Ყველა კატეგორია
Გამოიძახეთ შეფასება

Მიიღეთ უფასო შემოთავაზება

Ჩვენი წარმომადგენელი მალე დაგიკონტაქტებს.
Ელ. ფოსტა
Სახელი
Კომპანიის სახელი
Შეტყობინება
0/1000

IGBT მოდული 1200V

IGBT მოდული 1200V

Მთავარი გვერდი/Პროდუქტები/IGBT მოდული/IGBT მოდული 1200V

GD600HTA120P6HT,IGBT მოდული,STARPOWER

1200V 720A დამატება:P6

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD600HTA120P6HT
  • Შესავალება
  • Კონტური
  • Ექვივალენტური სქემა
Შესავალება

Მოკლე გაცნობარება

IGBT მოდული ,წარმოებული STARPOWER .1200V 600Ა.

Მახასიათებლები

  • Დაბალი VCE (sat) Trench IGBT ტექნოლოგია
  • Დაბალი გადასვლის დანაკარგები
  • 6μs მოკლემეტრაჟიანი მიერთების შესაძლებლობა
  • VCE ((sat) დადებითი ტემპერატურის კოეფიციენტით
  • Მაქსიმალური შეჯვარების ტემპერატურა 175oC
  • Დაბალი ინდუქტენტობის საფარი
  • Სწრაფი & რბილი საპირისპირო აღდგენა ანტი პარალელური FWD
  • Განშლილი სრული ფინის ფუძე Si3N4AMB ტექნოლოგიას გამოყენებით

Ტიპიური გამოყენებები

  • Ავტომობილი გამოყენება
  • Ჰიბრიდული და ელექტრო ავტომობილი
  • Ინვერტორი ძრავის წამყვანი

Აბსოლუტური Მაქსიმალური Რეიტინგები T F =25o C თუკი სხვანაირად მონიშნული

IGBT

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

ICN

Განხორციელებული კოლექტორი Cu ბინა

600

A

IC

Კოლექტორის დენი @ T F =90o C

450

A

IᲡმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

1200

A

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის გადაცემა ატიონ @ T F =75o C T ჯ =175o C

1075

W

Დიოდი

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V RRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ვოლტა gE

1200

V

IFN

Განხორციელებული კოლექტორი Cu ბინა

600

A

IF

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

450

A

IFM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

1200

A

Მოდული

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის გადასასვლელი ტემპერატურა მუდმივი

10-იანებისათვის პერიოდში 30 წლის ასაკში, შემთხვევა მაქსიმუმ 3000-ჯერ სიცოცხლის განმავლობაში მე

-40-დან +150-მდე +150-დან +175-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 წუთი

2500

V

d Ჟრაპკა

Ტერმინალი Heatsink-სთვის Ტერმინალი ტერმინალამდე

9.0 9.0

მმ

d Გასუფთავება

Ტერმინალი Heatsink-სთვის Ტერმინალი ტერმინალამდე

4.5 4.5

მმ

IGBT Მახასიათებლები T F =25o C თუკი სხვანაირად მონიშნული

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

IC=450A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.40

V

IC=450A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

1.65

IC=450A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =175o C

1.70

IC=600A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.60

IC=600A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

1.90

IC=600A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =175o C

2.00

V GE (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

IC=15.6mA ,V CE =V GE , T ჯ =25o C

6.4

V

ICES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V GE =0V, T ჯ =25o C

1.0

mA

IᲒენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V GE =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

1.67

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

81.2

nF

Coes

Გამოსავალი გამტარუნარიანობა

1.56

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.53

nF

Კითხვა G

Კარიბჭის გადასახადი

V CE =600 ვოლტი,I C =600A, V GE =-8...+15 ვოლტი

5.34

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=600A,

Რ Გონ =1.0Ω, Რ Გოფ =2.2Ω, LᲡ =22nH,

V GE =-8V/+15V, T ჯ =25o C

290

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

81

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

895

n

t f

Შემოდგომის დრო

87

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

53.5

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

47.5

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=600A,

Რ Გონ =1.0Ω, Რ Გოფ =2.2Ω, LᲡ =22nH,

V GE =-8V/+15V, T ჯ =150o C

322

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

103

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

1017

n

t f

Შემოდგომის დრო

171

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

84.2

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

63.7

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=600A,

Რ Გონ =1.0Ω, Რ Გოფ =2.2Ω, LᲡ =22nH,

V GE =-8V/+15V, T ჯ =175o C

334

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

104

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

1048

n

t f

Შემოდგომის დრო

187

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

89.8

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

65.4

mJ

ISC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 6μs, V GE =15 ვოლტი,

2000

A

T ჯ =175o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

Დიოდი Მახასიათებლები T F =25o C თუკი სხვანაირად მონიშნული

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

IF =450A,V GE =0V,T ჯ =25o C

1.80

V

IF =450A,V GE =0V,T ჯ =150o C

1.75

IF =450A,V GE =0V,T ჯ =175o C

1.70

IF =600A,V GE =0V,T ჯ =25o C

1.95

IF =600A,V GE =0V,T ჯ =150o C

1.95

IF =600A,V GE =0V,T ჯ =175o C

1.90

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =600A,

-di/dt=7040A/μs,V GE =-8 ვოლტი LᲡ =22nH ,T ჯ =25o C

22.5

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

304

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

10.8

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =600A,

-di/dt=5790A/μs,V GE =-8 ვოლტი LᲡ =22nH ,T ჯ =150o C

46.6

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

336

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

18.2

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =600A,

-di/dt=5520A/μs,V GE =-8 ვოლტი LᲡ =22nH ,T ჯ =175o C

49.8

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

346

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

19.8

mJ

NTC Მახასიათებლები T F =25o C თუკი სხვანაირად მონიშნული

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

∆R/R

Გადახრა შემდეგი Რ 100

T C=100 o C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

Პ 25

Ძალა

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/501/T 2- 1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/801/T 2- 1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/1001/T 2- 1⁄298.15K))]

3433

Კ

Მოდული Მახასიათებლები T F =25o C თუკი სხვანაირად მონიშნული

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

8

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე

0.75

mΩ

პ

Მაქსიმალური წნევა გამყიდველი ცირკული ტ

2.5

სველი

Რ თი-ი-ფ

Გადასასვლელი --დან -Გაგრილება Სითხე (perIGBT )Ჯუნქცია-კooling სითხეზე (D-ის მიხედვით იოდი) △V/ △t=10.0 dm 3/წუთი ,T F =75o C

0.081 0.118

0.093 0.136

Კვ/ვ

Მ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M5 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მ4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

750

g

Კონტური

Ექვივალენტური სქემა

Მიიღეთ უფასო შემოთავაზება

Ჩვენი წარმომადგენელი მალე დაგიკონტაქტებს.
Ელ. ფოსტა
Სახელი
Კომპანიის სახელი
Შეტყობინება
0/1000

Დაკავშირებული პროდუქტი

Პროდუქტებთან დაკავშირებით კითხვები გაქვთ?

Ნაჟ პჲფეჲნალთკ ნა ოჲეჲბპარა ჟლვეა ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
Თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.

Გამოიძახეთ შეფასება

Მიიღეთ უფასო შემოთავაზება

Ჩვენი წარმომადგენელი მალე დაგიკონტაქტებს.
Ელ. ფოსტა
Სახელი
Კომპანიის სახელი
Შეტყობინება
0/1000

Მიიღეთ უფასო შემოთავაზება

Ჩვენი წარმომადგენელი მალე დაგიკონტაქტებს.
Ელ. ფოსტა
Სახელი
Კომპანიის სახელი
Შეტყობინება
0/1000