GD100PIX120C6SNA, IGBT Модульі, STARPOWER

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 o C @ T Ц =100 o Ц

155

100

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

200

А

P D

Максималды қуаттылық ж =175 o Ц

511

W

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

100

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

200

А

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1600

V

I O

Орташа шығыс күрделі 5 0Hz/60Hz, синусоидалды тартыс

100

А

I FSM

Алға серпін беретін ток t p =10мс @ T ж = 25o Ц @ Т ж =150 o Ц

1150

880

А

I 2t

I 2t-мәні,t p =10мс @ T ж =25 o Ц @ Т ж =150 o Ц

6600

3850

А 2s

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 o C @ T Ц =100 o Ц

87

50

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

100

А

P D

Максималды қуаттылық ж =175 o Ц

308

W

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

25

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

50

А

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

T jmax

Максималды жылдамдау температуры (инвертор, тормоз) Максималды жылық температура (прямозаменялік)

175

150

o Ц

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o Ц

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o Ц

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

2500

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц =100A,V ГЭ =15В, T ж =25 o Ц

1.70

2.15

V

I Ц =100A,V ГЭ =15В, T ж =125 o Ц

1.95

I Ц =100A,V ГЭ =15В, T ж =150 o Ц

2.00

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =4.00 mА ,V CE = V ГЭ , T ж =25 o Ц

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25 o Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25 o Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

7.5

ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

10.4

нФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.29

нФ

Q G

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

0.78

μC

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =100A, R G =1,6Ω,V ГЭ =±15В, T ж =25 o Ц

218

н

t r

Күтерілу уақыты

35

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

287

н

t f

Күз мезгілі

212

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

9.23

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

6.85

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =100A, R G =1,6Ω,V ГЭ =±15В, T ж =125 o Ц

242

н

t r

Күтерілу уақыты

41

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

352

н

t f

Күз мезгілі

323

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

13.6

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

9.95

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =100A, R G =1,6Ω,V ГЭ =±15В, T ж =150 o Ц

248

н

t r

Күтерілу уақыты

43

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

365

н

t f

Күз мезгілі

333

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

14.9

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

10.5

мЖ

I SC

SC деректері

t P ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T ж =150 o C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

400

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =100A,V ГЭ =0В,Т ж =25 o Ц

1.85

2.30

V

I F =100A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 25o Ц

1.90

I F =100A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 50o Ц

1.95

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =100A,

-di/dt=2500А/мкс,V ГЭ =-15В T ж =25 o Ц

5.89

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

103

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

3.85

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =100A,

-di/dt=2100А/мкс,V ГЭ =-15В T ж =125 o Ц

13.7

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

109

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

6.64

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =100A,

-di/dt=1950А/мкс,V ГЭ =-15В T ж =150 o Ц

15.6

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

109

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

7.39

мЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =100A, T ж =150 o Ц

0.95

V

I R

Кері ток

T ж =150 o C,V R =1600V

2.0

mА

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц =50A,V ГЭ =15В, T ж =25 o Ц

1.70

2.15

V

I Ц =50A,V ГЭ =15В, T ж =125 o Ц

1.95

I Ц =50A,V ГЭ =15В, T ж =150 o Ц

2.00

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =2.00 mА ,V CE = V ГЭ , T ж =25 o Ц

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25 o Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25 o Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

0

ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

5.18

нФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.15

нФ

Q G

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

0.39

μC

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =50А, R G =15Ом,V ГЭ =±15В, T ж =25 o Ц

171

н

t r

Күтерілу уақыты

32

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

340

н

t f

Күз мезгілі

82

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

6.10

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

2.88

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =50А, R G =15Ом,V ГЭ =±15В, T ж =125 o Ц

182

н

t r

Күтерілу уақыты

43

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

443

н

t f

Күз мезгілі

155

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

8.24

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

4.43

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =50А, R G =15Ом,V ГЭ =±15В, T ж =150 o Ц

182

н

t r

Күтерілу уақыты

43

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

464

н

t f

Күз мезгілі

175

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

8.99

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

4.94

мЖ

I SC

SC деректері

t P ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T ж =150 o C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

200

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =25A,V ГЭ =0В,Т ж =25 o Ц

1.85

2.30

V

I F =25A,V ГЭ =0В,Т ж =125 o Ц

1.90

I F =25A,V ГЭ =0В,Т ж =150 o Ц

1.95

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =25A,

-di/dt=900А/мкс,V ГЭ =-15В T ж =25 o Ц

2.9

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

55

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

0.93

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =25A,

-di/dt=900А/мкс,V ГЭ =-15В T ж =125 o Ц

5.1

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

58

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

1.72

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =25A,

-di/dt=900А/мкс,V ГЭ =-15В T ж =150 o Ц

5.6

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

60

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

2.01

мЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

T Ц =100 o Ц р 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

40

nH

R CC+EE R АА + CC ’

Модульдің қорғасын кедергісі нц,Терминалге дейін

4.00 3.00

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш -дәйексіз -Іс (perIGBT -инвертор )

Жалама-қабына (әр Диод-invert ер)

Жалама-қорығы (әр Діод-реттік) реттік)

Бөлшеуіш -дәйексіз -Іс (perIGBT -тежегіш -чоппер ) Жолақы-қорап (әр Диод-тормоз-жылық) әр

0.293 0.505 0.503 0.487 1.233

К/W

R тХ

Іс -дәйексіз -Жылу сорғышы (perIGBT -инвертор )

Корпус-к охлаждающей пластине (на диод-в) verter)

Қорығы-Сыйлық қорығы (әр Діод-рет түзетуші)

Іс -дәйексіз -Жылу сорғышы (perIGBT -тежегіш -чоппер )Корпус-к охлаждающей пластине (на диод-тормозной- рубленый сигнал) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.124 0.214 0.213 0.207 0.523 0.009

К/W

М

Монументтік момент, Шраф:M5

3.0

6.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g