Შემოკლებული წარმოდგენა
Ასიმეტრიული IGCT (A-IGCT) მოდულები არის მაღალი სიმძლავრისა და მაღალი სინდარის ნახსენების მოწყობილობები, რომლებიც შეიმუშავებულია მაღალი და საშუალო ძაბვის ენერგიის გარდაქმნის მოწინავე გამოყენებებისთვის. GTO ტექნოლოგიის მაღალი ძაბვისა და მაღალი დენის შესაძლებლობების და სწრაფი გადართვის შესაძლებლობების კომბინაციით, რომელსაც IGCT ტექნოლოგია იძლევა, A-IGCT მოდულები უზრუნველყოფენ ეფექტურ ამონახსნს მოთხოვნადი სამრეწველო ელექტროენერგეტიკული სისტემებისთვის.
Მოწინავე ნახსენების წარმოების ტექნოლოგიის და გასაუმჯობესებლად შემუშავებული მოწყობილობის სტრუქტურების გამოყენებით ასიმეტრიული IGCT მოდულები აჩვენებენ დაბალ გამტარობის კარგავებს, მაღალ გამორთვის შესაძლებლობას, გამორჩევად თერმულ სიკეთეს და შესანიშნავ ექსპლუატაციურ სინდარს. ისინი შეიმუშავებულია იმის უზრუნველყოფად, რომ უზრუნველყოფონ სტაბილური და გრძელვადი ექსპლუატაცია მკაცრი სამრეწველო პირობებში.
Ასიმეტრიული IGCT მოდულები ფართოდ გამოიყენება მაღალი ძაბვის ინვერტერებში, სამრეწველო რექტიფიკატორულ ძაბვის მომარაგების სისტემებში, მაღაროების აწევის სისტემებში, რკინიგზის ტრაქციაში, ენერგიის ხარისხის გაუმჯობესების სისტემებში, დიდი ძრავების მარეგულირებლებში და აღადგენადი ენერგიის ენერგიის გარდაქმნის სისტემებში.
Ძირითადი მახასიათებლები:
Მაღალი ძაბვის შესაძლებლობა საშუალო- და მაღალი სიმძლავრის გამოყენების სფეროებში
Მაღალი დენის შესაძლებლობა დიდზომიერი სიმძლავრის გარდაქმნის სისტემებში
Დაბალი გატარების კონდუქციური დანაკლისები სისტემის ეფექტურობის გასაუმჯობესებლად
Სწრაფი გამორთვის მოსამზადებლობა დინამიკური რეაგირების გასაუმჯობესებლად
Მაღალი სანდოობა უწყვეტი საინდუსტრიო ექსპლუატაციისთვის
Მაღალი სიმძლავრის სიმჭიდროვის დიზაინი კომპაქტური ელექტროენერგეტიკური სისტემებისთვის
Განსაკუთრებული ელექტროული მოხდელობითა და სანდოობით გამორჩევადი ასიმეტრიული IGCT მოდულები წარმოადგენენ ძირევი ნახსენების ამონაგებს შემდეგი თაობის მაღალეფექტურობის და მაღალსანდოობის ელექტროენერგეტიკური სისტემებისთვის.
YT-ASC40L6500IC
Ძირითადი პარამეტრები
V DRM |
6500 |
V |
Მე TGQM |
4000 |
A |
Მე TSM |
26 |
kA |
V – |
1.88 |
V |
რ T |
0.56 |
mQ |
V DClink |
4000 |
V |
Მექანიკური მონაცემები
Სიმბოლო |
Პარამეტრი |
Პირობები |
Წთ იმ |
Ტიპური |
Წთ აქს |
|
V DRM |
Გამეორებითი პიკი გამორთული ძაბვის |
T Vj =125℃, I D≤I DRM, t p =10ms |
— |
— |
4500 |
V |
Მე DRM |
Გამეორებითი პიკი გამორთული დენის |
T Vj =125℃, V D=V DRM, t p =10ms |
— |
— |
50 |
mA |
d v /dt |
Ანოდის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე |
T Vj =125℃, V D=0.67V DRM |
— |
— |
1000 |
V/μS |
V DClin Კ |
Შუალედური DC ძაბვა |
Მუდმივი DC ძაბვა 100 FIT შეცდომის მაჩვენებლისთვის GCT |
— |
— |
4000 |
V |
V RRM |
Უკუქცევითი ძაბვა |
\ |
— |
— |
17 |
V |
Ჩართული მდგომარეობის მონაცემები
Სიმბოლო |
Პარამეტრი |
Პირობები |
Წთ იმ |
Ტიპური |
Წთ აქს |
|
Მე DC |
Მაქსიმალური RMS ჩართული მდგომარეობის დენი |
T C= 85 ℃,DC, Ორმხრივი გაგრილება |
— |
— |
2000 |
A |
|
Მე TSM
Მე 2t
|
Მაქსიმალური პიკი არამიმდინარე სერჟი ჩართული მდგომარეობის დენი
Ლიმიტირებული დატვირთვის ინტეგრალი
|
T Vj = 125 ℃,sin cE ნახევარი ტალღა , 10ms,
V D=V Რ =0
|
—
—
|
—
—
|
26
338
|
KA
104A2 წმ
|
V TM |
Ჩართული მდგომარეობის ძაბვა |
T Vj = 125℃, I T =4000A |
— |
3.75 |
4.11 |
V |
|
V –
რ T
|
Საფეხური ძაბვა
დახრის წინააღმდეგობა
|
T Vj = 125℃, I T = 1000… 4000A |
— |
— |
1.88
0.55
|
V
წთ ω
|
Ჩართვის მონაცემები
Სიმბოლო |
Პარამეტრის სახელი |
Გამოცდის პირობები |
Წთ იმ |
Ტიპური |
Წთ აქს |
|
დი T /dt |
Ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე |
TVJ = 125 ℃, IT = 4000A, VD = 2800V, f=0..500Hz |
— |
— |
5000 |
A/ μ წმ |
t don |
Ჩართვის შეფერხების დრო |
T Vj = 125 ℃, I T = 5000A, V D = 4000V,
di /dt = V D/Lმე , რომელიც CL =20μF, L მე = 3μH, L CL = 0.3μH
|
— |
— |
3 |
μ წმ |
t donSF |
Ჩართვის დაგვიანების დროის სტატუსი უკუკავშირი |
— |
— |
7 |
μ წმ |
t რ |
Ზრდის დრო (ანოდის ძაბვის დაცემის დრო) |
— |
— |
1 |
μ წმ |
Eჩართულია |
Ჩართვის ენერგია თითო პულსზე |
— |
— |
3.3 |
Ჯ |
Გამორთვის მონაცემები
Სიმბოლო |
Პარამეტრი |
Პირობები |
Წთ იმ |
Ტიპური |
Წთ აქს |
|
Მე TGQM |
Მაქსიმალური კონტროლირებადი გამორთვის დენი |
T Vj = 125℃, V Dm ≤ V DRM , V D =4000V, L CL = 0.3μH,
CCL = 20μF, R Წმ = 0. 4ω ,f=0..300Hz
DᲬინადადება = D CL = FY B 1100-60
|
— |
— |
4000 |
A |
t doff |
Გამორთვის დაგვიანების დრო |
T Vj = 125℃,Მე TGQ = 4000A, V D=4000V,
V Dm ≤ V DRM ,CCL = 20μF, Რ Წმ = 0.4 ω,
L მე =3μH, LCL = 0.3μH
DᲬინადადება = D CL = FYB 1100-60
|
— |
— |
8 |
μ წმ |
t doffSF |
Გამორთვის დაგვიანების დროის სტატუსის უკუკავშირი |
— |
— |
7 |
μ წმ |
t f |
Შემოდგომის დრო |
— |
— |
1 |
μ წმ |
Eგათიშული |
Გამორთვის ენერგია თითო პულსზე |
— |
442.5 |
46.3 |
Ჯ |
Თერმული მონაცემები
Სიმბოლო |
Პარამეტრის სახელი |
Გამოცდის პირობები |
Წთ იმ |
Ტიპური |
Წთ აქს |
|
|
T Vj
T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო
|
Ჯუნქციის სამუშაო ტემპერატურა
Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი
|
/ |
0
-40
|
— |
125
60
|
℃
℃
|
|
Რ thJC
Რ thCH
|
Თერმული წინააღმდეგობა, ჯუნქცია-კორპუსი
Თერმული წინააღმდეგობა, კორპუსი-გათბობის რადიატორი
|
Ორმხრივი გაგრილება |
—
—
|
—
—
|
8.5
3
|
K/kW
K/kW
|
Გეით ერთეული
Სიმბოლო |
Პარამეტრის სახელი |
Გამოცდის პირობები |
Წთ იმ |
Ტიპური |
Წთ აქს |
|
V GIN RMS |
Გეით ერთეულის ძაბვა |
DC ძაბვა ან AC კვადრატული ტალღის ამპლიტუდა (15kHz - 100kHz). არ არის გალვანური იზოლაცია ენერგიის წრეზე. |
28 |
— |
40 |
V |
PGIN Მაქს. |
Მაქსიმალური გეით ერთეულის ენერგიის მოხმარება |
/ |
— |
— |
130 |
W |
Მე GIN MIN |
Მინ. მიმდინარე საჭიროება ჩართვისთვის და
Გეით ერთეული
|
Მინიმალური დენი საჭირო გეით ერთეულის ჩართვისთვის |
2 |
— |
— |
A |
Მე GIN MAX |
Შიდა დენის შეზღუდვა |
Გამართული საშუალო მიმდინარე შეზღუდვა
გეით ერთეული
|
— |
— |
8 |
A |
Ოპტიკური კონტროლის შესავალი/გამოსავალი
|
t on(min)
t off(min)
|
Მინ. ჩართვის დრო
Მინ. გამორთვის დრო
|
/ |
40
40
|
—
—
|
—
—
|
μ წმ
μ წმ
|
|
Pon CS
POff CS
Pon SF
Pგათიშული SF
|
CS Oოპტიკური შესავალი ენერგია
CS Oოპტიკური ხმაურის სიმძლავრე
SF Oოპტიკური გამომავალი სიმძლავრე
SF Oოპტიკური ხმაურის სიმძლავრე
|
Ვალიდურია 1მმ პლასტიკური ოპტიკური ბოჭკოსთვის (POF) |
-15
—
-19
—
|
—
—
—
—
|
-1
-45
-1
-50
|
დბმ
დბმ
დბმ
დბმ
|
|
t GLITCH
t რეტრიგი
|
Პულსის სიგრძის ზღვრები
Გარე რეტრიგის პულსის სიგრძე
|
Მაქსიმალური პულსის სიგრძე უპასუხოდ
/
|
—
700
|
—
—
|
400
1100
|
n
n
|
CS |
Მიმღები ბრძანების სიგნალისთვის |
Agilent ,Ტიპი: HFBR-2521 |
SF |
Გამტანი სტატუსის უკუკავშირისათვის |
Agilent ,Ტიპი: HFBR-1521 |
Ვიზუალური უკუკავშირი
LED1 (Მწვანე ) |
Ენერგიის მომარაგება OK |
Სინათლე ანათებს, როდესაც ენერგიის მომარაგება მითითებულ დიაპაზონშია |
LED 2(Მწვანე ) |
Გეითის გამორთვა |
Სინათლე ანათებს, როდესაც GCT გამორთულია |
LED 3(Ყვითელი ) |
Გეითის ჩართვა |
Სინათლე ანათებს, როდესაც გეით-კურენტი მიედინება |
LED 4(Წითელი ) |
F შეცდომა |
Სინათლე ანათებს, როდესაც გეითის მართვის კაპასიტორი ვოლტაჟის ქვეშაა, ან გეითის მართვის ვოლტაჟი არ შეესაბამება CS-ს, ან GCT მოკლე ჩართულია |
LED 5(Ყვითელი ) |
Ტუბერკულოზური დაავადება |
Ტუბერკულოზური დაავადება |
LED 6(Წითელი ) |
Ტუბერკულოზური დაავადება |
Ტუბერკულოზური დაავადება |