Сумен салқындату

MTx800 MFx800 MT800,Тиристор/Диод модулары,Су ортасындағы жылыту

800А,600В~1800В,414S3

Brand:

ТЕХСЕМ

Spu:

MTx800 МФx800 MT800

Appurtenance:

Өнім брошюрасы:Жүктеп Алу

Кіріспе
Нысан
Эквивалентті схемалық схема

Кіріспе

Қысқаша кіріспе

Тиристор/диод модулі e, MTx800 MFx800 MT800 ,8 00А ,Сумен салқындату ，tECHSEM компаниясымен өндірілген.

Қысқаша кіріспе

Тиристор/диод модулі e, MTx 800 МФx 800 MT 800，800А ,Сумен салқындату ，tECHSEM компаниясымен өндірілген.

VDRM VRRM,	Түрі & Сызба
800V	MT3 (айырма)	MFx800-08-414S3
1000В	MT3 (айырма)	MFx800-10-414S3
1200В	MT3 (айырма)	MFx800-12-414S3
1400V	MT3 (айырма)	MFx800-14-414S3
1600V	MT3 (айырма)	MFx800-16-414S3
1800V	MT3 (айырма)	MFx800-18-414S3
1800V	MT820-42204

MTx - кез келген МТК, МТҚ , MTK

MFx - кез келген түрдің МФК, Сыртқы істер министрлігі, МФК

Қасиеттер

Изоляцияланған монтаж базасы 3000V~
Қысым контакті технологиясы
Күшейтілген қуат циклдау мүмкіндігі
Кеңістік пен салмақты үнемдеу

Типілік қолданулар

АЖ/ЖЖ қозғалтқыштар
Әртүрлі түзеткіштер
PWM инверті үшін DC қоректендіру

Символ	СӘРЕПТІК	Сынақ шарттары	Tj(℃)	Мәні			Бірлік
Символ	СӘРЕПТІК	Сынақ шарттары	Tj(℃)	Минуты	ТҮР	Макс	Бірлік
IT(AV)	Орташа қосу күйіндегі ток	180。жартылай синус толқыны 50 Гц Бір жақты салқындатылған, Tc=55°C	125			800	А
IT(RMS)	RMS қосу күйіндегі ток	180° жартылай синусоидалық 50Hz	125			1256	А
Ірррр	Қайталау шыңы ағым	vDRM және VRRM кезінде	125			120	mА
ITSM	Пик қосу күйіндегі ток	10 мс жартылай синус толқыны, VR=0В	125			16	kA
I2t	Фузия координациясы үшін I2t	10 мс жартылай синус толқыны, VR=0В	125			1280	А ²s* 10 ³
VTO	Төменгі кернеу		135			0.80	V
rT	Қосу күйіндегі көлбеу кедергі		135			0.26	mΩ
VTM	Пик қосу күйіндегі кернеу	ITM= 1500A	25			1.45	V
dv/dt	Өшіру күйіндегі кернеудің критикалық өсу жылдамдығы	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	Ағымдағы ағымның жоғарылауының критикалық жылдамдығы	Қақпа көзі 1.5A tr ≤0.5μs Қайталау	125			200	А/μс
tgd	Қақпамен басқарылатын кешіктіру уақыты	IG= 1A dig/dt=1A/μs	25			4	μs
tq	Схема бойынша коммутирленген өшіру уақыты	ITM=800A, tp=2000μs, VR =50V dv/dt=20V/μs,di/dt=-10A/μs	125		250		μs
IGT	Қақпа триггерлік тока	VA= 12V, IA= 1A	25	30		250	mА
Vgt	Қақпа триггерлік кернеу			0.8		3.0	V
IH	Ұстап тұратын ток			10		300	mА
IL	Латчинг ток	IA=1A IG=1A dig/dt=1A/μs tg=30us	25			1500	mА
VGD	Триггерленбеген қақпа кернеуі	VDM=67%VDRM	125			0.25	V
ИГД	Түйінді қақпасыз ток	VDM=67%VDRM	125			5	mА
Rth(j-c)	Термиялық кедергі Джункиядан корпусқа	Әр чип үшін бір жақты салқындатылған				0.065	℃/W
Rth(c-h)	Жылу кедергісі корпусқа дейін радиатор	Әр чип үшін бір жақты салқындатылған				0.020	℃/W
VISO	Изоляция кернеуі	50Гц,R.M.S,t= 1мин,Iiso:1mA(MAX)		3000			V
Fm	Терминал байланыс моменті(M10)			10.0		12.0	Н·м
Fm	Монтаж моменті (M6)			4.5		6.0	Н·м
TVj	Байланыс температурасы			-40		125	℃
ТСТГ	Сақталған температура			-40		125	℃
Wt	Салмақ				2100		g
Нысан	414S3