GD200HFX120C2S, IGBT Модульі, STARPOWER

Символ

Сипаттама

Мәндер

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 o Ц

@ Т Ц =90 o Ц

297

200

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

400

А

P D

Максималды қуаттылық ж =175 o Ц

937

W

Символ

Сипаттама

Мәндер

Бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

200

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

400

А

Символ

Сипаттама

Мәндер

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o Ц

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o Ц

T ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

o Ц

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 минуты

2500

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц =200A,V ГЭ =15В, T ж =25 o Ц

1.75

2.20

V

I Ц =200A,V ГЭ =15В, T ж =125 o Ц

2.00

I Ц =200A,V ГЭ =15В, T ж =150 o Ц

2.05

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =5.0 mА ,V CE = V ГЭ , T ж =25 o Ц

5.2

6.0

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В,

T ж =25 o Ц

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25 o Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

1.0

ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

18.6

нФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

0.52

нФ

Q G

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

1.40

μC

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =200A, R G = 1. 1Ω,V ГЭ =±15В, T ж =25 o Ц

120

н

t r

Күтерілу уақыты

26

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

313

н

t f

Күз мезгілі

88

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

8.96

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

10.7

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =200A, R G = 1. 1Ω,V ГЭ =±15В, T ж = 125o Ц

129

н

t r

Күтерілу уақыты

30

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

391

н

t f

Күз мезгілі

157

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

15.8

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

16.1

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =200A, R G = 1. 1Ω,V ГЭ =±15В, T ж = 150o Ц

129

н

t r

Күтерілу уақыты

34

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

411

н

t f

Күз мезгілі

175

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

17.5

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

18.1

мЖ

I SC

SC деректері

t P ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

T ж =150 o C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

720

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =200A,V ГЭ =0В,Т ж =25 o Ц

1.75

2.15

V

I F =200A,V ГЭ =0В,Т ж = 125o Ц

1.65

I F =200A,V ГЭ =0В,Т ж = 150o Ц

1.65

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =25 o Ц

18.5

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

239

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

8.08

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =125 o Ц

33.1

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

250

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

14.5

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =150 o Ц

38.4

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

259

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

15.9

мЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

15

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі nce, Терминалдан Чипке

0.25

mΩ

R тЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.160

0.206

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.036

0.046

0.010

К/W

М

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g