H50ZYG, რბილი აღდგენის დიოდი

I _T(AV)

700A

V _RRM

4000V 4200V

4500V

Სიმბოლო

Მახასიათებლები

Გამოცდის პირობები

Tj( °C )

Ღირებულება

Ერთეული

Მნ

Ტიპი

Მაქს

IF(AV)

Საშუალო წინასწარი დენი

180° ნახევარი სინუსოიდური ტალღა 50Hz ორმხრივი გაგრილება

TC=70 °C

125

700

Ა

VRRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

tp=10ms

125

4000

4500

V

IRRM

Განმეორებითი პიკური დენი

vRRM-ზე

125

100

mA

IFSM

Სალტო წინასწარი დენი

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0

125

16

kA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

1280

10³Ა ²s

VFO

Საფეხური ძაბვა

125

1.70

V

rF

Წინასწარი დახრის წინააღმდეგობა

0.98

მΩ

VFM

Პიკური წინასწარი ძაბვა

IFM=2000A, F=24kN

25

3.80

V

IRM

Უკუღმართი აღდგენის მიმდინარე

ITM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-60A/µs, VR=100V

125

610

Ა

trr

Უკუღმართი აღდგენის დრო

7.0

µs

Კრრ

Აღდგენის გადასახადი

1500

µC

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

180-ზე ° სინუსური, ორმხრივად გაგრილებული კლამპირების ძალა 24kN

0.020

°C /W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე

0.005

FM

Მონტაჟის ძალა

19

26

kN

Tvj

Ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

125

°C

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

140

°C

Wt

Წონა

440

g

Კონტური

ZT50cT