GD150PFX170C6SG, IGBT Модульі, STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C@ Т C=95o C

232

150

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

300

A

PD

Максималды қуаттылық ж =175o C

828

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1700

V

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

150

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

300

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1800

V

IO

Орташа шығыс күрделі 5 0Hz/60Hz, синусоидалды тартыс

150

A

IFSM

Алға серпін беретін ток t p =10мс @ T ж =25o C @ Т ж =150o C

1600

1400

A

I2t

I2t-мәні,t p =10мс @ T ж =25o C @ Т ж =150o C

13000

9800

A2с

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T jmax

Максималды жылық температура (трансформатор) Максималды жылық температура (прямозаменялік)

175

150

o C

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

4000

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC=150A,V ГЭ =15В, T ж =25o C

1.85

2.20

V

IC=150A,V ГЭ =15В, T ж =125o C

2.25

IC=150A,V ГЭ =15В, T ж =150o C

2.35

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=6.00mА ,V CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25o C

5.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

4.3

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

18.1

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.44

нФ

С G

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

1.41

μC

t d (қосулы )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=150A, R G=4.7Ω,V ГЭ =±15В, LС =46nH ,T ж =25o C

292

н

t r

Күтерілу уақыты

55

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

458

н

t f

Күз мезгілі

392

н

Eқосулы

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

33.6

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

26.3

мЖ

t d (қосулы )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=150A, R G=4.7Ω,V ГЭ =±15В, LС =46nH ,T ж =125o C

342

н

t r

Күтерілу уақыты

67

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

520

н

t f

Күз мезгілі

568

н

Eқосулы

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

50.5

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

35.7

мЖ

t d (қосулы )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=150A, R G=4.7Ω,V ГЭ =±15В, LС =46nH ,T ж =150o C

352

н

t r

Күтерілу уақыты

68

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

535

н

t f

Күз мезгілі

589

н

Eқосулы

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

53.3

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

36.3

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T ж =150o C,V CC =1000V, V КЕМ ≤1700В

600

A

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =150A,V ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.80

2.25

V

IF =150A,V ГЭ =0В,Т ж =125o C

1.90

IF =150A,V ГЭ =0В,Т ж =150o C

1.95

С r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =150A,

-ди/дt=2340А/мкс,V ГЭ =-15В LС =46nH ,T ж =25o C

21.3

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

183

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

20.4

мЖ

С r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =150A,

-ди/дt=2000А/мкс,V ГЭ =-15В LС =46nH ,T ж =125o C

36.2

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

196

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

33.9

мЖ

С r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =150A,

-ди/дt=1830А/мкс,V ГЭ =-15В LС =46nH ,T ж =150o C

41.2

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

199

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

36.3

мЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IC=150A, T ж =150o C

0.90

V

IR

Кері ток

T ж =150o C,V R =1800V

3.0

mА

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

T C=100 o Cр 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/501/Т 2— 1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/801/Т 2— 1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/1001/Т 2— 1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R тЖК

Бөлшеуіш —дейін —Жағдай (perIGBT —инвертор ) Жолақыдан кейінгі (DIODE-инвертор бойынша тер) Жалама-қорығы (әр Діод-реттік) реттік)

0.181 0.300 0.289

К/W

R тХ

Жағдай —дейін —Жылу сорғышы (perIGBT —инвертор )Қорығы-Сыйлық қорығы (әр Діод-оңтүстік) оңтүстік) Қорығы-Сыйлық қорығы (әр Діод-рет түзетуші) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.092 0.152 0.146 0.009

К/W

Мин

Монументтік момент, Шраф:M5

3.0

6.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g