GD300HFU120C2SD,IGBT Модулі,STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C @ T C=100o C

320

300

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

600

A

PD

Максималды қуаттылық ж =175o C

1063

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

300

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

600

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

2500

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC=300A,V ГЭ =15В, T ж =25o C

1.40

1.85

V

IC=300A,V ГЭ =15В, T ж =125o C

1.60

IC=300A,V ГЭ =15В, T ж =175o C

1.60

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=8mА ,V CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.5

6.3

7.0

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

1.5

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В

51.5

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.36

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

4.50

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=300A, R G=1.5Ω,Ls=32нГ, V ГЭ =±15В,

T ж =25o C

405

н

t r

Күтерілу уақыты

83

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

586

н

t f

Күз мезгілі

129

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

34.3

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

19.3

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=300A, R G=1.5Ω,Ls=32нГ, V ГЭ =±15В,

T ж =125o C

461

н

t r

Күтерілу уақыты

107

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

676

н

t f

Күз мезгілі

214

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

48.0

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

26.6

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=300A, R G=1.5Ω,Ls=32нГ, V ГЭ =±15В,

T ж =175o C

518

н

t r

Күтерілу уақыты

124

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

738

н

t f

Күз мезгілі

264

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

58.1

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

31.7

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤7мс, V ГЭ =15В,

T ж =150o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

1150

A

t P≤6μс, V ГЭ =15В,

T ж =175o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

1110

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =300A,V ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.60

2.00

V

IF =300A,V ГЭ =0В,Т ж =125o C

1.60

IF =300A,V ГЭ =0В,Т ж =175o C

1.50

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =300A,

-ди/дт=3135А/мс,V ГЭ =-15V, Ls=32нГ,T ж =25o C

19.1

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

140

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

4.92

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =300A,

-ди/дт=2516А/мс,V ГЭ =-15В Ls=32нГ,T ж =125o C

33.7

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

159

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

9.35

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =300A,

-ди/дт=2204А/мс,V ГЭ =-15В Ls=32нГ,T ж =175o C

46.8

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

171

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

13.7

мЖ

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

21

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі нц,Терминалге дейін

1.80

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш —дейін —Қорап (perIGBT ) Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.141 0.243

К/W

R тХ

Қорап —дейін —Жылу сорғышы (perIGBT )Корпус-радиатор (pe r Диод) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.085 0.147 0.009

К/W

Мин

Тіркемелік бұранда:M6

3.0

6.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g