GD200HFX120C2SA_B36, IGBT Модуль, STARPOWER

Символ

СИПАТТАМАСЫ

Мәндер

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

Мен C

Коллектор токы @ T C=25o C

@ Т C=100o C

340

200

A

Мен См

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

400

A

PD

Максималды қуаттылық ж =175o C

1190

W

Символ

СИПАТТАМАСЫ

Мәндер

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

Мен F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

200

A

Мен Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

400

A

Символ

СИПАТТАМАСЫ

Мәндер

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

2500

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

Мен C=200A,V ГЭ =15В, T ж =25o C

1.70

2.15

V

Мен C=200A,V ГЭ =15В, T ж =125o C

1.95

Мен C=200A,V ГЭ =15В, T ж =150o C

2.00

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

Мен C=8.0mА ,V CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Мен CES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған

Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В,

T ж =25o C

1.0

mА

Мен ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

3.75

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

20.7

нФ

Cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

0.58

нФ

С Г

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

1.55

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=200A, R Г =1. 1Ω,V ГЭ =±15В, T ж =25o C

150

н

t r

Күтерілу уақыты

32

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

330

н

t f

Күз мезгілі

93

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

9.7

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

11.3

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=200A, R Г =1. 1Ω,V ГЭ =±15В, T ж =125o C

161

н

t r

Күтерілу уақыты

37

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

412

н

t f

Күз мезгілі

165

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

20.2

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

17.0

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=200A, R Г =1. 1Ω,V ГЭ =±15В, T ж =150o C

161

н

t r

Күтерілу уақыты

43

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

433

н

t f

Күз мезгілі

185

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

22.4

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

19.1

мЖ

Мен SC

SC деректері

t P≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T ж =150o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

800

A

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

Мен F =200A,V ГЭ =0В,Т ж =25o C

2.40

2.90

V

Мен F =200A,V ГЭ =0В,Т ж =125o C

1.95

Мен F =200A,V ГЭ =0В,Т ж =150o C

1.80

С r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =25o C

20.3

μC

Мен RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

160

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

8.0

мЖ

С r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =125o C

38.4

μC

Мен RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

201

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

14.2

мЖ

С r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =150o C

44.2

μC

Мен RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

212

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

15.6

мЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.35

mΩ

R тЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.126

0.211

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Корпус-радиатор (pe r Диод)

Корпус-радиатор (per M одуль)

0.032

0.053

0.010

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

Г

Салмағы туралы Модуль

300

г