Მოკლე შესავალი
IGBT მოდული ,წარმოებული STARPOWER . 1700V 75Ა.
Მახასიათებლები
Ტიპიური გამოყენებები
Აბსოლუტური Მაქსიმალური Რეიტინგები T F =25 o C თუკი სხვანაირად მონიშნული
IGBT
Სიმბოლო |
Აღწერა |
Ღირებულება |
Ერთეული |
V CES |
Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა |
1700 |
V |
V Გენერალური საწვავის სისტემა |
Ღობე-გამომცემის ძაბვა |
±20 |
V |
I C |
Კოლექტორის დენი @ T C =25 o C @ T C =100 o C |
136 75 |
Ა |
I CM |
Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms |
150 |
Ა |
Პ D |
Მაქსიმალური Ენერგია Გამოტაცია @ T vj =175 o C |
539 |
W |
Დიოდი
Სიმბოლო |
Აღწერა |
Ღირებულება |
Ერთეული |
V RRM |
Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება |
1700 |
V |
I F |
Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა |
75 |
Ა |
I FM |
Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms |
150 |
Ა |
Მოდული
Სიმბოლო |
Აღწერა |
Ღირებულება |
Ერთეული |
T vjmax |
Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა |
175 |
o C |
T vjop |
Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა |
-40-დან +150-მდე |
o C |
T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო |
Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი |
-40-დან +125-მდე |
o C |
V ISO |
Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t= 1წთ |
4000 |
V |
IGBT Მახასიათებლები T C =25 o C თუკი სხვანაირად მონიშნული
Სიმბოლო |
Პარამეტრი |
Გამოცდის პირობები |
Მინ. |
Თპ. |
Მაქსიმალური |
Ერთეული |
V CE ((sat) |
Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა |
I C =75A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 o C |
|
1.85 |
2.20 |
V |
I C =75A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125 o C |
|
2.25 |
|
|||
I C =75A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =150 o C |
|
2.35 |
|
|||
V Გენერალური საწარმოები (th ) |
Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი |
I C =3.0 mA ,V CE = V Გენერალური საწარმოები , T vj =25 o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
I CES |
Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული Დიდება |
V CE = V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25 o C |
|
|
5.0 |
mA |
I Გენერალური საწვავის სისტემა |
Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება |
V Გენერალური საწარმოები = V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25 o C |
|
|
400 |
nA |
R Გინტი |
Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა |
|
|
8.5 |
|
ω |
C ies |
Შეყვანის სიმძლავრე |
V CE =25V,f=1MHz, V Გენერალური საწარმოები =0V |
|
9.03 |
|
nF |
C res |
Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა |
|
0.22 |
|
nF |
|
Q G |
Კარიბჭის გადასახადი |
V Გენერალური საწარმოები =-15 ...+15V |
|
0.71 |
|
μC |
t d (ჩართული ) |
Ჩართვის შეფერხების დრო |
V CC =900V,I C =75A, R G =6.8Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, LS =60 nH ,T vj =25 o C |
|
237 |
|
n |
t r |
Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
|
59 |
|
n |
|
t d(off) |
Გამორთვა Დაყოვნების დრო |
|
314 |
|
n |
|
t f |
Შემოდგომის დრო |
|
361 |
|
n |
|
E ჩართული |
Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი |
|
25.0 |
|
mJ |
|
E გათიშული |
Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი |
|
9.5 |
|
mJ |
|
t d (ჩართული ) |
Ჩართვის შეფერხების დრო |
V CC =900V,I C =75A, R G =6.8Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, LS =60 nH ,T vj =125 o C |
|
254 |
|
n |
t r |
Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
|
70 |
|
n |
|
t d(off) |
Გამორთვა Დაყოვნების დრო |
|
383 |
|
n |
|
t f |
Შემოდგომის დრო |
|
524 |
|
n |
|
E ჩართული |
Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი |
|
33.3 |
|
mJ |
|
E გათიშული |
Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი |
|
15.1 |
|
mJ |
|
t d (ჩართული ) |
Ჩართვის შეფერხების დრო |
V CC =900V,I C =75A, R G =6.8Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, LS =60 nH ,T vj =150 o C |
|
257 |
|
n |
t r |
Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
|
75 |
|
n |
|
t d(off) |
Გამორთვა Დაყოვნების დრო |
|
396 |
|
n |
|
t f |
Შემოდგომის დრო |
|
588 |
|
n |
|
E ჩართული |
Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი |
|
36.9 |
|
mJ |
|
E გათიშული |
Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი |
|
16.6 |
|
mJ |
|
I SC |
Ს.კ. მონაცემები |
t Პ ≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =150 o C ,V CC =1000V V CEM ≤1700V |
|
300 |
|
Ა |
Დიოდი Მახასიათებლები T C =25 o C თუკი სხვანაირად მონიშნული
Სიმბოლო |
Პარამეტრი |
Გამოცდის პირობები |
Მინ. |
Თპ. |
Მაქსიმალური |
Ერთეული |
V F |
Დიოდი წინ Ვოლტი |
I F =75A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =2 5o C |
|
1.80 |
2.25 |
V |
I F =75A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =12 5o C |
|
1.90 |
|
|||
I F =75A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =15 0o C |
|
1.95 |
|
|||
Q r |
Აღდგენილი გადასახადი |
V R =900V,I F =75A, -di/dt=700A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი LS =60 nH ,T vj =25 o C |
|
16.4 |
|
μC |
I RM |
Პიკის საპირისპირო Აღდგენის დენი |
|
58 |
|
Ა |
|
E რეკ |
Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია |
|
7.2 |
|
mJ |
|
Q r |
Აღდგენილი გადასახადი |
V R =900V,I F =75A, -di/dt=600A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი LS =60 nH ,T vj =125 o C |
|
30.8 |
|
μC |
I RM |
Პიკის საპირისპირო Აღდგენის დენი |
|
64 |
|
Ა |
|
E რეკ |
Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია |
|
15.8 |
|
mJ |
|
Q r |
Აღდგენილი გადასახადი |
V R =900V,I F =75A, -di/dt=600A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი LS =60 nH ,T vj =150 o C |
|
31.4 |
|
μC |
I RM |
Პიკის საპირისპირო Აღდგენის დენი |
|
64 |
|
Ა |
|
E რეკ |
Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია |
|
18.2 |
|
mJ |
Მოდული Მახასიათებლები T C =25 o C თუკი სხვანაირად მონიშნული
Სიმბოლო |
Პარამეტრი |
Მინ. |
Თპ. |
Მაქსიმალური |
Ერთეული |
L CE |
Ცარიელი ინდუქტენტობა |
|
|
30 |
nH |
R CC+EE |
Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე |
|
0.65 |
|
mΩ |
R thJC |
Გადასასვლელი -რომ -Შემთხვევა (perIGBT ) Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი) |
|
|
0.278 0.467 |
Კვ/ვ |
R thCH |
Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის) |
|
0.160 0.268 0.050 |
|
Კვ/ვ |
M |
Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M5 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
N.m |
G |
Წონა of Მოდული |
|
150 |
|
g |
Ნაჟ პჲფეჲნალთკ ნა ოჲეჲბპარა ჟლვეა ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
Თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.