GD100PFX170C6SG,IGBT Модульі, STARPOWER

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 o C @ T Ц =100 o Ц

161

100

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

200

А

P D

Максималды қуаттылық ж =175 o Ц

592

W

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1700

V

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

100

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

200

А

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1800

V

I O

Орташа шығыс күрделі 5 0Hz/60Hz, синусоидалды тартыс

100

А

I FSM

Алға серпін беретін ток t p =10мс @ T ж = 25o Ц @ Т ж =150 o Ц

1600

1400

А

I 2t

I 2t-мәні,t p =10мс @ T ж =25 o Ц @ Т ж =150 o Ц

13000

9800

А 2s

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

T jmax

Максималды жылық температура (трансформатор) Максималды жылық температура (прямозаменялік)

175

150

o Ц

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o Ц

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o Ц

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

4000

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц =100A,V ГЭ =15В, T ж =25 o Ц

1.85

2.20

V

I Ц =100A,V ГЭ =15В, T ж =125 o Ц

2.25

I Ц =100A,V ГЭ =15В, T ж =150 o Ц

2.35

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =4,0 mА ,V CE = V ГЭ , T ж =25 o Ц

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25 o Ц

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25 o Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

7.5

ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

12.0

нФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.29

нФ

Q G

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

0.94

μC

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =100A, R G =4.7Ω,V ГЭ =±15В, L S =46 nH , T ж =25 o Ц

257

н

t r

Күтерілу уақыты

47

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

377

н

t f

Күз мезгілі

382

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

24.6

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

16.7

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =100A, R G =4.7Ω,V ГЭ =±15В, L S =46nH, T ж =125 o Ц

284

н

t r

Күтерілу уақыты

56

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

444

н

t f

Күз мезгілі

555

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

34.9

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

23.1

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =100A, R G =4.7Ω,V ГЭ =±15В, L S =46nH, T ж =150 o Ц

286

н

t r

Күтерілу уақыты

60

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

465

н

t f

Күз мезгілі

636

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

38.0

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

26.1

мЖ

I SC

SC деректері

t P ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T ж =150 o C,V CC =1000V, V КЕМ ≤1700В

400

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =100A,V ГЭ =0В,Т ж =25 o Ц

1.80

2.25

V

I F =100A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 25o Ц

1.90

I F =100A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 50o Ц

1.95

Q r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =100A,

-di⁄dt=1590A⁄μs,V ГЭ =-15В L S =46 nH , T ж =25 o Ц

13.3

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

107

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

8.79

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =100A,

-di⁄dt=1300A⁄μs,V ГЭ =-15В L S =46nH, T ж =125 o Ц

25.0

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

111

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

18.6

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =100A,

-di⁄dt=1230A⁄μs,V ГЭ =-15В L S =46nH, T ж =150 o Ц

28.0

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

112

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

20.4

мЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I Ц =100A, T ж =150 o Ц

0.85

V

I R

Кері ток

T ж =150 o C,V R =1800V

3.0

mА

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

T Ц =100 o Ц р 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R тЖК

Бөлшеуіш -дәйексіз -Іс (perIGBT -инвертор ) Жолақыдан кейінгі (DIODE-инвертор бойынша тер) Жалама-қорығы (әр Діод-реттік) реттік)

0.253 0.424 0.289

К/W

R тХ

Іс -дәйексіз -Жылу сорғышы (perIGBT -инвертор )Қорығы-Сыйлық қорығы (әр Діод-оңтүстік) оңтүстік) Қорығы-Сыйлық қорығы (әр Діод-рет түзетуші) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.105 0.176 0.120 0.009

К/W

М

Монументтік момент, Шраф:M5

3.0

6.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g