GD150PFX170C6SG, IGBT Модульі, STARPOWER

Символ

Сипаттама

Мәндер

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 o Ц @ Т Ц =95 o Ц

232

150

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

300

А

P D

Максималды қуаттылық ж =175 o Ц

828

W

Символ

Сипаттама

Мәндер

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1700

V

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

150

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

300

А

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1800

V

I O

Орташа шығыс күрделі 5 0Hz/60Hz, синусоидалды тартыс

150

А

I FSM

Алға серпін беретін ток t p =10мс @ T ж = 25o Ц @ Т ж =150 o Ц

1600

1400

А

I 2t

I 2t-мәні,t p =10мс @ T ж =25 o Ц @ Т ж =150 o Ц

13000

9800

А 2s

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

T jmax

Максималды жылық температура (трансформатор) Максималды жылық температура (прямозаменялік)

175

150

o Ц

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o Ц

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o Ц

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

4000

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц =150A,V ГЭ =15В, T ж =25 o Ц

1.85

2.20

V

I Ц =150A,V ГЭ =15В, T ж =125 o Ц

2.25

I Ц =150A,V ГЭ =15В, T ж =150 o Ц

2.35

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =6.00 mА ,V CE = V ГЭ , T ж =25 o Ц

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25 o Ц

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25 o Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

4.3

ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

18.1

нФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.44

нФ

Q G

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

1.41

μC

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =150A, R G =4.7Ω,V ГЭ =±15В, L S =46 nH ,T ж =25 o Ц

292

н

t r

Күтерілу уақыты

55

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

458

н

t f

Күз мезгілі

392

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

33.6

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

26.3

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =150A, R G =4.7Ω,V ГЭ =±15В, L S =46 nH ,T ж =125 o Ц

342

н

t r

Күтерілу уақыты

67

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

520

н

t f

Күз мезгілі

568

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

50.5

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

35.7

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =150A, R G =4.7Ω,V ГЭ =±15В, L S =46 nH ,T ж =150 o Ц

352

н

t r

Күтерілу уақыты

68

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

535

н

t f

Күз мезгілі

589

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

53.3

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

36.3

мЖ

I SC

SC деректері

t P ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T ж =150 o C,V CC =1000V, V КЕМ ≤1700В

600

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =150A,V ГЭ =0В,Т ж =25 o Ц

1.80

2.25

V

I F =150A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 25o Ц

1.90

I F =150A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 50o Ц

1.95

Q r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =150A,

-ди/дt=2340А/мкс,V ГЭ =-15В L S =46 nH ,T ж =25 o Ц

21.3

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

183

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

20.4

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =150A,

-ди/дt=2000А/мкс,V ГЭ =-15В L S =46 nH ,T ж =125 o Ц

36.2

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

196

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

33.9

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =150A,

-ди/дt=1830А/мкс,V ГЭ =-15В L S =46 nH ,T ж =150 o Ц

41.2

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

199

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

36.3

мЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I Ц =150A, T ж =150 o Ц

0.90

V

I R

Кері ток

T ж =150 o C,V R =1800V

3.0

mА

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

T Ц =100 o Ц р 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R тЖК

Бөлшеуіш -дәйексіз -Іс (perIGBT -инвертор ) Жолақыдан кейінгі (DIODE-инвертор бойынша тер) Жалама-қорығы (әр Діод-реттік) реттік)

0.181 0.300 0.289

К/W

R тХ

Іс -дәйексіз -Жылу сорғышы (perIGBT -инвертор )Қорығы-Сыйлық қорығы (әр Діод-оңтүстік) оңтүстік) Қорығы-Сыйлық қорығы (әр Діод-рет түзетуші) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.092 0.152 0.146 0.009

К/W

М

Монументтік момент, Шраф:M5

3.0

6.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g