GD75HFX170C1S,IGBT მოდული,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C @ T C=100o C

136

75

A

IᲡმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

150

A

Პ D

Მაქსიმალური Ძალა Გამოტაცია @ T vj =175o C

539

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1700

V

IF

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

75

A

IFM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

150

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

IC=75A,V GE =15 ვოლტი, T vj =25o C

1.85

2.20

V

IC=75A,V GE =15 ვოლტი, T vj =125o C

2.25

IC=75A,V GE =15 ვოლტი, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

IC=3.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IᲒენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V GE =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

8.5

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

9.03

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.22

nF

Კითხვა G

Კარიბჭის გადასახადი

V GE =-15 ...+15V

0.71

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=75A, Რ G=6.8Ω,V GE =±15 ვოლტი, LS =60nH ,T vj =25o C

237

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

59

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

314

n

t f

Შემოდგომის დრო

361

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

25.0

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

9.5

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=75A, Რ G=6.8Ω,V GE =±15 ვოლტი, LS =60nH ,T vj =125o C

254

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

70

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

383

n

t f

Შემოდგომის დრო

524

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

33.3

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

15.1

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=75A, Რ G=6.8Ω,V GE =±15 ვოლტი, LS =60nH ,T vj =150o C

257

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

75

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

396

n

t f

Შემოდგომის დრო

588

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

36.9

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

16.6

mJ

ISC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs, V GE =15 ვოლტი,

T vj =150o C,V CC =1000V

V CEM ≤1700V

300

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

IF =75A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =75A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =75A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =75A,

-di/dt=700A/μs,V GE =-15 ვოლტი LS =60nH ,T vj =25o C

16.4

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

58

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

7.2

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V GE =-15 ვოლტი LS =60nH ,T vj =125o C

30.8

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

64

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

15.8

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V GE =-15 ვოლტი LS =60nH ,T vj =150o C

31.4

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

64

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

18.2

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

30

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე

0.65

mΩ

Რ thJC

Გადასასვლელი --დან -Შემთხვევა (perIGBT ) Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.278 0.467

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.160 0.268 0.050

Კვ/ვ

Მ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M5 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

150

g