Символ |
Параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
V (Солтүстік Қазақстан)
|
Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі
|
I Ц =300A,V ГЭ =15В, T ж =25 o Ц |
|
1.40 |
1.85 |
V
|
I Ц =300A,V ГЭ =15В, T ж =125 o Ц |
|
1.60 |
|
I Ц =300A,V ГЭ =15В, T ж =175 o Ц |
|
1.60 |
|
V ГЭ (th ) |
Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу |
I Ц =8 mА ,V CE = V ГЭ , T ж =25 o Ц |
5.5 |
6.3 |
7.0 |
V |
I CES |
Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк |
V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25 o Ц |
|
|
1.0 |
mА |
I ГЭС |
Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк |
V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25 o Ц |
|
|
400 |
nA |
R Гинт |
Ішкі қақпаның кедергісі лық |
|
|
1.5 |
|
ω |
Ц лар |
Кіріс сыйымдылығы |
V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В |
|
51.5 |
|
нФ |
Ц ре |
Кері ауыстыру Қуаттылық |
|
0.36 |
|
нФ |
Q G |
Қақпалық төлем |
V ГЭ =-15 ...+15В |
|
4.50 |
|
μC |
t d (қОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 600В,I Ц =300A, R G =1.5Ω,Ls=32нГ, V ГЭ =±15В,
T ж =25 o Ц
|
|
405 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
83 |
|
н |
t d(оң) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
586 |
|
н |
t f |
Күз мезгілі |
|
129 |
|
н |
E қОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
34.3 |
|
мЖ |
E ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
19.3 |
|
мЖ |
t d (қОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 600В,I Ц =300A, R G =1.5Ω,Ls=32нГ, V ГЭ =±15В,
T ж =125 o Ц
|
|
461 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
107 |
|
н |
t d(оң) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
676 |
|
н |
t f |
Күз мезгілі |
|
214 |
|
н |
E қОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
48.0 |
|
мЖ |
E ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
26.6 |
|
мЖ |
t d (қОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 600В,I Ц =300A, R G =1.5Ω,Ls=32нГ, V ГЭ =±15В,
T ж =175 o Ц
|
|
518 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
124 |
|
н |
t d(оң) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
738 |
|
н |
t f |
Күз мезгілі |
|
264 |
|
н |
E қОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
58.1 |
|
мЖ |
E ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
31.7 |
|
мЖ |
I SC
|
SC деректері
|
t P ≤7мс, V ГЭ =15В,
T ж =150 o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В
|
|
1150
|
|
А
|
t P ≤6μс, V ГЭ =15В,
T ж =175 o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В
|
|
1110
|
|
А
|