GD300HFX170C6S, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C@ ტ C= 100o C

493

300

A

IᲡმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

600

A

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T =175o C

1829

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1700

V

IF

Დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

300

A

IFM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

600

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შემადგენლითი ტემპერატურა Სიჩარე

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 წუთი

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

IC=300A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.85

2.20

V

IC=300A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

2.25

IC=300A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

2.35

V GE (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

IC= 12.0mA,V CE =V GE ,T ჯ =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V GE =0V, T ჯ =25o C

5.0

mA

IᲒენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V GE =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

2.5

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

36.1

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.88

nF

Კითხვა G

Კარიბჭის გადასახადი

V GE =-15 ...+15V

2.83

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=300A, Რ Გონ =3.3Ω,

Რ Გოფ =4.7Ω, V GE =±15 ვოლტი,

T ჯ =25o C

213

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

83

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

621

n

t f

Შემოდგომის დრო

350

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

79.2

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

70.2

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=300A, Რ Გონ =3.3Ω,

Რ Გოფ =4.7Ω, V GE =±15 ვოლტი,

T ჯ = 125o C

240

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

92

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

726

n

t f

Შემოდგომის დრო

649

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

104

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

108

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=300A, Რ Გონ =3.3Ω, Რ Გოფ =4.7Ω,

V GE =±15 ვოლტი, T ჯ = 150o C

248

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

95

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

736

n

t f

Შემოდგომის დრო

720

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

115

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

116

mJ

ISC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs,V GE =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

1200

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

IF =300A,V GE =0V,T ჯ =25o C

1.80

2.25

V

IF =300A,V GE =0V,T ჯ = 125o C

1.90

IF =300A,V GE =0V,T ჯ = 150o C

1.95

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE =-15 ვოლტი T ჯ =25o C

82.5

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

407

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

46.6

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE =-15 ვოლტი T ჯ =125o C

138

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

462

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

92.2

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE =-15 ვოლტი T ჯ =150o C

154

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

460

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

109

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

δR/R

Გადახრა შემდეგი Რ 100

T C= 100 o C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

Პ 25

Ძალა

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/501/T 2- 1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/801/T 2- 1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/1001/T 2- 1⁄298.15K))]

3433

Კ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე

1.10

mΩ

Რ thJC

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ) Კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.082 0.129

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) Ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.029 0.046 0.009

Კვ/ვ

Მ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

350

g