GD100HHU120C6SD, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C@ ტ C=75o C

146

100

A

IᲡმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

200

A

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =150o C

771

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

IF

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

100

A

IFM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

200

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T vjmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

150

o C

T vjop

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +125-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t= 1წთ

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

IC=100A,V GE =15 ვოლტი, T vj =25o C

3.00

3.45

V

IC=100A,V GE =15 ვოლტი, T vj =125o C

3.80

V GE (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

IC=4.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

4.5

5.5

6.5

V

ICES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IᲒენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V GE =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

1.0

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

6.50

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.42

nF

Კითხვა G

Კარიბჭის გადასახადი

V GE =-15...+15 ვოლტი

1.10

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=100A, Რ G=9.1Ω,V GE =±15 ვოლტი, LS =48nH ,T vj =25o C

38

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

50

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

330

n

t f

Შემოდგომის დრო

27

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

8.92

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

2.06

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=100A, Რ G=9.1Ω,V GE =±15 ვოლტი, LS =48nH ,T vj =125o C

37

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

50

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

362

n

t f

Შემოდგომის დრო

43

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

10.7

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

3.69

mJ

ISC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs, V GE =15 ვოლტი,

T vj =125o C,V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

650

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

IF =100A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =100A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =100A,

-di/dt=2245A/μs,V GE =-15 ვოლტი LS =48nH ,T vj =25o C

11.5

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

101

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

4.08

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =100A,

-di/dt=2352A/μs,V GE =-15 ვოლტი LS =48nH ,T vj =125o C

19.0

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

120

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

7.47

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

∆R/R

Გადახრა შემდეგი Რ 100

T vj =100 o C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

Პ 25

Ძალა

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/501/T 2- 1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/801/T 2- 1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/1001/T 2- 1⁄298.15K))]

3433

Კ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

21

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე

2.60

mΩ

Რ thJC

Გადასასვლელი --დან -Შემთხვევა (perIGBT ) Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.162 0.401

Კვ/ვ

Რ thCH

Შემთხვევა --დან -Სანი (perIGBT )

Კოლოფიდან მდინარეს (დიოდების მიხედვით)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.051 0.125 0.009

Კვ/ვ

Მ

Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

3.0

6.0

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

300

g