Მოკლე შესავალი
Ტრისტორი/დიოდი მოდული, MTx 400 MFx 400 MT 400，400Ა ,Წყლის გაგრილება ，ნაოპაგთლ ნა TECHSEM.
VRRM,VDRM |
Ტიპი და კონტური |
600V |
MT4 სათამაშოები |
MFx400-06-405F3 |
800V |
MT4 სათამაშოები |
MFx400-08-405F3 |
1000 ვოლტი |
MT4 სათამაშოები |
MFx400-10-405F3 |
1200 ვოლტი |
MT4 სათამაშოები |
MFx400-12-405F3 |
1400V |
MT4 სათამაშოები |
MFx400-14-405F3 |
1600V |
MTx400-16-405F3 |
MFx400-16-405F3 |
1800V |
MTx400-18-405F3 |
MFx400-18-405F3 |
1800V |
MT450-005F3G |
|
MTx ნიშნავს ნებისმიერ ტიპი Მტკ ,MTA ,MTK
MFx ნიშნავს ნებისმიერ ტიპი MFC ,MFA ,MFK
Მახასიათებლები
- Იზოლირებული მონტაჟის ბაზა 3000V~
- Წნევის კონტაქტის ტექნოლოგია
- Გაზრდილი ენერგიის ციკლის შესაძლებლობა
- Სივრცისა და წონის დაზოგვა
Ტიპიური გამოყენებები
- Მუდმივი დენის მქონე ძრავები
- Სხვადასხვა რექტიფიკატორები
- PWM ინვერტისთვის დისტანციური დენის მიწოდება
|
Სიმბოლო
|
Მახასიათებლები
|
Გამოცდის პირობები
|
Tj( °C ) |
Ღირებულება |
Ერთეული
|
Მნ |
Ტიპი |
Მაქს |
IT(AV) |
Საშუალო ჩართული მიმდინარე |
180。ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz
Ერთპიროვნული გაგრილება, THS=55 °C
|
125
|
|
|
400 |
Ა |
IT(RMS) |
RMS აქტიური მიმდინარე |
|
|
628 |
Ა |
Ირმ ირმ |
Განმეორებითი პიკური დენი |
vDRM-ზე VRRM-ზე |
125 |
|
|
35 |
mA |
ITSM |
Სერჟი ჩართული მიმდინარე |
VR=60%VRRM, t=10ms ნახევარი სინუსი |
125 |
|
|
12.5 |
kA |
I2t |
I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის |
125 |
|
|
781 |
103A2s |
VTO |
Საფეხური ძაბვა |
|
125
|
|
|
0.80 |
V |
რტ |
Ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა |
|
|
0.80 |
mΩ |
VTM |
Პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა |
ITM=1200A |
25 |
|
|
1.90 |
V |
dv/dt |
Გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μS |
di/dt |
Ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე |
Გეითის წყარო 1.5A
tr ≤0.5μs განმეორებითი
|
125 |
|
|
200 |
A/μS |
IGT |
Კარის ტრიგერის მიმდინარე |
VA=12V, IA=1A
|
25
|
30 |
|
200 |
mA |
Vgt |
Კარების ტრიგერის ძაბვა |
0.8 |
|
3.0 |
V |
IH |
Შენარჩუნების მიმდინარე |
10 |
|
200 |
mA |
IL |
Ჩაკეტვის მიმდინარე |
|
|
1000 |
mA |
VGD |
Არატრიგერის კარების ძაბვა |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.20 |
V |
Rth(j-c) |
Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე |
Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე |
|
|
|
0.11 |
°C /W |
Rth(c-h) |
Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე |
Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე |
|
|
|
0.04 |
°C /W |
VISO |
Იზოლაციის ძაბვა |
50Hz,R.M.S,t=1წთ,Iiso:1mA(მაქსიმუმ) |
|
3000 |
|
|
V |
|
FM
|
Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი ((M12) |
|
|
12 |
|
14 |
N·მ |
Მონტაჟის ტორქე(M6) |
|
|
4.5 |
|
6 |
N·მ |
Tvj |
Ჯუნქციის ტემპერატურა |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
TSTG |
Შენახვის ტემპერატურა |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
Wt |
Წონა |
|
|
|
1060 |
|
g |
Კონტური |
405F3 |
EN
