MZx400, სწრაფი აღდგენის დიოდის მოდული, TECHSEM

VRRM

Ტიპი და კონტური

600V

800V

1000 ვოლტი

1200 ვოლტი

1400V

1600V

1800V

1800V

MZx400-06-410F3

MZx400-08-410F3

MZx400-10-410F3

MZx400-12-410F3

MZx400-14-410F3

MZx400-16-410F3

MZx400-18-410F3

MZ400-18-410F3G

Სიმბოლო

Მახასიათებელი

Გამოცდის პირობები

Tj( ℃)

Ღირებულება

Ერთეული

Წუთი

Ტიპი

Მაქს.

IF(AV)

Საშუალო წინასწარი დენი

180。ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz

Ერთმხრივი გაგრილება, TC=85 。C

140

400

A

IF (RMS)

RMS წინასწარი დენი

628

A

IRRM

Განმეორებითი პიკური დენი

vRRM-ზე

140

90

mA

IFSM

Სალტო წინასწარი დენი

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0.6VRRM

140

9.5

kA

I²t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

451

10³A²ს

VFO

Საფეხური ძაბვა

140

1.10

V

rF

Წინასწარი დახრის წინააღმდეგობა

0.27

mΩ

VFM

Პიკური წინასწარი ძაბვა

IFM= 1200A

25

2.00

V

trr

Უკუღმართი აღდგენის დრო

IFM=300A, tp=4000μs, -di/dt=20A/μs, VR=50V

140

4

μs

25

3

μs

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

0.090

℃ /W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე

Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

0.020

℃ /W

VISO

Იზოლაციის ძაბვა

50Hz,R.M.S,t= 1წუთი,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

FM

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი ((M12)

12.0

14.0

N·მ

Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა ((M8)

10.0

12.0

N·მ

Tvj

Ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

140

℃

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

125

℃

Wt

Წონა

3310

g

Კონტური

410F3