GD650HFX170P1S,IGBT მოდული,STARPOWER

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

IC=650A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.90

2.35

V

IC=650A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

2.35

IC=650A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

2.45

V GE (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

IC=24.0mA ,V CE =V GE , T ჯ =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული

Მიმდინარე

V CE =V CES ,V GE =0V,

T ჯ =25o C

5.0

mA

IᲒენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V GE =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

2.3

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

72.3

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

1.75

nF

Კითხვა G

Კარიბჭის გადასახადი

V GE =- 15…+15V

5.66

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=650A, Რ Გონ = 1.8Ω,R Გოფ =2.7Ω, V GE =±15V,T ჯ =25o C

468

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

86

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

850

n

t f

Შემოდგომის დრო

363

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

226

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

161

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=650A, Რ Გონ = 1.8Ω,R Გოფ =2.7Ω, V GE =±15V,T ჯ = 125o C

480

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

110

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

1031

n

t f

Შემოდგომის დრო

600

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

338

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

226

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=650A, Რ Გონ = 1.8Ω,R Გოფ =2.7Ω, V GE =±15V,T ჯ = 150o C

480

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

120

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

1040

n

t f

Შემოდგომის დრო

684

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

368

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

242

mJ

ISC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs,V GE =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

2600

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

IF =650A,V GE =0V,T ჯ =25o C

1.85

2.30

V

IF =650A,V GE =0V,T ჯ = 125o C

1.98

IF =650A,V GE =0V,T ჯ = 150o C

2.02

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T ჯ =25o C

176

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

765

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

87.4

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T ჯ = 125o C

292

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

798

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

159

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T ჯ = 150o C

341

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

805

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

192

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

δR/R

Გადახრა შემდეგი Რ 100

T C= 100 o C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

Პ 25

Ძალა

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/501/T 2-

1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/801/T 2-

1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/1001/T 2-

1⁄298.15K))]

3433

Კ