GD1000HFA120C6S_B39, IGBT Модулі, STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

ICN

Коллекторды іске асыру рент

1000

A

IC

Коллектор токы @ T F =75o C

765

A

ICRM

Қайталанатын Шұңқыры Жинақтаушы Жүк tp шектеулі арқылы T vjop

2000

A

PD

Максималды қуат тарату ация @ T F =75o C,T ж =175o C

1515

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

IБФ

Коллекторды іске асыру рент

1000

A

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

765

A

IҚРМ

Қайталанатын Шұңқыры Алға Жүк tp шектеулі арқылы T vjop

2000

A

IFSM

Алға серпін беретін ток t p =10мс @ T vj =25o C@ Т vj =150o C

4100

3000

A

I2t

I2t- мәні ,t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C

84000

45000

A2сек

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

4000

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC=1000A,V ГЭ =15В, T vj =25o C

1.45

1.90

V

IC=1000A,V ГЭ =15В, T vj =125o C

1.65

IC=1000A,V ГЭ =15В, T vj =175o C

1.80

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=24.0mА ,V CE =V ГЭ , T vj =25o C

5.5

6.3

7.0

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

0.5

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В

51.5

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.36

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15...+15В

13.6

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=900A,

R G=0.51Ω, L Сек =40nH, V ГЭ =-8V/+15V,

T vj =25o C

330

н

t r

Күтерілу уақыты

140

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

842

н

t f

Күз мезгілі

84

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

144

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

87.8

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=900A,

R G=0.51Ω, L Сек =40nH, V ГЭ =-8V/+15V,

T vj =125o C

373

н

t r

Күтерілу уақыты

155

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

915

н

t f

Күз мезгілі

135

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

186

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

104

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=900A,

R G=0.51Ω, L Сек =40nH, V ГЭ =-8V/+15V,

T vj =175o C

390

н

t r

Күтерілу уақыты

172

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

950

н

t f

Күз мезгілі

162

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

209

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

114

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤8μs,V ГЭ =15В,

T vj =150o C,V CC =800V,

V КЕМ ≤1200В

3200

A

t P≤6μs,V ГЭ =15В,

T vj =175o C,V CC =800V,

V КЕМ ≤1200В

3000

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =1000A,V ГЭ =0В,Т vj =25o C

1.60

2.05

V

IF =1000A,V ГЭ =0В,Т vj =125o C

1.70

IF =1000A,V ГЭ =0В,Т vj =175o C

1.60

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V ГЭ =-8V, LСек =40nH ,T vj =25o C

91.0

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

441

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

26.3

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V ГЭ =-8V, LСек =40nH ,

T vj =125o C

141

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

493

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

42.5

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V ГЭ =-8V, LСек =40nH ,

T vj =175o C

174

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

536

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

52.4

мЖ

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

T C=100 o Cр 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/501/Т 2— 1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/801/Т 2— 1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/1001/Т 2— 1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC ’+EE ’

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.80

mΩ

R тЖЖ

Бөлшеуіш —дейін —Салқындату Сұйық (perIGBT )Түйіннен-салқындату сұйықтығына (D бойынша йод) △V/ △t=10,0 dm 3/мИН ,T F =75o C

0.066 0.092

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, Болт M5

3.0 3.0

6.0 6.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

400

g

P

Максималды қысым салқындату контурында

3

бар

∆p

Салқындату контурындағы қысымның төмендеуі қайырма

∆V/∆t=10.0dm 3/мин;T F =25o C;Салқындату Сұйық=50% Су/50% Этиленгликоль

47

мбар