1700V 650A
Მოკლე შესავალი მოქმედება
IGBT მოდული , წარმოებული STARPOWER-ის მიერ. 1700V 650A
Მახასიათებლები
Ტიპიური Აპლიკაციები
Აბსოლუტური Მაქსიმალური Რეიტინგები T C =25 o C თუკი სხვანაირად შენიშვნა
IGBT
Სიმბოლო |
Აღწერა |
Ღირებულება |
Ერთეული |
V CES |
Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა |
1700 |
V |
V Გენერალური საწვავის სისტემა |
Ღობე-გამომცემის ძაბვა |
±20 |
V |
I C |
Კოლექტორის დენი @ T C =25 o C @ ტ C = 100o C |
1073 650 |
Ა |
I CM |
Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms |
1300 |
Ა |
Პ D |
Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175 o C |
4.2 |
კვ |
Დიოდი
Სიმბოლო |
Აღწერა |
Ღირებულება |
Ერთეული |
V RRM |
Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა |
1700 |
V |
I F |
Დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა |
650 |
Ა |
I FM |
Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms |
1300 |
Ა |
Მოდული
Სიმბოლო |
Აღწერა |
Ღირებულება |
Ერთეული |
T jmax |
Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა |
175 |
o C |
T ჯოპი |
Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა |
-40-დან +150-მდე |
o C |
T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო |
Შემადგენლითი ტემპერატურა Დიაპაზონი |
-40-დან +150-მდე |
o C |
V ISO |
Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t= 1წთ |
4000 |
V |
IGBT Მახასიათებლები T C =25 o C თუკი სხვანაირად მონიშნული
Სიმბოლო |
Პარამეტრი |
Გამოცდის პირობები |
Მინ. |
Თპ. |
Მაქსიმალური |
Ერთეული |
V CE ((sat) |
Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა |
I C =650A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 o C |
|
1.90 |
2.35 |
V |
I C =650A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 o C |
|
2.35 |
|
|||
I C =650A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 o C |
|
2.45 |
|
|||
V Გენერალური საწარმოები (th ) |
Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი |
I C =24.0 mA ,V CE = V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
I CES |
Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული Დიდება |
V CE = V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25 o C |
|
|
5.0 |
mA |
I Გენერალური საწვავის სისტემა |
Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება |
V Გენერალური საწარმოები = V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 o C |
|
|
400 |
nA |
R Გინტი |
Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური |
|
|
2.3 |
|
ω |
C ies |
Შეყვანის სიმძლავრე |
V CE =25V,f=1MHz, V Გენერალური საწარმოები =0V |
|
72.3 |
|
nF |
C res |
Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა |
|
1.75 |
|
nF |
|
Q G |
Კარიბჭის გადასახადი |
V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15…+15V |
|
5.66 |
|
μC |
t d (ჩართული ) |
Ჩართვის შეფერხების დრო |
V CC =900V,I C =650A, R Გონ = 1.8Ω,R Გოფ =2.7Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15V,T ჯ =25 o C |
|
468 |
|
n |
t r |
Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
|
86 |
|
n |
|
t d (გათიშული ) |
Გამორთვა Დაყოვნების დრო |
|
850 |
|
n |
|
t f |
Შემოდგომის დრო |
|
363 |
|
n |
|
E ჩართული |
Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი |
|
226 |
|
mJ |
|
E გათიშული |
Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი |
|
161 |
|
mJ |
|
t d (ჩართული ) |
Ჩართვის შეფერხების დრო |
V CC =900V,I C =650A, R Გონ = 1.8Ω,R Გოფ =2.7Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15V,T ჯ = 125o C |
|
480 |
|
n |
t r |
Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
|
110 |
|
n |
|
t d (გათიშული ) |
Გამორთვა Დაყოვნების დრო |
|
1031 |
|
n |
|
t f |
Შემოდგომის დრო |
|
600 |
|
n |
|
E ჩართული |
Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი |
|
338 |
|
mJ |
|
E გათიშული |
Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი |
|
226 |
|
mJ |
|
t d (ჩართული ) |
Ჩართვის შეფერხების დრო |
V CC =900V,I C =650A, R Გონ = 1.8Ω,R Გოფ =2.7Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15V,T ჯ = 150o C |
|
480 |
|
n |
t r |
Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
|
120 |
|
n |
|
t d (გათიშული ) |
Გამორთვა Დაყოვნების დრო |
|
1040 |
|
n |
|
t f |
Შემოდგომის დრო |
|
684 |
|
n |
|
E ჩართული |
Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი |
|
368 |
|
mJ |
|
E გათიშული |
Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი |
|
242 |
|
mJ |
|
I SC |
Ს.კ. მონაცემები |
t Პ ≤ 10μs,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 o C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V |
|
2600 |
|
Ა |
Დიოდი Მახასიათებლები T C =25 o C თუკი სხვანაირად მონიშნული
Სიმბოლო |
Პარამეტრი |
Გამოცდის პირობები |
Მინ. |
Თპ. |
Მაქსიმალური |
Ერთეული |
V F |
Დიოდი წინ Ვოლტი |
I F =650A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 o C |
|
1.85 |
2.30 |
V |
I F =650A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 125o C |
|
1.98 |
|
|||
I F =650A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 150o C |
|
2.02 |
|
|||
Q r |
Აღდგენილი გადასახადი |
V R =900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =25 o C |
|
176 |
|
μC |
I RM |
Პიკის საპირისპირო Აღდგენის დენი |
|
765 |
|
Ა |
|
E რეკ |
Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია |
|
87.4 |
|
mJ |
|
Q r |
Აღდგენილი გადასახადი |
V R =900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ = 125o C |
|
292 |
|
μC |
I RM |
Პიკის საპირისპირო Აღდგენის დენი |
|
798 |
|
Ა |
|
E რეკ |
Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია |
|
159 |
|
mJ |
|
Q r |
Აღდგენილი გადასახადი |
V R =900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ = 150o C |
|
341 |
|
μC |
I RM |
Პიკის საპირისპირო Აღდგენის დენი |
|
805 |
|
Ა |
|
E რეკ |
Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია |
|
192 |
|
mJ |
NTC Მახასიათებლები T C =25 o C თუკი სხვანაირად მონიშნული
Სიმბოლო |
Პარამეტრი |
Გამოცდის პირობები |
Მინ. |
Თპ. |
Მაქსიმალური |
Ერთეული |
R 25 |
Ნომინირებული წინააღმდეგობა |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
Გადახრა of R 100 |
T C = 100 o C,R 100= 493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
Პ 25 |
Ენერგია Გამოტაცია |
|
|
|
20.0 |
მვთ |
B 25/50 |
B-მასპინძელი |
R 2=R 25exp [ბ] 25/50 1/T 2- 1⁄298.15K))] |
|
3375 |
|
Კ |
B 25/80 |
B-მასპინძელი |
R 2=R 25exp [ბ] 25/80 1/T 2- 1⁄298.15K))] |
|
3411 |
|
Კ |
B 25/100 |
B-მასპინძელი |
R 2=R 25exp [ბ] 25/100 1/T 2- 1⁄298.15K))] |
|
3433 |
|
Კ |
Მოდული Მახასიათებლები T C =25 o C თუკი სხვანაირად მონიშნული
Სიმბოლო |
Პარამეტრი |
Მინ. |
Თპ. |
Მაქსიმალური |
Ერთეული |
L CE |
Ცარიელი ინდუქტენტობა |
|
18 |
|
nH |
R CC+EE |
Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე |
|
0.30 |
|
mΩ |
R thJC |
Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ) Კვანძები (D-ზე) იოდი) |
|
|
35.8 71.3 |
K/kW |
R thCH |
Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) Ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული) |
|
13.5 26.9 4.5 |
|
K/kW |
M |
Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მ4 Ტერმინალის კავშირი Ტორქი, Მუხრუჭი M8 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M5 |
1.8 8.0 3.0 |
|
2.1 10.0 6.0 |
N.m |
G |
Წონა of Მოდული |
|
810 |
|
g |
Ნაჟ პჲფეჲნალთკ ნა ოჲეჲბპარა ჟლვეა ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
Თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.