GD100PFX170C6SG,IGBT Модульі, STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C @ T C=100o C

161

100

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

200

A

PD

Максималды қуаттылық ж =175o C

592

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1700

V

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

100

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

200

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1800

V

IO

Орташа шығыс күрделі 5 0Hz/60Hz, синусоидалды тартыс

100

A

IFSM

Алға серпін беретін ток t p =10мс @ T ж =25o C @ Т ж =150o C

1600

1400

A

I2t

I2t-мәні,t p =10мс @ T ж =25o C @ Т ж =150o C

13000

9800

A2сек

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T jmax

Максималды жылық температура (трансформатор) Максималды жылық температура (прямозаменялік)

175

150

o C

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

4000

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC=100A,V ГЭ =15В, T ж =25o C

1.85

2.20

V

IC=100A,V ГЭ =15В, T ж =125o C

2.25

IC=100A,V ГЭ =15В, T ж =150o C

2.35

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=4.0mА ,V CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25o C

5.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

7.5

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

12.0

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.29

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

0.94

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=100A, R G=4.7Ω,V ГЭ =±15В, LСек =46nH ,T ж =25o C

257

н

t r

Күтерілу уақыты

47

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

377

н

t f

Күз мезгілі

382

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

24.6

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

16.7

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=100A, R G=4.7Ω,V ГЭ =±15В, LСек =46nH, T ж =125o C

284

н

t r

Күтерілу уақыты

56

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

444

н

t f

Күз мезгілі

555

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

34.9

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

23.1

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=100A, R G=4.7Ω,V ГЭ =±15В, LСек =46nH, T ж =150o C

286

н

t r

Күтерілу уақыты

60

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

465

н

t f

Күз мезгілі

636

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

38.0

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

26.1

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T ж =150o C,V CC =1000V, V КЕМ ≤1700В

400

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =100A,V ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.80

2.25

V

IF =100A,V ГЭ =0В,Т ж =125o C

1.90

IF =100A,V ГЭ =0В,Т ж =150o C

1.95

Qr

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =100A,

-di⁄dt=1590A⁄μs,V ГЭ =-15В LСек =46nH ,T ж =25o C

13.3

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

107

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

8.79

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =100A,

-di⁄dt=1300A⁄μs,V ГЭ =-15В LСек =46nH, T ж =125o C

25.0

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

111

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

18.6

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =100A,

-di⁄dt=1230A⁄μs,V ГЭ =-15В LСек =46nH, T ж =150o C

28.0

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

112

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

20.4

мЖ

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IC=100A, T ж =150o C

0.85

V

IR

Кері ток

T ж =150o C,V R =1800V

3.0

mА

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

T C=100 o Cр 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/501/Т 2— 1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/801/Т 2— 1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/1001/Т 2— 1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R тЖК

Бөлшеуіш —дейін —Қорап (perIGBT —инвертор ) Жолақыдан кейінгі (DIODE-инвертор бойынша тер) Жалама-қорығы (әр Діод-реттік) реттік)

0.253 0.424 0.289

К/W

R тХ

Қорап —дейін —Жылу сорғышы (perIGBT —инвертор )Қорығы-Сыйлық қорығы (әр Діод-оңтүстік) оңтүстік) Қорығы-Сыйлық қорығы (әр Діод-рет түзетуші) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.105 0.176 0.120 0.009

К/W

Мин

Монументтік момент, Шраф:M5

3.0

6.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g