GD300HFX170C6S, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

Ის C

Კოლექტორის დენი @ T C =25o C @ ტ C = 100o C

493

300

Ა

Ის CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t p =1ms

600

Ა

P D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T =175o C

1829

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1700

V

Ის F

Დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

300

Ა

Ის FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t p =1ms

600

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შემადგენლითი ტემპერატურა Სიჩარე

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

Ის C =300A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.85

2.20

V

Ის C =300A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

2.25

Ის C =300A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

2.35

V Გენერალური საწარმოები (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

Ის C = 12.0mA,V CE =V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Ის CES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25o C

5.0

mA

Ის Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

2.5

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

36.1

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.88

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15 ...+15V

2.83

μC

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =300A, Რ Გონ =3.3Ω,

Რ Გოფ =4.7Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი,

T ჯ =25o C

213

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

83

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

621

n

t f

Შემოდგომის დრო

350

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

79.2

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

70.2

mJ

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =300A, Რ Გონ =3.3Ω,

Რ Გოფ =4.7Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი,

T ჯ = 125o C

240

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

92

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

726

n

t f

Შემოდგომის დრო

649

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

104

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

108

mJ

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =300A, Რ Გონ =3.3Ω, Რ Გოფ =4.7Ω,

V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 150o C

248

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

95

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

736

n

t f

Შემოდგომის დრო

720

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

115

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

116

mJ

Ის SC

Ს.კ. მონაცემები

t P ≤ 10μs,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

1200

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

Ის F =300A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25o C

1.80

2.25

V

Ის F =300A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 125o C

1.90

Ის F =300A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 150o C

1.95

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =300A,

-di/dt=3300A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ =25o C

82.5

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

407

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

46.6

mJ

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =300A,

-di/dt=3300A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ =125o C

138

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

462

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

92.2

mJ

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =300A,

-di/dt=3300A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ =150o C

154

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

460

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

109

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

δR/R

Გადახრა შემდეგი Რ 100

T C = 100 o C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ძალა

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/501/T 2- 1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/801/T 2- 1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/1001/T 2- 1⁄298.15K))]

3433

Კ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Ლ CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე

1.10

mΩ

Რ thJC

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ) Კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.082 0.129

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) Ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.029 0.046 0.009

Კვ/ვ

Მ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

350

g