Ω,R Гофф =2,7Ω, V ГЭ =±15В,Т ж =25o C |
|
468 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
86 |
|
н |
|
t d (ашылған ) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
850 |
|
н |
|
t f |
Күз мезгілі |
|
363 |
|
н |
|
Eқосылған |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
226 |
|
мЖ |
|
Eашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
161 |
|
мЖ |
|
t d (қосылған ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC =900V,I C=650A, R Қон = 1.8Ω,R Гофф =2,7Ω, V ГЭ =±15В,Т ж = 125o C |
|
480 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
110 |
|
н |
|
t d (ашылған ) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
1031 |
|
н |
|
t f |
Күз мезгілі |
|
600 |
|
н |
|
Eқосылған |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
338 |
|
мЖ |
|
Eашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
226 |
|
мЖ |
|
t d (қосылған ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC =900V,I C=650A, R Қон = 1.8Ω,R Гофф =2,7Ω, V ГЭ =±15В,Т ж = 150o C |
|
480 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
120 |
|
н |
|
t d (ашылған ) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
1040 |
|
н |
|
t f |
Күз мезгілі |
|
684 |
|
н |
|
Eқосылған |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
368 |
|
мЖ |
|
Eашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
242 |
|
мЖ |
|
|
Мен SC |
SC деректері |
t P≤ 10 мкс,В ГЭ =15В, T ж =150o C,V CC = 1000В, V КЕМ ≤1700В |
|
2600 |
|
A |
Диод Характеристикалар T C=25o C егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
|
V F |
Алға қарай диод Кернеу |
Мен F =650A,V ГЭ =0В,Т ж =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V |
Мен F =650A,V ГЭ =0В,Т ж = 125o C |
|
1.98 |
|
|||
Мен F =650A,V ГЭ =0В,Т ж = 150o C |
|
2.02 |
|
|||
С r |
Алынған айыппұл |
V R =900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =25o C |
|
176 |
|
μC |
Мен RM |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
|
765 |
|
A |
|
Eрек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
87.4 |
|
мЖ |
|
С r |
Алынған айыппұл |
V R =900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V ГЭ =- 15В T ж = 125o C |
|
292 |
|
μC |
Мен RM |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
|
798 |
|
A |
|
Eрек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
159 |
|
мЖ |
|
С r |
Алынған айыппұл |
V R =900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V ГЭ =- 15В T ж = 150o C |
|
341 |
|
μC |
Мен RM |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
|
805 |
|
A |
|
Eрек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
192 |
|
мЖ |
НТК Характеристикалар T C=25o C егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
R 25 |
Атаулы кедергі |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
Ауыспалы туралы R 100 |
T C= 100 o C,R 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
Күш Диссипация |
|
|
|
20.0 |
мW |
Б 25/50 |
B-құндылығы |
R 2=R 25қашықтықтан [B 25/501/Т 2— 1 / 298.15K))] |
|
3375 |
|
К |
Б 25/80 |
B-құндылығы |
R 2=R 25қашықтықтан [B 25/801/Т 2— 1 / 298.15K))] |
|
3411 |
|
К |
Б 25/100 |
B-құндылығы |
R 2=R 25қашықтықтан [B 25/1001/Т 2— 1 / 298.15K))] |
|
3433 |
|
К |
Модуль Характеристикалар T C=25o C егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
LCE |
Айналадағы индуктивтілік |
|
18 |
|
nH |
R CC+EE |
Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке |
|
0.30 |
|
mΩ |
R тЖК |
Қатысу (IGB бойынша) Т) Құрамына байланысты (D-ға) йод) |
|
|
35.8 71.3 |
K/kW |
|
R тХ |
Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль) |
|
13.5 26.9 4.5 |
|
K/kW |
|
Мин |
Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М4 бұрандасы Жабықтыру басымдарының Момент, М8 бұрандасы Монументтік момент, Болт M5 |
1.8 8.0 3.0 |
|
2.1 10.0 6.0 |
Н.М |
Г |
Салмағы туралы Модуль |
|
810 |
|
г |
Біздің кәсіби сату тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.
EN
