IGBT Модулі 1200V

Символ

сипаттама

GD400HFL120C2S

бірліктері

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тоғысы @tc=25°C

@ Тc=80°C

730

400

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp= 1мс

800

a)

if

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

400

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

800

a)

pd

Максималды қуат тарату @ Tj= 175°C

2778

w

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

°C

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

°C

tЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

°C

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут

4000

v

орнатуАуысуқозғалтқыш күші

Қуат терминалының бұрандасы:M6

Тіркемелік бұранда:M6

2,5 -ге дейінАуысу5.0

3.0-денАуысу5.0

n.m

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

v(BR)CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

tj=25°C

1200

Ауысу

Ауысу

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,tj=25°C

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

400

н

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=Ауысу16,0 мА,Влы=VГЭ,tj=25°C

5.0

6.2

7.0

v

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

1.90

2.35

Ауысу

v

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=125°C

Ауысу

2.10

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=400А,Ауысуrg=4.Ауысу1Ω,

vГЭ=±15В,tj=25°C

Ауысу

910

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

200

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

848

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

110

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

33.5

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

39.5

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=400А,Ауысуrg=4.Ауысу1Ω,

vГЭ=±15В,tj=125°C

Ауысу

1047

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

201

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

998

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

150

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

46.0

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

57.6

Ауысу

МЖ

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

29.7

Ауысу

НФ

cлық

Шығарылымдық сыйымдылық

Ауысу

2.08

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

1.36

Ауысу

НФ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15АуысуV,

tj=125°C,vCC= 900В,АуысуvКЕМ≤ 1200В

Ауысу

Ауысу

1800

Ауысу

Ауысу

a)

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

Ауысу

Ауысу

0.5

Ауысу

О

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

Ауысу

18

nH

Ауысу

rCC+EE

Модульді жетек

қарсылық,

Терминалдан чипке

Ауысу

Ауысу

Ауысу

0.32

Ауысу

mΩ

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=400А

tj=25°C

Ауысу

1.80

2.20

v

tj=125°C

Ауысу

1.85

Ауысу

qr

Қайта қалпына келтірілген

айыппұл

if=400А,

vr=600В,

rg=4.Ауысу1Ω,

vГЭ=-15В

tj=25°C

Ауысу

26

Ауысу

μC

tj=125°C

Ауысу

49

Ауысу

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

tj=25°C

Ауысу

212

Ауысу

a)

tj=125°C

Ауысу

281

Ауысу

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

tj=25°C

Ауысу

23.4

Ауысу

МЖ

tj=125°C

Ауысу

33.8

Ауысу

Символ

параметр

Тип.

ең көп.

бірліктері

rθЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Ауысу

0.054

К/W

rθЖК

Құрамына байланысты (D-ға)йод)

Ауысу

0.093

К/W

rθКС

Қаптамадан раковинаға дейін (Жеңілгіш майды қолдану)өтірік)

0.032

Ауысу

К/W

салмағы

салмағыАуысуМодуль

350

Ауысу

g