GD100PIX120C6SNA, IGBT Модульі, STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C @ T C=100o C

155

100

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

200

A

PD

Максималды қуаттылық ж =175o C

511

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

100

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

200

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1600

V

IO

Орташа шығыс күрделі 5 0Hz/60Hz, синусоидалды тартыс

100

A

IFSM

Алға серпін беретін ток t p =10мс @ T ж =25o C @ Т ж =150o C

1150

880

A

I2t

I2t-мәні,t p =10мс @ T ж =25o C @ Т ж =150o C

6600

3850

A2сек

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C @ T C=100o C

87

50

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

100

A

PD

Максималды қуаттылық ж =175o C

308

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

25

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

50

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T jmax

Максималды жылдамдау температуры (инвертор, тормоз) Максималды жылық температура (прямозаменялік)

175

150

o C

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

2500

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC=100A,V ГЭ =15В, T ж =25o C

1.70

2.15

V

IC=100A,V ГЭ =15В, T ж =125o C

1.95

IC=100A,V ГЭ =15В, T ж =150o C

2.00

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=4.00mА ,V CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

7.5

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

10.4

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.29

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

0.78

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=100A, R G=1,6Ω,V ГЭ =±15В, T ж =25o C

218

н

t r

Күтерілу уақыты

35

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

287

н

t f

Күз мезгілі

212

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

9.23

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

6.85

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=100A, R G=1,6Ω,V ГЭ =±15В, T ж =125o C

242

н

t r

Күтерілу уақыты

41

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

352

н

t f

Күз мезгілі

323

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

13.6

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

9.95

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=100A, R G=1,6Ω,V ГЭ =±15В, T ж =150o C

248

н

t r

Күтерілу уақыты

43

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

365

н

t f

Күз мезгілі

333

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

14.9

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

10.5

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T ж =150o C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

400

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =100A,V ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.85

2.30

V

IF =100A,V ГЭ =0В,Т ж =125o C

1.90

IF =100A,V ГЭ =0В,Т ж =150o C

1.95

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =100A,

-di/dt=2500А/мкс,V ГЭ =-15В T ж =25o C

5.89

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

103

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

3.85

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =100A,

-di/dt=2100А/мкс,V ГЭ =-15В T ж =125o C

13.7

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

109

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

6.64

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =100A,

-di/dt=1950А/мкс,V ГЭ =-15В T ж =150o C

15.6

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

109

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

7.39

мЖ

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =100A, T ж =150o C

0.95

V

IR

Кері ток

T ж =150o C,V R =1600V

2.0

mА

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC=50A,V ГЭ =15В, T ж =25o C

1.70

2.15

V

IC=50A,V ГЭ =15В, T ж =125o C

1.95

IC=50A,V ГЭ =15В, T ж =150o C

2.00

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=2.00mА ,V CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

0

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

5.18

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.15

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

0.39

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=50А, R G=15Ом,V ГЭ =±15В, T ж =25o C

171

н

t r

Күтерілу уақыты

32

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

340

н

t f

Күз мезгілі

82

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

6.10

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

2.88

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=50А, R G=15Ом,V ГЭ =±15В, T ж =125o C

182

н

t r

Күтерілу уақыты

43

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

443

н

t f

Күз мезгілі

155

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

8.24

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

4.43

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=50А, R G=15Ом,V ГЭ =±15В, T ж =150o C

182

н

t r

Күтерілу уақыты

43

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

464

н

t f

Күз мезгілі

175

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

8.99

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

4.94

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T ж =150o C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

200

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =25A,V ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.85

2.30

V

IF =25A,V ГЭ =0В,Т ж =125o C

1.90

IF =25A,V ГЭ =0В,Т ж =150o C

1.95

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =25A,

-di/dt=900А/мкс,V ГЭ =-15В T ж =25o C

2.9

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

55

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

0.93

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =25A,

-di/dt=900А/мкс,V ГЭ =-15В T ж =125o C

5.1

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

58

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

1.72

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =25A,

-di/dt=900А/мкс,V ГЭ =-15В T ж =150o C

5.6

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

60

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

2.01

мЖ

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

T C=100 o Cр 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/501/Т 2— 1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/801/Т 2— 1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/1001/Т 2— 1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

40

nH

R CC+EE R АА ’+CC ’

Модульдің қорғасын кедергісі нц,Терминалге дейін

4.00 3.00

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш —дейін —Қорап (perIGBT —инвертор )

Жалама-қабына (әр Диод-invert ер)

Жалама-қорығы (әр Діод-реттік) реттік)

Бөлшеуіш —дейін —Қорап (perIGBT —тежегіш —чоппер ) Жолақы-қорап (әр Диод-тормоз-жылық) әр

0.293 0.505 0.503 0.487 1.233

К/W

R тХ

Қорап —дейін —Жылу сорғышы (perIGBT —инвертор )

Корпус-к охлаждающей пластине (на диод-в) verter)

Қорығы-Сыйлық қорығы (әр Діод-рет түзетуші)

Қорап —дейін —Жылу сорғышы (perIGBT —тежегіш —чоппер )Корпус-к охлаждающей пластине (на диод-тормозной- рубленый сигнал) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.124 0.214 0.213 0.207 0.523 0.009

К/W

Мин

Монументтік момент, Шраф:M5

3.0

6.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g