GD650HFX170P1S,IGBT Модулі,STARPOWER

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц =650A,V ГЭ =15В, T ж =25 o Ц

1.90

2.35

V

I Ц =650A,V ГЭ =15В, T ж =125 o Ц

2.35

I Ц =650A,V ГЭ =15В, T ж =150 o Ц

2.45

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц = 24,0 mА ,V CE = V ГЭ , T ж =25 o Ц

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В,

T ж =25 o Ц

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25 o Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

2.3

ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

72.3

нФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

1.75

нФ

Q G

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

5.66

μC

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =650A, R Қон = 1.8Ω,R Гофф =2,7Ω, V ГЭ =±15В,Т ж =25 o Ц

468

н

t r

Күтерілу уақыты

86

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

850

н

t f

Күз мезгілі

363

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

226

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

161

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =650A, R Қон = 1.8Ω,R Гофф =2,7Ω, V ГЭ =±15В,Т ж = 125o Ц

480

н

t r

Күтерілу уақыты

110

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

1031

н

t f

Күз мезгілі

600

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

338

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

226

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =650A, R Қон = 1.8Ω,R Гофф =2,7Ω, V ГЭ =±15В,Т ж = 150o Ц

480

н

t r

Күтерілу уақыты

120

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

1040

н

t f

Күз мезгілі

684

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

368

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

242

мЖ

I SC

SC деректері

t P ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

T ж =150 o C,V CC = 1000В, V КЕМ ≤1700В

2600

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =650A,V ГЭ =0В,Т ж =25 o Ц

1.85

2.30

V

I F =650A,V ГЭ =0В,Т ж = 125o Ц

1.98

I F =650A,V ГЭ =0В,Т ж = 150o Ц

2.02

Q r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =25 o Ц

176

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

765

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

87.4

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V ГЭ =- 15В T ж = 125o Ц

292

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

798

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

159

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V ГЭ =- 15В T ж = 150o Ц

341

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

805

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

192

мЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

δR/R

Ауыспалы туралы R 100

T Ц = 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2-

1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2-

1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2-

1 / 298.15K))]

3433

К