GD300HFX170C6S, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

Კოლექტორის დენი @ T C =25 o C @ ტ C = 100o C

493

300

Ა

I CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

600

Ა

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T =175 o C

1829

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1700

V

I F

Დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

300

Ა

I FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

600

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შემადგენლითი ტემპერატურა Დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

I C =300A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 o C

1.85

2.20

V

I C =300A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 o C

2.25

I C =300A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 o C

2.35

V Გენერალური საწარმოები (th )

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

I C = 12.0mA,V CE =V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული Დიდება

V CE = V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25 o C

5.0

mA

I Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება

V Გენერალური საწარმოები = V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 o C

400

nA

R Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

2.5

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

36.1

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.88

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15 ...+15V

2.83

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =300A, R Გონ =3.3Ω,

R Გოფ =4.7Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი,

T ჯ =25 o C

213

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

83

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

621

n

t f

Შემოდგომის დრო

350

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

79.2

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

70.2

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =300A, R Გონ =3.3Ω,

R Გოფ =4.7Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი,

T ჯ = 125o C

240

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

92

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

726

n

t f

Შემოდგომის დრო

649

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

104

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

108

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =300A, R Გონ =3.3Ω, R Გოფ =4.7Ω,

V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 150o C

248

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

95

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

736

n

t f

Შემოდგომის დრო

720

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

115

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

116

mJ

I SC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150 o C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

1200

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

I F =300A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 o C

1.80

2.25

V

I F =300A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 125o C

1.90

I F =300A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 150o C

1.95

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=3300A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ =25 o C

82.5

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

407

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

46.6

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=3300A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ =125 o C

138

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

462

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

92.2

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=3300A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ =150 o C

154

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

460

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

109

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

R 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

δR/R

Გადახრა of R 100

T C = 100 o C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

Პ 25

Ენერგია

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

R 2=R 25exp [ბ] 25/50 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

R 2=R 25exp [ბ] 25/80 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

R 2=R 25exp [ბ] 25/100 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3433

Კ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

L CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

R CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე

1.10

mΩ

R thJC

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ) Კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.082 0.129

Კვ/ვ

R thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) Ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.029 0.046 0.009

Კვ/ვ

M

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m

G

Წონა of Მოდული

350

g